第3章 二极管及其基本电路

二极管及其基本电路测验题

1、单选题:
‌半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中        的移动。​
选项:
A: 自由电子
B: 共价键中价电子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 共价键中价电子

2、单选题:
‌N型半导体中的多数载流子是       ,而P型半导体中的多数载流子是       。​
选项:
A: 自由电子,空穴
B: 空穴,自由电子
C: 自由电子,正离子
D: 空穴,负离子
E: 空穴,正离子
F: 自由电子,负离子
答案: 【 自由电子,空穴

3、单选题:
‍PN结内电场方向是由          。‏
选项:
A: N区指向P区
B: P区指向N区
C: 不确定
D: 与外加电压有关
答案: 【 N区指向P区

4、单选题:
​PN结正偏是指         。​
选项:
A: N区电位高于P区
B: P区电位高于N区
C: P区和N区电位相等
D: 与外加电压无关
答案: 【 P区电位高于N区

5、单选题:
‌二极管正偏时应重点关注         ,反偏时应重点关注          。‏
选项:
A: 导通电流和耗散功率,最大反向电压
B: 最高工作频率,最大反向电压
C: 最高工作频率,导通电流和耗散功率
D: 结电容,最高工作频率
E: 最大反向电压,结电容
答案: 【 导通电流和耗散功率,最大反向电压

6、单选题:
​齐纳二极管正常稳压时,工作在          状态。‎
选项:
A: 正向导通
B: 反向截止
C: 反向击穿
D: 放大
答案: 【 反向击穿

7、单选题:
‎点亮发光二极管应加         ,光电二极管正常工作时应加          ,变容二极管正常工作时应加          。‏
选项:
A: 正偏电压,反偏电压,反偏电压
B: 正偏电压,反偏电压,零偏压
C: 反偏电压,正偏电压,正偏电压
D: 反偏电压,正偏电压,反偏电压
E: 正偏电压,正偏电压,反偏电压
答案: 【 正偏电压,反偏电压,反偏电压

8、单选题:
‍已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数rd =           。‎
选项:
A: 19.2 kΩ
B: 1 kΩ
C: 52 kΩ
D: 52 Ω
答案: 【 52 Ω

9、单选题:

设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为                ;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为                

‍选项:
A: 10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA
B: 10mA,1mA;9.3mA,3mA
C: 1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA
D: 10mA,0.93mA;1mA,0.03mA
答案: 【 10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA

10、单选题:

12V电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24V的正弦波,则二极管流过的峰值电流为        ,二极管两端的最大反向电压为         

‌选项:
A: 240mA,24V
B: 120mA,12V
C: 120mA,36V
D: 360mA,36V
答案: 【 120mA,36V

11、单选题:

电路如图所示,D1D2为硅二极管,当vs = 6sinwt V时,用恒压降模型分析电路时,输出电压vO的波形是         

‏选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【 

12、单选题:

二极管电路如图所示。输入电压只有

剩余75%内容付费后可查看

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注