第一部分 课程概论

第一章 单元测验

1、单选题:
中国高端芯片联盟正式成立时间是:​‎​
选项:
A: 2017年7月 
B: 2016年7月
C: 2017年9月
D: 2016年9月 
答案: 【 2016年7月

2、单选题:
‌如下不是集成电路产业特性的是​
选项:
A: 低风险
B: 高投入
C: 高技术
D: 技术密集
答案: 【 低风险

3、单选题:
​摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔:     个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。‏
选项:
A: 24
B: 18
C: 36
D: 12
答案: 【 18

4、单选题:
摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是:    。‍‏‍
选项:
A: More than Moore
B: More Moore  
C: SoC
D: Beyond CMOS  
答案: 【 SoC

5、单选题:
‌单个芯片上集成约50万个器件,按照规模划分,该芯片为:    。‎
选项:
A: SoC
B: ULSI 
C: LSI  
D: VLSI  
答案: 【 VLSI  

6、单选题:
​      年发明了世界上第一个点接触型晶体管‏
选项:
A: 1958
B: 1947
C: 1948
D: 1957
答案: 【 1947

7、单选题:
‎      年发明了世界上第一块集成电路‌
选项:
A: 1957  
B: 1959  
C: 1960
D: 1958
答案: 【 1958

8、单选题:
‌FinFET等多种新结构器件的发明人是:     。​
选项:
A:    基尔比
B: 张忠谋 
C: 胡正明
D: 摩尔 
答案: 【 胡正明

9、单选题:
‎集成电路代工产业的缔造者:     。​
选项:
A: . 基尔比
B: 张忠谋
C: 胡正明
D: 摩尔
答案: 【 张忠谋

10、单选题:
‎ 世界第一块集成电路发明者:     ‎
选项:
A: 摩尔 
B: 基尔比
C: 胡正明
D: 张忠谋
答案: 【 基尔比

第二部分半导体器件物理基础

IC设计如何选择MOS器件模型

1、单选题:
‎MOS器件设计时,模型类型主要由哪些决定?‌
选项:
A: 沟道长度L
B: 沟道宽度W
C: 沟道宽长比W/L 
D: 沟道长度L和栅氧化层厚度D
答案: 【 沟道长度L和栅氧化层厚度D

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