大学MOOC 集成电路设计基础(上海建桥学院)1452628203 最新慕课完整章节测试答案
第一部分 课程概论
第一章 单元测验
1、单选题:
中国高端芯片联盟正式成立时间是:
选项:
A: 2017年7月
B: 2016年7月
C: 2017年9月
D: 2016年9月
答案: 【 2016年7月】
2、单选题:
如下不是集成电路产业特性的是
选项:
A: 低风险
B: 高投入
C: 高技术
D: 技术密集
答案: 【 低风险】
3、单选题:
摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔: 个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。
选项:
A: 24
B: 18
C: 36
D: 12
答案: 【 18】
4、单选题:
摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是: 。
选项:
A: More than Moore
B: More Moore
C: SoC
D: Beyond CMOS
答案: 【 SoC】
5、单选题:
单个芯片上集成约50万个器件,按照规模划分,该芯片为: 。
选项:
A: SoC
B: ULSI
C: LSI
D: VLSI
答案: 【 VLSI 】
6、单选题:
年发明了世界上第一个点接触型晶体管
选项:
A: 1958
B: 1947
C: 1948
D: 1957
答案: 【 1947】
7、单选题:
年发明了世界上第一块集成电路
选项:
A: 1957
B: 1959
C: 1960
D: 1958
答案: 【 1958】
8、单选题:
FinFET等多种新结构器件的发明人是: 。
选项:
A: 基尔比
B: 张忠谋
C: 胡正明
D: 摩尔
答案: 【 胡正明】
9、单选题:
集成电路代工产业的缔造者: 。
选项:
A: . 基尔比
B: 张忠谋
C: 胡正明
D: 摩尔
答案: 【 张忠谋】
10、单选题:
世界第一块集成电路发明者:
选项:
A: 摩尔
B: 基尔比
C: 胡正明
D: 张忠谋
答案: 【 基尔比】
第二部分半导体器件物理基础
IC设计如何选择MOS器件模型
1、单选题:
MOS器件设计时,模型类型主要由哪些决定?
选项:
A: 沟道长度L
B: 沟道宽度W
C: 沟道宽长比W/L
D: 沟道长度L和栅氧化层厚度D
答案: 【 沟道长度L和栅氧化层厚度D】
