大学MOOC 微电子工艺(哈尔滨理工大学)1452594184 最新慕课完整章节测试答案

第三讲 作业

1、单选题：
‏通常掩膜氧化采用的工艺方法为：‍
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】

2、多选题：
​关于氧化速率下面哪种描述是正确的：‏
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、判断题：
‍制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‍热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。‎‍（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）‎
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】

5、填空题：
‎热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）​
答案: 【 分凝】

第四讲 作业

1、单选题：

‍

‌选项：
A: 图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B: 图（a）、（b）都是限定源扩散
C: 图（a）、（b）都是恒定源扩散
D: 图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 【 图（a）、（b）都是限定源扩散】

2、单选题：
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸  ，这是        效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。‏​‏
选项：
A: 大，横向扩散
B: 小，横向扩散
C: 大，场助扩散
D: 大，氧化增强
答案: 【 大，横向扩散】

3、多选题：
‌扩散系数在何时不可以看成是常数：‍
选项：
A: 在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B: 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C: 在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D: 在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 【 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。】

4、判断题：
‎一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、填空题：
‌在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩   分钟。（只保留整数）‌
答案: 【 104】

期中测验

1、单选题：
‍在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？​
选项：
A: 51.2min
B: 31.2min
C: 117min
D: 104min
答案: 【 31.2min】

2、单选题：
‍在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)‌
选项：
A: 0.088μm
B: 0.712μm
C: 0.512μm
D: 0.6μm
答案: 【 0.712μm】

3、多选题：

‏掺杂浓度分布如下图，请判断对错：

‌

‏

‌选项：
A: (a)、(b)是扩散掺杂，杂质浓度都是余误差分布；