第2 章 运算方法和运算器

第二章 运算方法和运算器测验

1、单选题:
‍下列数中最小的数为(  )‍
选项:
A: (101001)2  
B:  (57)8        
C: (00101001)BCD   
D:   (24A)16
答案: 【 (00101001)BCD   

2、单选题:
‍在机器数中,(    )的零的表示形式是唯一的。‍
选项:
A: 原码  
B: 补码 
C: 反码 
D:   移码和原码
答案: 【 补码 

3、单选题:
​下列说法中正确的是(   )​
选项:
A: -127的补码为10000000
B:  -127的反码与0的移码相同
C: +0101的补码是11011
D: 原码没有“+0”和“-0”之分
答案: 【  -127的反码与0的移码相同

4、单选题:
​定点整数,8位字长的字,采用2的补码形式表示,可以表示的数范围是(   )​
选项:
A: -127~+127   
B: 2^(-127)~2^127
C: 2^(-128)~2^127
D: -128~+127
答案: 【 -128~+127

5、单选题:
‍若采用偶检验,则下列包含有奇偶检验位的字符码中没有数据错误的是(  )‎
选项:
A: 10000110
B: 100001100        
C: 11011000 
D: 11011001
答案: 【 11011000 

6、单选题:
‌在定点二进制运算器中,减法运算一般通过(  )来实现。​
选项:
A: 原码运算的二进制减法器
B: 补码运算的二进制减法器
C: 补码运算的十进制加法器 
D: 补码运算的二进制加法器
答案: 【 补码运算的二进制加法器

7、单选题:
‌在定点运算器中,无论采用双符号位还是单符号位,溢出判断电路一般都采用(   )来实现‎
选项:
A: 与门 
B: 或门  
C: 或非门
D: 异或门
答案: 【 异或门

8、单选题:
‏定点数运算中产生溢出的原因是(  )‏
选项:
A: 最高位产生了进位或借位 
B:  操作数超出了机器的表示范围   
C: 运算结果超出了机器的表示范围
D: 寄存器的位数太少,舍弃了最低有效位
答案: 【 运算结果超出了机器的表示范围

9、多选题:
某机字长32位,采用定点整数表示,符号位1位,尾数为31位,则可表示的最大正整数为(   ),最小负数为(   )‏
选项:
A: +(2^31-1) 
B: -(1-2^(-32))
C: +(2^30-1) 
D: -(2^31-1)
答案: 【 +(2^31-1) ;
-(2^31-1)

10、多选题:
下列说法错误的是(   )​
选项:
A: 采用变形补码运算可以避免溢出
B: 只有定点小数运算会产生 溢出,定点整数运算不会
C: 两个负数相加可能产生负溢出
D: 两个正数相加一定会产生正溢出
答案: 【 采用变形补码运算可以避免溢出;
只有定点小数运算会产生 溢出,定点整数运算不会;
两个正数相加一定会产生正溢出

第3章 存储器

第3章 存储系统测验

1、单选题:
‌ ___层次主要解决了CPU和主存速度不匹配的问题。‌
选项:
A: 缓存-主存
B: 主存-辅存
C: CPU-辅存
D: 无正确答案
答案: 【 缓存-主存

2、单选题:
​从用户角度,存储器的主要性能指标不包括___。‍
选项:
A: 存取方式
B: 速度
C: 容量
D: 每位价格
答案: 【 存取方式

3、单选题:
‎某一静态RAM芯片,其容量为1K×4位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最少数目为:‌
选项:
A: 14
B: 16
C: 10
D: 12
答案: 【 16

4、单选题:
下列说法错误的是___‏​‏
选项:
A: 动态RAM比静态RAM速度高
B: 动态RAM需要再生,故需配置再生电路
C: 动态RAM的功耗比静态RAM小
D: 动态RAM的价格比静态RAM的价格便宜
答案: 【 动态RAM比静态RAM速度高

5、单选题:
‌下列存储器中,CPU不能直接访问的是___‏
选项:
A: 硬盘
B: Cache
C: 寄存器
D: RAM
答案: 【 硬盘

6、单选题:
‍以下存储器构成的体系结构中,存储器存取速度由慢到快的排列顺序是___‍
选项:
A: 辅存—主存—Cache—寄存器
B: 主存—辅存—Cache—寄存器
C: 辅存—主存—寄存器—Cache
D: 辅存—寄存器—主存—Cache
答案: 【 辅存—主存—Cache—寄存器

7、单选题:
‏某一SRAM芯片,其容量为16K*8位,则其数据线和地址线的条数分别为___‌
选项:
A: 地址线14根,数据线8根
B: 地址线16根,数据线8根
C: 地址线和数据线均为8根
D: 地址线和数据线均为14根
答案: 【 地址线14根,数据线8根

8、单选题:
‎DRAM的刷新方式,是以____为单位进行的。‌
选项:
A: 行
B: 列
C: 行或者列
D: 存储单元
答案: 【 行

9、单选题:
‌DRAM存储器主要通过___来存储信息。‍
选项:
A: 电容
B: 触发器
C: 磁介质
D: 寄存器
答案: 【 电容

10、单选题:
‏计算机的存储系统采用分级方式主要是为了___‍
选项:
A: 解决容量、速度、价格三者之间的矛盾。
B: 方便程序设计人员编程
C: 方便计算机硬件扩展
D: 方便硬件更新换代
答案: 【 解决容量、速度、价格三者之间的矛盾。

11、单选题:
‎下列关于主存存取速度说法错误的是‌
选项:
A: 存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
B: 存取时间又称为存储器的访问时间,是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
C: 存取时间分读出时间和写入时间两种
D: 通常存取周期大于存取时间
答案: 【 存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间

12、单选题:

随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。

下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中,A9~A0为地址输入端;I/01~I/O4为数据输入/输出端;CS为片选信号(低电平有效);WE为写允许信(低电平为写,高电平为读);Vcc为电源端;GND为接地端。

由Intel2114的外特征图,我们可知其存储容量为____

​选项:
A: 1K×4 位
B: 1K × 4字节
C: 1K × 10位
D: 2K × 4位
答案: 【 1K×4 位

13、单选题:
‎下列说法错误的是___‌
选项:
A: 地址线是双向输入的,其位数与芯片容量有关
B: 数据显示双向的,其位数与芯片可读出或写入的数据位数有关
C: 地址线和数据线的位数共同反映存储芯片的容量
D: 控制线主要有读/写控制线与片选线两种
答案: 【 地址线是双向输入的,其位数与芯片容量有关

14、单选题:
‎按照在计算机中的作用,存储器可以分为主存储器、辅助存储器和缓冲存储器,下列属于辅助存储器的是___‏
选项:
A: 磁盘
B: 静态RAM
C: Flash Memory
D: 动态RAM
答案: 【 磁盘

15、单选题:
‎所谓存储容量一般是指___‌
选项:
A: 主存存放二进制代码的总位数
B: 主存的数据线数量
C: 主存的芯片个数
D: 主存的地址线数量
答案: 【 主存存放二进制代码的总位数

16、单选题:
‏下列叙述中正确的是___​
选项:
A: 主存可由RAM和ROM组成
B: 主存只能由ROM组成
C: 主存只能由RAM组成
D: 主存不是由RAM和ROM组成的
答案: 【 主存可由RAM和ROM组成

17、单选题:
‍某存储器容量为32K*16位,则___‌
选项:
A: 地址线为15根,数据线为16根
B: 地址线为16根,数据线为32根
C: 地址线为32根,数据线为16根
D: 地址线为16根,数据线为15根
答案: 【 地址线为15根,数据线为16根

18、单选题:
‌和辅存相比,主存的特点是___‎
选项:
A: 容量小,速度快,成本高
B: 容量小,速度快,成本低
C: 容量大,速度快,成本高
D: 容量大,速度快,成本低
答案: 【 容量小,速度快,成本高

19、单选题:
‌某计算机机器字长为16位,它的存储容量是128KB,按字编址,它的寻址范围是___‎
选项:
A: 64K
B: 64KB
C: 32K
D: 32KB
答案: 【 64K

20、单选题:
‎以下技术指标中,一般与存储器性能不相关的是___‍
选项:
A: PCI总线带宽
B: 存取时间
C: 存取周期
D: 存储器带宽
答案: 【 PCI总线带宽

21、多选题:
​为了提高存储器的带宽,可以采用的方式有___‏
选项:
A: 缩短存储周期
B: 增加存储字长
C: 增加存储体
D: 增长存储周期
E: 缩短存储字长
F: 减少存储体
答案: 【 缩短存储周期;
增加存储字长;
增加存储体

22、多选题:
‌与动态RAM相比,静态RAM的特点有___‏
选项:
A: 芯片引脚多
B: 位价高 
C: 速度快
D: 功耗大
E: 集成度高
F: 需要配置再生电路
答案: 【 芯片引脚多;
位价高 ;
速度快;
功耗大

23、多选题:
‌下列各类存储器中,属于随机存取存储器的是___​
选项:
A: SRAM
B: DRAM
C: CDROM
D: HardDisk
答案: 【 SRAM;
DRAM

24、多选题:
​下列各类存储器中,存储信息在掉电后不易失的是____‎
选项:
A: PROM
B: EPROM
C: EEPROM
D: SRAM
E: DRAM
答案: 【 PROM;
EPROM;
EEPROM

25、多选题:
下列关于半导体存储器的特点说法正确的是___‏‌‏
选项:
A: 体积小
B: 功耗低
C: 存取时间短
D: 具有易失性
E: 具有非易失性
F: 存取时间长
答案: 【 体积小;
功耗低;
存取时间短;
具有易失性

26、多选题:
​以下关于动态RAM和静态RAM刷新操作的描述正确的是___‎
选项:
A: 动态RAM需要刷新
B: 静态RAM不需要刷新
C: 动态RAM和静态RAM都需要刷新
D: 动态RAM和静态RAM都不需要刷新
E: 动态RAM不需要刷新,静态RAM需要刷新
答案: 【 动态RAM需要刷新;
静态RAM不需要刷新

第4章 指令系统

第4章指令系统测验

1、单选题:
1.   设变址寄存器为X,形式地址为D,某机具有先变址再间接寻址的寻址方式,则这种寻址方式的有效地址为___。‌
选项:
A: EA = (X)+D
B: EA = ((X)+D)
C: EA = ((X))+D
D: EA = (X)+(D)
答案: 【 EA = ((X)+D)

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