大学MOOC 模拟电子技术基础(广东石油化工学院)1452053265 最新慕课完整章节测试答案

1.1.1随堂测验

1、单选题：
在电子器件中，用的最多的半导体材料是硅，其原子序号为。‌
选项：
A: 4
B: 14
C: 24
D: 32
答案: 【 14】

2、单选题：
在室温下，本征半导体中的载流子数目。‏
选项：
A: 很多
B: 较多
C: 较少
D: 极少
答案: 【极少】

3、单选题：
在本征半导体中，本征激发产生的载流子是。‎
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 正负离子
D: A和B
答案: 【 A和B】

4、单选题：
在热力学零度时，本征半导体相当于。‎
选项：
A: 导体
B: 超导体
C: 绝缘体
D: 半导体
答案: 【绝缘体】

5、单选题：
本征激发体现了半导体的特性。‏
选项：
A: 光敏性
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: A和B
答案: 【 A和B】

1.1.2随堂测验

1、单选题：
杂质半导体体现了半导体的特性。‌
选项：
A: 光敏性
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: 导电性
答案: 【掺杂性】

2、单选题：
在中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 半导体
答案: 【 I型半导体】

3、单选题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与有关。‏
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 掺杂浓度
D: 温度
答案: 【温度】

4、单选题：
在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为。‌
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I 型半导体
D: 导体
答案: 【 P型半导体】

5、单选题：
P型半导体的多子是空穴，它本身是。 ‎
选项：
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 无法确定
答案: 【不带电】

1.2.1随堂测验

1、单选题：
‎PN结外加正向电压时，扩散电流_____漂移电流。‎
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无法确定
答案: 【大于】

2、单选题：
漂移电流是______在内电场作用下形成的。‌
选项：
A: 少数载流子
B: 多数载流子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【少数载流子】

3、单选题：
当PN结外加反向电压时，耗尽层_____。‎
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【变宽】

1.2.2随堂测验

1、单选题：
下列关于PN结伏安特性方程中，正确的是。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、单选题：
PN结伏安特性方程中的UT在常温（T=300K）时的值约为。‏
选项：
A: 26V
B: 2.6V
C: 26mV
D: 2.6mV
答案: 【 26mV】

3、单选题：
PN结伏安特性方程可以描述PN结的。
选项：
A: 正向特性
B: 反向特性
C: 击穿特性
D: A和B
答案: 【 A和B】

4、单选题：
参数UBR表示的是。‌
选项：
A: 反向电压
B: 击穿电压
C: 击穿反向电压
D: 反向击穿电压
答案: 【反向击穿电压】

5、单选题：
参数Is与有关。‍
选项：
A: 外加电压
B: 掺杂性质
C: 反向击穿电压
D: 温度
答案: 【温度】

1.3.1随堂测验

1、单选题：
下列有关面接触型二极管的说法，正确的是。‍
选项：
A: PN结面积小，适用于高频情况
B: PN结面积大，适用于高频情况
C: PN结面积小，适用于低频情况
D: PN结面积大，适用于低频情况
答案: 【 PN结面积大，适用于低频情况】

2、多选题：
‎与P区相连的电极称为。‏
选项：
A: 阳极
B: 阴极
C: 正极
D: 负极
答案: 【阳极;
正极】

3、多选题：
‍点接触型二极管主要用于。‏
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 检波
D: 开关
答案: 【检波;
开关】

1.3.2随堂测验

1、单选题：
下列有关硅二极管的说法，正确的是。‍
选项：
A: 死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V
B: 死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V
C: 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V
D: 死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
答案: 【死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V】

2、单选题：
‎二极管的最大反向工作电压是100V，它的击穿电压约为____。‍
选项：
A: 50V
B: 100V
C: 150V
D: 200V
答案: 【 200V】

3、单选题：
当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分。
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【左移】

1.4随堂测验

1、单选题：
‎理想二极管的正向电阻为。‎
选项：
A: 零
B: 无穷大
C: 约几十千欧
D: 约几十欧
答案: 【零】

2、单选题：
‌在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为_____。‌
选项：
A: 2.6kΩ
B: 1.3kΩ
C: 2.6Ω
D: 条件不足，无法计算
答案: 【 2.6Ω】

3、单选题：
‎理想二极管模型相当于。‎
选项：
A: 一个理想开关
B: 一个恒压源
C: 一个动态电阻
D: 一条斜线
答案: 【一个理想开关】

4、单选题：
‏利用二极管的反向击穿特性可以进行。‍
选项：
A: 整流
B: 检波
C: 限幅
D: 稳压
答案: 【稳压】

5、多选题：
‌用万用表测量二极管的正反向电阻，通常采用。‌
选项：
A: R×1Ω挡
B: R×10Ω挡
C: R×100Ω挡
D: R×1kΩ挡
答案: 【 R×100Ω挡;
R×1kΩ挡】

1.5随堂测验

1、单选题：
‍稳压管正常工作时应处于状态。
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【反向击穿】

2、单选题：
‍变容二极管主要利用二极管的。‍
选项：
A: 单向导电性
B: 频率特性
C: 非线性
D: 结电容随反偏电压大小可变的特性
答案: 【结电容随反偏电压大小可变的特性】

3、单选题：
发光二极管正常工作时处于状态。‏
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【正偏】

4、单选题：
‍光电二极管正常工作时应处于状态。‎
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【反偏】

5、单选题：
‍用一只稳压二极管与一只普通二极管串联，可得到的稳压值有种。‏
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

第1周单元测验

1、单选题：
1．在本征半导体中加入适量的元素可以形成N型半导体。‍
选项：
A: 二价
B: 三价
C: 四价
D: 五价
答案: 【五价】

2、单选题：
‎温度升高，二极管的反向特性曲线。‍
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【下移】

3、单选题：
‏用万用表的R×100Ω和R×1kΩ挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是。
选项：
A: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值大
B: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小
C: 相同
D: 无法判断
答案: 【 R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小】

4、单选题：

稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3 V，正向导通电压为0.7V，其输出电压为。

‎

‎选项：
A: 0.7V
B: 6.3V
C: 7V
D: 14V
答案: 【 7V】

5、单选题：

稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压UO为。

‎

‏

‎选项：
A: 7V
B: 6V
C: 1V
D: 0
答案: 【 1V】

6、单选题：
‎在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。‌
选项：
A: 温度
B: 杂质浓度
C: 杂质类型
D: I型半导体
答案: 【杂质浓度】

7、单选题：
在常温下，硅二极管的开启电压约为 V。‏
选项：
A: 0.1
B: 0.2
C: 0.5
D: 0.7
答案: 【 0.5】

8、单选题：
两只稳压值分别为6V和9V硅稳压管并联，可得到的稳压值是。‎
选项：
A: 6V，0.7V
B: 9V，0.7V
C: 6V，9V
D: 0.7V，0.7V
答案: 【 6V，0.7V】

9、单选题：

‏由理想二极管构成的电路如图所示，电压UAB= 。

‏

‏选项：
A: -15V
B: -12V
C: -3V
D: 0V
答案: 【 -12V】

10、单选题：

如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压UAB= 。

选项：
A: 3V
B: -3V
C: -12V
D: -15V
答案: 【 -15V】

11、判断题：
‍由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流通过。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

12、判断题：
‍PN结方程可以描述PN结的正、反向特性，也可以描述其反向击穿特性。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

13、判断题：
型号为2CW14的稳压管稳压值是在6~7.5V之间，说明该稳压管的稳压值是在6~7.5V之间可变。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

14、判断题：
二极管的动态电阻rd随静态工作点电流的增大而减小。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

15、判断题：
‎发光二极管要正向偏置，光电二极管要反向偏置。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

2.1.1随堂测验

1、单选题：
‎晶体管是由层半导体组成。‎
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

2、单选题：
‏在电路中，晶体管有种接法。‍
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

3、单选题：
‎晶体管符号中的箭头方向表示。‍
选项：
A: 发射结由P指向N
B: 集电结由P指向N
C: 发射结由N指向P
D: 集电结由N指向P
答案: 【发射结由P指向N】

2.1.2随堂测验

1、单选题：
晶体管工作在放大状态的外部条件是。‌
选项：
A: 发射结和集电结均正偏
B: 发射结和集电结均反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

2、单选题：
‌NPN型管工作在放大状态，要求 .
选项：
A: UBE>0，UBC>0
B: UBE>0，UBC<0
C: UBE<0，UBC>0
D: UBE<0，UBC<0
答案: 【 UBE>0，UBC<0】

3、单选题：
‌当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了。‌
选项：
A: 基极电流IBN
B: 集电极电流ICN
C: 发射极电流IE
D: 反向饱和电流ICBO
答案: 【反向饱和电流ICBO】

2.1.3随堂测验

1、单选题：
‏在共基极接法的电路中，体现了的控制作用。‌
选项：
A: IB对IC
B: IE对IC
C: IE对IB
D: IC对IE
答案: 【 IE对IC】

2、单选题：
‎下列关于穿透电流表达式正确的是。‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、多选题：
‎在下列各式中，能够正确反映晶体管的电流分配关系。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.1.4随堂测验

1、单选题：
‏共发射极接法的晶体管工作在放大状态下，对直流而言其。‌
选项：
A: 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性
B: 输入和输出都具有近似的恒流特性
C: 输入和输出都具有近似的恒压特性
D: 输入具有近似的恒流特性，而输出具有近似的恒压特性
答案: 【输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性】

2、单选题：

‏测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，说明该管是。

‌

‏

‌选项：
A: NPN锗管
B: NPN硅管
C: PNP锗管
D: PNP硅管
答案: 【 PNP锗管】

3、单选题：
‍测得电路中PNP型晶体管e、b、c三个电极的电位分别是2.6V、2V、2.4V，该管的工作状态是。‏
选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 放大
D: 损坏
答案: 【饱和】

2.1.5随堂测验

1、单选题：
‌当晶体管的集电极电流IC>ICM时，下列说法正确的是。
选项：
A: 晶体管一定被烧毁
B: 晶体管的PC=PCM
C: 晶体管的β一定减小
D: 晶体管的β一定增大
答案: 【晶体管的β一定减小】

2、单选题：
‌温度升高。
选项：
A: uBE减小，输入特性曲线右移
B: uBE减小，输入特性曲线左移
C: uBE增大，输入特性曲线右移
D: uBE增大，输入特性曲线左移
答案: 【 uBE减小，输入特性曲线左移】

3、单选题：
‍Pc>PCM的区域称为。‏
选项：
A: 过流区
B: 过压区
C: 过损区
D: 击穿区
答案: 【过损区】

4、单选题：
当温度升高时，晶体管的β、ICEO、UBE的变化情况是。‍
选项：
A: β增加、ICEO和UBE减小
B: β和ICEO增加，UBE减小
C: β和UBE减小，ICEO增加
D: β、ICEO和UBE都增加
答案: 【 β和ICEO增加，UBE减小】

5、单选题：
‍某晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V。若要工作在放大状态，在下列几种情况下，可能正常工作的是。‌
选项：
A: UCE=15V，IC=10mA
B: UCE=2V，IC=40mA
C: UCE=6V，IC=20mA
D: UCE=8V，IC=10mA
答案: 【 UCE=8V，IC=10mA】

2.2.1随堂测验

1、单选题：
‎在基本共射电路中，基极偏置电阻Rb的作用是。‎
选项：
A: 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路
B: 把基极电流的变化转换为输入电压的变化
C: 保护信号源
D: 防止输出信号被短路
答案: 【限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路】

2、单选题：
‎在基本共射放大电路中，可以把放大的电流转换为电压输出。
选项：
A: Rb
B: Rc
C: C1
D: C2
答案: 【 Rc】

3、判断题：

‌判断下列电路是否正确。

‏

‌

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

2.2.2随堂测验

1、单选题：
‍ 是衡量放大电路对信号的放大能力。
选项：
A: Ri
B: Ro
C: Au
D: BW
答案: 【 Au】

2、单选题：
‎源电压放大倍数与电压放大倍数的关系是。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、单选题：
‌如果信号源分别是接近于理想的电压源和电流源，那么希望放大电路的输入电阻分别是。
选项：
A: 大，小
B: 大，大
C: 小，小
D: 小，大
答案: 【大，小】

4、单选题：
‏输出电阻是衡量放大电路带负载能力的一项指标。输出电阻越小，则当负载变动时，放大电路输出电压。
选项：
A: 变动越小
B: 变动越大
C: 不变
D: 上述情况皆有可能发生
答案: 【变动越小】

5、单选题：
‍ 是衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。‍
选项：
A: Ri
B: Ro
C: Au
D: BW
答案: 【 BW】

2.3随堂测验

1、单选题：
‍放大电路直流通路的画法是。
选项：
A: 电容视为短路，电感视为短路
B: 电容视为短路，电感视为开路
C: 电容视为开路，电感视为短路
D: 电容视为开路，电感视为开路
答案: 【电容视为开路，电感视为短路】

2、单选题：
放大电路交流通路的画法是。
选项：
A: 理想直流电源开路，大容量电容开路
B: 理想直流电源开路，大容量电容短路
C: 理想直流电源短路，大容量电容开路
D: 理想直流电源短路，大容量电容短路
答案: 【理想直流电源短路，大容量电容短路】

3、单选题：

‌在如图所示的交流通路中，输出电压可表示为。

‌

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、单选题：
‏由于放大电路是交直流共存的，则下列表达式正确的是。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、多选题：
‏晶体管组成的放大电路通常采用分析。‌
选项：
A: 解析法
B: 图解法
C: 等效电路法
D: 前三个方法
答案: 【图解法;
等效电路法】

2.4.1随堂测验

1、单选题：
‏共射放大电路输出回路的交流负载线为静态工作点。
选项：
A: 中点处
B: 与输出特性曲线的交点
C: 与IBQ对应的那条输出特性曲线的交点
D: 与中间那条输出特性曲线的交点
答案: 【与IBQ对应的那条输出特性曲线的交点】

2、单选题：
‌在基本共射放大电路中，改变电源VCC，直流负载线。‏
选项：
A: 斜率增大
B: 斜率减小
C: 位置不变
D: 平行移动
答案: 【平行移动】

3、单选题：
在基本共射放大电路中如果用万用表测得UCE≈VCC，可能是因为。‎
选项：
A: Rb短路
B: Rb开路
C: Rc开路
D: β过大
答案: 【 Rb开路】

4、多选题：
‎在基本共射放大电路中，下列说法正确的是。‎
选项：
A: 静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向上移动
B: 静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向下移动
C: 静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向左移动
D: 静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向右移动
答案: 【静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向下移动;
静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向左移动】

5、多选题：
‏图解法较适于解决的问题是。‏
选项：
A: 输入、输出均为小信号时电路的交流性能
B: 输入正弦波信号时输出波形
C: 输出为大信号时的幅值与波形
D: 静态工作点的设置情况
答案: 【输出为大信号时的幅值与波形;
静态工作点的设置情况】

2.4.2随堂测验

1、单选题：
‏交流负载线是经过Q点和坐标为点的直线。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、判断题：
‏当负载开路时，交流负载线与直流负载线重合。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

3、判断题：
交流负载线是动态工作点移动的轨迹。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

2.4.3随堂测验

1、单选题：
‎对于NPN管组成的放大电路，当静态工作点偏高时，下列说法正确的是。 ‌
选项：
A: ib、ic削顶，uce削顶
B: ib、ic削顶，uce削底
C: ib不失真、ic削底，uce削顶
D: ib不失真、ic削顶，uce削底
答案: 【 ib不失真、ic削顶，uce削底】

2、单选题：
‌对于PNP管组成的放大电路，当静态工作点偏低时，下列说法正确的是。 ‍
选项：
A: ib、ic削底，uce削底
B: ib、ic削底，uce削顶
C: ib不失真、ic削底，uce削顶
D: ib不失真、ic削顶，uce削底
答案: 【 ib、ic削底，uce削底】

3、单选题：
‍在输出波形不失真的情况下，静态工作点位于交流负载线的为最佳。‏
选项：
A: 中点处
B: 偏高处
C: 偏低处
D: 任意处
答案: 【偏低处】

4、单选题：
‎在放大电路中，时可输出最大不失真电压。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、单选题：
‎在放大电路中，当静态工作点偏低时，能够输出的最大不失真电压是。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

第2周单元测验

1、单选题：
‎工作在放大区的某晶体管，如果测得晶体管IB=30μA时IC=2.4mA，而IB=40μA时IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为。‌
选项：
A: 80
B: 60
C: 75
D: 100
答案: 【 60】

2、单选题：
‎晶体管的ICEO大，说明其。
选项：
A: 工作电流大
B: 击穿电压高
C: 寿命长
D: 热稳定性差
答案: 【热稳定性差】

3、单选题：
‍某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V，若它的工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过 mA。‍
选项：
A: 150
B: 100
C: 50
D: 5
答案: 【 100】

4、单选题：
‏晶体管是一种的器件。
选项：
A: 电压控制电压
B: 电压控制电流
C: 电流控制电压
D: 电流控制电流
答案: 【电流控制电流】

5、单选题：
‎测得放大电路中的三极管管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V，说明该晶体管是。‎
选项：
A: NPN锗管
B: PNP锗管
C: NPN管硅
D: PNP硅管
答案: 【 PNP锗管】

6、单选题：

‌ 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是。

‌

选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 放大
D: 损坏
答案: 【截止】

7、单选题：

‎测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，该管的电极从左到右依次为。

‌

‎

‌选项：
A: c、b、e
B: c、e、b
C: b、e、c
D: e、b、c
答案: 【 e、b、c】

8、单选题：

‏固定偏置放大电路输出特性曲线及放大电路的交流、直流负载线如图所示。该电路最大不失真输出电压的幅值是 V。

‌

‏

‌选项：
A: 10
B: 6
C: 4
D: 2
答案: 【 2】

9、单选题：
‏某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为。‏
选项：
A: 10kΩ
B: 2kΩ
C: 1kΩ
D: 0.5kΩ
答案: 【 1kΩ】

10、单选题：
‌分析放大电路通常采用交直流分开分析的方法，这是因为。‎
选项：
A: 晶体管是非线性器件
B: 电路中存在电容
C: 电路中存在电阻
D: 电路中既有直流量又有交流量
答案: 【电路中既有直流量又有交流量】

11、判断题：
‏若晶体三极管发射结处于正向偏置，其一定工作在放大状态。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

12、判断题：
‎晶体管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管反向串联来构成一个晶体管。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

13、判断题：
只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

14、判断题：
‎放大电路的静态是指输入直流信号的状态。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

15、判断题：
‍在交流通路中只考虑交流信号的作用。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

2.5.1随堂测验

1、单选题：
估算放大电路的静态工作点，需要计算。‌
选项：
A: ICQ和UCEQ
B: IBQ和UBEQ
C: IBQ、ICQ和UCEQ
D: IBQ、ICQ和UBEQ
答案: 【 IBQ、ICQ和UCEQ】

2、单选题：
‌由NPN管组成的固定偏置共射放大电路，若Rb=100kΩ，Rc=1.5kΩ，VCC=12V，晶体管的β=80，UBE=0.6V，通过计算可判断该电路处于状态。
选项：
A: 放大
B: 饱和
C: 截止
D: 不定
答案: 【饱和】

3、单选题：

‎在如图所示的电路中，T为硅管。当ui=0.2sinωtV时，输出电压uo 。

‏

‎

‏

‎

‏

‎

‏选项：
A: 为正弦波
B: 为半个正弦波
C: 为矩形波
D: 无任何波形
答案: 【无任何波形】

4、单选题：

如图所示的固定偏置共射放大电路输出特性曲线和直流、交流负载线，由此可确定集电极电阻Rc为。

‍

‍选项：
A: 1kΩ
B: 2kΩ
C: 3kΩ
D: 4kΩ
答案: 【 3kΩ】

5、多选题：

‏对于如图所示的放大电路，下列表达式正确的是。

‏

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.5.2随堂测验

1、单选题：
‏画放大电路的微变等效电路时，等效模型中的电压和电流必须采用形式。‍
选项：
A: 直流量
B: 交流量
C: 瞬时量
D: 正弦量有效值的相量
答案: 【正弦量有效值的相量】

2、单选题：
‏利用微变等效电路可以计算放大电路的。‍
选项：
A: 静态工作点
B: 交流性能指标
C: 直流和交流指标
D: 输出功率
答案: 【交流性能指标】

3、多选题：
‌晶体管的动态电阻rbe= 。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.5.3随堂测验

1、单选题：
‍放大电路的负载所获得的能量主要是由提供的。
选项：
A: 输入端的信号源
B: 加在放大电路上的直流稳压电源
C: 电路中的有源元件
D: 电路中的电容
答案: 【加在放大电路上的直流稳压电源】

2、单选题：
‏在固定偏置共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，其电压放大倍数将。‍
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不能确定
答案: 【增大】

3、单选题：
‍带有负载的固定偏置共射放大电路，下列各表达式正确的是。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、单选题：
‎由NPN管组成的带负载固定偏置共射放大电路，如果RL减小，则Q点和Au将会。
选项：
A: Q点上升，Au减小
B: Q点下降，Au减小
C: Q点不动，Au减小
D: Q点不动，Au增大
答案: 【 Q点不动，Au减小】

5、多选题：

对于如图所示的放大电路，书写正确的表达式是。

‌

‏

‌

‏

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.6.1随堂测验

1、单选题：
‏引起放大电路静态工作点不稳定的原因很多，其中最主要的原因是。‎
选项：
A: 电源电压的波动
B: 信号源电压的不稳定
C: 负载的变化
D: 温度
答案: 【温度】

2、单选题：
‍在分压式工作点稳定共射放大电路中，起稳定工作点的主要元件是。‏
选项：
A: 电阻Rb1
B: 电阻Rb2
C: 电阻Re
D: 电阻Rc
答案: 【电阻Re】

3、单选题：
‎在分压式工作点稳定共射放大电路中，当β=50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β=100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别为。‎
选项：
A: 10μA，1mA
B: 20μA，2mA
C: 30μA，3mA
D: 40μA，4mA
答案: 【 10μA，1mA】

4、单选题：

‎在如图所示的放大电路中，测得UE=0，UC= VCC，说明该电路出现了故障，分析故障原因是。

‍

‎

‍

‎

‍选项：
A: Rc开路
B: Rc短路
C: Re短路
D: Rb1开路
答案: 【 Rb1开路】

5、多选题：
‏分压式工作点稳定共射放大电路的稳定条件是。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.6.2随堂测验

1、单选题：
‍在分压式工作点稳定共射放大电路中，计算Q点的步骤是。‏
选项：
A: UB、IBQ、ICQ、UCEQ
B: UB、ICQ、IBQ、UCEQ
C: UB、UCEQ、ICQ、IBQ
D: UB、IBQ、UCEQ、ICQ
答案: 【 UB、ICQ、IBQ、UCEQ】

2、单选题：
‍分压式工作点稳定共射放大电路，在的条件下可采用近似计算法。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、单选题：

对于如图所示的放大电路，下列表达式正确的是。

‌

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、单选题：

‏若将如图所示放大电路中的电阻Rb1调大，则对电路性能产生的影响是。

‏

选项：
A: Au增大、Ri增大
B: Au减小、Ri增大
C: Au增大、Ri减小
D: Au减小、Ri减小
答案: 【 Au增大、Ri减小】

5、多选题：

‍在如图所示的电路中，正确的表达式是。

‏

‍

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.7随堂测验

1、单选题：
‍在带有负载的共集放大电路中，下列表达式表示正确的是。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、单选题：
对于一个共集组态的基本放大电路，它具有的特点。
选项：
A: 电压增益略大于1，输入电阻大，输出电阻小
B: 电压增益等于1，输入电阻大，输出电阻小
C: 电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小
D: 电压增益略小于1，输入电阻小，输出电阻大
答案: 【电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小】

3、多选题：
在计算共集放大电路的静态时，下列表达式正确的是。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】