大学MOOC 模拟电子技术基础(广东石油化工学院)1452087267 最新慕课完整章节测试答案

1.1.1随堂测验

1、单选题：
在电子器件中，用的最多的半导体材料是硅，其原子序号为      。‍
选项：
A: 4
B: 14
C: 24
D: 32
答案: 【 14】

2、单选题：
在室温下，本征半导体中的载流子数目      。‏
选项：
A: 很多
B: 较多
C: 较少
D: 极少
答案: 【 极少】

3、单选题：
在本征半导体中，本征激发产生的载流子是       。‎
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 正负离子
D: A和B
答案: 【 A和B】

4、单选题：
在热力学零度时，本征半导体相当于       。‍
选项：
A: 导体
B: 超导体
C: 绝缘体
D: 半导体
答案: 【 绝缘体】

5、单选题：
本征激发体现了半导体的      特性。‎
选项：
A: 光敏性
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: A和B
答案: 【 A和B】

1.1.2随堂测验

1、单选题：
杂质半导体体现了半导体的      特性。‍
选项：
A: 光敏性 
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: 导电性
答案: 【 掺杂性】

2、单选题：
在      中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。‍
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 半导体
答案: 【 I型半导体】

3、单选题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与      有关。‏
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 掺杂浓度
D: 温度
答案: 【 温度】

4、单选题：
在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为     。‎
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I 型半导体
D: 导体
答案: 【 P型半导体】

5、单选题：
P型半导体的多子是空穴，它本身是     。 ‎
选项：
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 无法确定
答案: 【 不带电】

1.2.1随堂测验

1、单选题：
‎PN结外加正向电压时，扩散电流_____漂移电流。​
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无法确定
答案: 【 大于】

2、单选题：
漂移电流是______在内电场作用下形成的。‏
选项：
A: 少数载流子
B: 多数载流子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 少数载流子】

3、单选题：
当PN结外加反向电压时，耗尽层_____。‎
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 变宽】

1.2.2随堂测验

1、单选题：
下列关于PN结伏安特性方程中，正确的是      。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
PN结伏安特性方程中的UT在常温（T=300K）时的值约为      。​
选项：
A: 26V
B: 2.6V
C: 26mV
D: 2.6mV
答案: 【 26mV】

3、单选题：
‏PN结伏安特性方程可以描述PN结的        。‎
选项：
A: 正向特性
B: 反向特性
C: 击穿特性
D: A和B
答案: 【 A和B】

4、单选题：
参数UBR表示的是     。​
选项：
A: 反向电压
B: 击穿电压
C: 击穿反向电压
D: 反向击穿电压
答案: 【 反向击穿电压】

5、单选题：
参数Is与     有关。​
选项：
A: 外加电压
B: 掺杂性质
C: 反向击穿电压
D: 温度
答案: 【 温度】

1.3.1随堂测验

1、单选题：
下列有关面接触型二极管的说法，正确的是      。‍
选项：
A: PN结面积小，适用于高频情况
B: PN结面积大，适用于高频情况
C: PN结面积小，适用于低频情况
D: PN结面积大，适用于低频情况
答案: 【 PN结面积大，适用于低频情况】

2、多选题：
‎与P区相连的电极称为     。‏
选项：
A: 阳极
B: 阴极
C: 正极
D: 负极
答案: 【 阳极;
正极】

3、多选题：
‍点接触型二极管主要用于     。​
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 检波
D: 开关
答案: 【 检波;
开关】

1.3.2随堂测验

1、单选题：
‎下列有关硅二极管的说法，正确的是      。‍
选项：
A: 死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V
B: 死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V
C: 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V
D: 死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
答案: 【 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V】

2、单选题：
‏二极管的最大反向工作电压是100V，它的击穿电压约为____。‌
选项：
A: 50V
B: 100V
C: 150V
D: 200V
答案: 【 200V】

3、单选题：
当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分       。​
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【 左移】

1.4随堂测验

1、单选题：
‍理想二极管的正向电阻为        。‌
选项：
A: 零
B: 无穷大
C: 约几十千欧
D: 约几十欧
答案: 【 零】

2、单选题：
‏在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为_____。​
选项：
A: 2.6kΩ
B: 1.3kΩ
C: 2.6Ω
D: 条件不足，无法计算
答案: 【 2.6Ω】

3、单选题：
‏理想二极管模型相当于     。‍
选项：
A: 一个理想开关
B: 一个恒压源
C: 一个动态电阻
D: 一条斜线
答案: 【 一个理想开关】

4、单选题：
‍利用二极管的反向击穿特性可以进行     。‏
选项：
A: 整流
B: 检波
C: 限幅
D: 稳压
答案: 【 稳压】

5、多选题：
​用万用表测量二极管的正反向电阻，通常采用     。​
选项：
A: R×1Ω挡
B: R×10Ω挡
C: R×100Ω挡
D: R×1kΩ挡
答案: 【 R×100Ω挡;
R×1kΩ挡】

1.5随堂测验

1、单选题：
​稳压管正常工作时应处于     状态。‏
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反向击穿】

2、单选题：
‍变容二极管主要利用二极管的      。​
选项：
A: 单向导电性
B: 频率特性
C: 非线性
D: 结电容随反偏电压大小可变的特性
答案: 【 结电容随反偏电压大小可变的特性】

3、单选题：
‎发光二极管正常工作时处于     状态。‏
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 正偏】

4、单选题：
​光电二极管正常工作时应处于    状态。​
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反偏】

5、单选题：
‌用一只稳压二极管与一只普通二极管串联，可得到的稳压值有     种。​
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

第1周单元测验

1、单选题：
1．在本征半导体中加入适量的     元素可以形成N型半导体。​
选项：
A: 二价
B: 三价
C: 四价
D: 五价
答案: 【 五价】

2、单选题：
‏温度升高，二极管的反向特性曲线     。​
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【 下移】

3、单选题：
‍用万用表的R×100Ω和R×1kΩ挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是     。‍
选项：
A: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值大
B: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小
C: 相同
D: 无法判断
答案: 【 R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小】

4、单选题：

稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3 V，正向导通电压为0.7V，其输出电压为     。

‍

‍

                                                                  

‍选项：
A: 0.7V
B: 6.3V
C: 7V
D: 14V
答案: 【 7V】

5、单选题：

稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压UO为     。

‎

‎

‏                                                                              

‎选项：
A: 7V
B: 6V
C: 1V
D: 0
答案: 【 1V】

6、单选题：
‍在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于     。‌
选项：
A: 温度
B: 杂质浓度
C: 杂质类型
D: I型半导体
答案: 【 杂质浓度】

7、单选题：
‌在常温下，硅二极管的开启电压约为     V。‎
选项：
A: 0.1
B: 0.2
C: 0.5
D: 0.7
答案: 【 0.5】

8、单选题：
‍两只稳压值分别为6V和9V硅稳压管并联，可得到的稳压值是     。‏
选项：
A: 6V，0.7V
B: 9V，0.7V
C: 6V，9V
D: 0.7V，0.7V
答案: 【 6V，0.7V】

9、单选题：

‎由理想二极管构成的电路如图所示，电压UAB=     。                                                                                                                               

‍

‎

‍选项：
A: -15V
B: -12V
C: -3V
D: 0V
答案: 【 -12V】

10、单选题：

如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压UAB=     。  

‌

                                                                                                                                                                                                                                                                         

‌选项：
A: 3V
B: -3V
C: -12V
D: -15V
答案: 【 -15V】

11、判断题：
‌由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流通过。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‌PN结方程可以描述PN结的正、反向特性，也可以描述其反向击穿特性。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
​型号为2CW14的稳压管稳压值是在6~7.5V之间，说明该稳压管的稳压值是在6~7.5V之间可变。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
​二极管的动态电阻rd随静态工作点电流的增大而减小。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
​发光二极管要正向偏置，光电二极管要反向偏置。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.1.1随堂测验

1、单选题：
‍晶体管是由    层半导体组成。‎
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

2、单选题：
​在电路中，晶体管有     种接法。‍
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

3、单选题：
​晶体管符号中的箭头方向表示     。‌
选项：
A: 发射结由P指向N
B: 集电结由P指向N
C: 发射结由N指向P
D: 集电结由N指向P
答案: 【 发射结由P指向N】

2.1.2随堂测验

1、单选题：
​晶体管工作在放大状态的外部条件是     。‎
选项：
A: 发射结和集电结均正偏
B: 发射结和集电结均反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

2、单选题：
‎NPN型管工作在放大状态，要求     .‍
选项：
A: UBE>0，UBC>0
B: UBE>0，UBC<0
C: UBE<0，UBC>0
D: UBE<0，UBC<0
答案: 【 UBE>0，UBC<0】

3、单选题：
‍当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了     。‍
选项：
A: 基极电流IBN
B: 集电极电流ICN
C: 发射极电流IE
D: 反向饱和电流ICBO
答案: 【 反向饱和电流ICBO】

2.1.3随堂测验

1、单选题：
‍在共基极接法的电路中，体现了     的控制作用。‍
选项：
A: IB对IC
B: IE对IC
C: IE对IB
D: IC对IE
答案: 【 IE对IC】

2、单选题：
‏下列关于穿透电流表达式正确的是     。​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、多选题：
‌在下列各式中，     能够正确反映晶体管的电流分配关系。​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

2.1.4随堂测验

1、单选题：
​共发射极接法的晶体管工作在放大状态下，对直流而言其     。‏
选项：
A: 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性
B: 输入和输出都具有近似的恒流特性
C: 输入和输出都具有近似的恒压特性
D: 输入具有近似的恒流特性，而输出具有近似的恒压特性
答案: 【 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性】

2、单选题：

‍测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，说明该管是     。                                         

‏

‍                                                               

‏选项：
A: NPN锗管
B: NPN硅管
C: PNP锗管
D: PNP硅管
答案: 【 PNP锗管】

3、单选题：
​测得电路中PNP型晶体管e、b、c三个电极的电位分别是2.6V、2V、2.4V，该管的工作状态是     。​
选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 放大
D: 损坏
答案: 【 饱和】

2.1.5随堂测验

1、单选题：
​当晶体管的集电极电流IC>ICM时，下列说法正确的是     。‏
选项：
A: 晶体管一定被烧毁
B: 晶体管的PC=PCM
C: 晶体管的β一定减小
D: 晶体管的β一定增大
答案: 【 晶体管的β一定减小】

2、单选题：
‍温度升高     。​
选项：
A: uBE减小，输入特性曲线右移
B: uBE减小，输入特性曲线左移
C: uBE增大，输入特性曲线右移
D: uBE增大，输入特性曲线左移
答案: 【 uBE减小，输入特性曲线左移】

3、单选题：
​Pc>PCM的区域称为     。‍
选项：
A: 过流区
B: 过压区
C: 过损区
D: 击穿区
答案: 【 过损区】

4、单选题：
‏当温度升高时，晶体管的β、ICEO、UBE的变化情况是     。‎
选项：
A: β增加、ICEO和UBE减小
B: β和ICEO增加，UBE减小
C: β和UBE减小，ICEO增加
D: β、ICEO和UBE都增加
答案: 【 β和ICEO增加，UBE减小】

5、单选题：
‌某晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V。若要工作在放大状态，在下列几种情况下，可能正常工作的是     。‍
选项：
A: UCE=15V，IC=10mA
B: UCE=2V，IC=40mA
C: UCE=6V，IC=20mA
D: UCE=8V，IC=10mA
答案: 【 UCE=8V，IC=10mA】

2.2.1随堂测验

1、单选题：
​在基本共射电路中，基极偏置电阻Rb的作用是     。‍​‍
选项：
A: 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路
B: 把基极电流的变化转换为输入电压的变化
C: 保护信号源
D: 防止输出信号被短路
答案: 【 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路】

2、单选题：
‏在基本共射放大电路中，     可以把放大的电流转换为电压输出。‏
选项：
A: Rb
B: Rc
C: C1
D: C2
答案: 【 Rc】

3、判断题：

​判断下列电路是否正确。

​

​                                                                        

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.2.2随堂测验

1、单选题：
‎     是衡量放大电路对信号的放大能力。‍
选项：
A: Ri
B: Ro
C: Au
D: BW
答案: 【 Au】

2、单选题：
‎源电压放大倍数与电压放大倍数的关系是     。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、单选题：
‎如果信号源分别是接近于理想的电压源和电流源，那么希望放大电路的输入电阻分别是     。​
选项：
A: 大，小
B: 大，大
C: 小，小
D: 小，大
答案: 【 大，小】

4、单选题：
​输出电阻是衡量放大电路带负载能力的一项指标。输出电阻越小，则当负载变动时，放大电路输出电压     。‏
选项：
A: 变动越小
B: 变动越大
C: 不变
D: 上述情况皆有可能发生
答案: 【 变动越小】

5、单选题：
​    是衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。‏
选项：
A: Ri
B: Ro
C: Au
D: BW
答案: 【 BW】

2.3随堂测验

1、单选题：
‌放大电路直流通路的画法是     。‍
选项：
A: 电容视为短路，电感视为短路
B: 电容视为短路，电感视为开路
C: 电容视为开路，电感视为短路
D: 电容视为开路，电感视为开路
答案: 【 电容视为开路，电感视为短路】

2、单选题：
‏放大电路交流通路的画法是     。‏
选项：
A: 理想直流电源开路，大容量电容开路
B: 理想直流电源开路，大容量电容短路
C: 理想直流电源短路，大容量电容开路
D: 理想直流电源短路，大容量电容短路
答案: 【 理想直流电源短路，大容量电容短路】

3、单选题：

‎在如图所示的交流通路中，输出电压可表示为     。

‌

‎                                                                          

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

4、单选题：
‍由于放大电路是交直流共存的，则下列表达式正确的是     。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

5、多选题：
‍晶体管组成的放大电路通常采用     分析。‎
选项：
A: 解析法
B: 图解法
C: 等效电路法
D: 前三个方法
答案: 【 图解法;
等效电路法】

2.4.1随堂测验

1、单选题：
‎共射放大电路输出回路的交流负载线     为静态工作点。‌
选项：
A: 中点处
B: 与输出特性曲线的交点
C: 与IBQ对应的那条输出特性曲线的交点
D: 与中间那条输出特性曲线的交点
答案: 【 与IBQ对应的那条输出特性曲线的交点】

2、单选题：
‍在基本共射放大电路中，改变电源VCC，直流负载线     。‌
选项：
A: 斜率增大
B: 斜率减小
C: 位置不变
D: 平行移动
答案: 【 平行移动】

3、单选题：
‏在基本共射放大电路中如果用万用表测得UCE≈VCC，可能是因为     。‏
选项：
A: Rb短路
B: Rb开路
C: Rc开路
D: β过大
答案: 【 Rb开路】

4、多选题：
‌在基本共射放大电路中，下列说法正确的是     。‌
选项：
A: 静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向上移动
B: 静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向下移动
C: 静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向左移动
D: 静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向右移动
答案: 【 静态工作点随Rb的增大沿直流负载线向下移动;
静态工作点随Rc的增大沿IBQ对应的输出特性曲线向左移动】

5、多选题：
‌图解法较适于解决的问题是     。‌
选项：
A: 输入、输出均为小信号时电路的交流性能
B: 输入正弦波信号时输出波形
C: 输出为大信号时的幅值与波形
D: 静态工作点的设置情况
答案: 【 输出为大信号时的幅值与波形;
静态工作点的设置情况】

2.4.2随堂测验

1、单选题：
‎交流负载线是经过Q点和坐标为     点的直线。​
选项：
A:
B:
C: