大学MOOC 半导体物理与器件原理(复旦大学)1003164004 最新慕课完整章节测试答案

W1-测试

1、单选题：
室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。‌‎‌
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

2、单选题：
室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。​
选项：
A: 2
B: 4
C: 6
D: 8
答案: 【 4】

3、单选题：
Si晶体的第一布里渊区是个（）体。‌
选项：
A: 立方体
B: 正菱形12面体
C: 截角8面体
D: 球体
答案: 【 截角8面体】

4、单选题：
费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）‍​‍
选项：
A: 0
B: 0.5
C: 1
D: 无穷大
答案: 【 1】

5、单选题：

​

‌

哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？

‌

​

‌选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 无法判断
答案: 【 3】

6、单选题：
空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。‏​‏
选项：
A: 正，负
B: 正，正
C: 负，正
D: 负，负
答案: 【 正，正】

7、单选题：
Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。‌​‌
选项：
A: =
B: >
C: <
D: 无法确定大小关系
答案: 【 <】

8、单选题：
随温度升高，Si的禁带宽度（）​‍​
选项：
A: 不变
B: 增加
C: 减小
D: 不清楚
答案: 【 减小】

9、单选题：
Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。​‍​
选项：
A: 施主
B: 受主
C: 两性杂质
D: 中性杂质
答案: 【 受主】

10、单选题：
​Si中常见点缺陷是（）缺陷。‎
选项：
A: 弗伦克尔
B: 肖特基
C: 刃位错
D: 螺位错
答案: 【 肖特基】

11、判断题：
晶体Si是直接带隙半导体。‎‍‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

W2-测试

1、单选题：
能态密度的单位可以是（）​‏​
选项：
A: 个
B: 个/平方厘米
C: 个/eV
D: 个/平方厘米-eV
答案: 【 个/eV】

2、单选题：
Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。‏‏‏
选项：
A: 对
B: 错
C: 无法确定
D: 都可以
答案: 【 对】

3、单选题：
N型Si中，导电电子主要分布在​‏​
选项：
A: 导带顶部
B: 导带底部
C: 价带顶部
D: 价带底部
答案: 【 导带底部】

4、单选题：
室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.‏​‏
选项：
A: 1E9
B: 1E10
C: 1E11
D: 1E12
答案: 【 1E10】

5、单选题：
Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。​‍​
选项：
A: 150
B: 200
C: 250
D: 300
答案: 【 250】

6、单选题：
某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为：​‎​
选项：
A: 低温弱电离区
B: 中等电离区
C: 过渡区
D: 本征区
答案: 【 低温弱电离区】

7、单选题：

‍

‏

‍以上哪个区域对应室温下的n-Si载流子随温度变化的关系？

‏选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
E: 5
答案: 【 3】

8、单选题：
迁移率的典型单位是（）‏‎‏
选项：
A: cm3/s
B: cm3/V×s
C: cm2/V×s
D: cm2/V
答案: 【 cm2/V×s】

9、单选题：
对于一般浓度的掺杂半导体，室温下其主要散射机制为：​​​
选项：
A: 电离杂质散射
B: 光学声子散射
C: 声学声子散射
D: 中性杂质散射
答案: 【 声学声子散射】

10、单选题：
一般情况下，非平衡载流子中，（）重要‌​‌
选项：
A: 多子
B: 少子
C: 多子少子都重要
D: 多子少子都不重要
答案: 【 少子】

11、单选题：
间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在‎‌‎
选项：
A: 费米能级处
B: 杂质能级处
C: 禁带中线处
D: 导带底部
答案: 【 禁带中线处】

12、单选题：
扩散系数的典型单位是‌‌‌
选项：
A: cm3/s
B: cm2/V-s
C: cm2/s