大学MOOC 电子技术(东南大学成贤学院)1462922176 最新慕课完整章节测试答案
模块一半导体器件
N型半导体和P型半导体随堂测验
1、填空题：
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成 。
答案: 【 杂质半导体】
2、填空题：
半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。
答案: 【 N P##%_YZPRLFH_%##P N##%_YZPRLFH_%##NP##%_YZPRLFH_%##PN##%_YZPRLFH_%##N，P##%_YZPRLFH_%##P，N##%_YZPRLFH_%##P、N##%_YZPRLFH_%##N、P】
3、填空题：
在 P 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 空穴 自由电子##%_YZPRLFH_%##空穴自由电子##%_YZPRLFH_%##空穴，自由电子##%_YZPRLFH_%##空穴、自由电子】
4、填空题：
在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子、空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子空穴】
5、填空题：
Ｎ型半导体主要靠 导电，Ｐ型半导体主要靠 导电。
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子、空穴】
PN结及其单向导电性随堂测验
1、填空题：
PN结具有 性能，即加正向电压时，PN结 ，加反向电压时，PN结 。
答案: 【 单向导电 导通 截止##%_YZPRLFH_%##单向导电导通截止##%_YZPRLFH_%##单向导电，导通，截止##%_YZPRLFH_%##单向导电、导通、截止】
2、填空题：
PN结的正向接法是P型区接电源的 极，N型区接电源的 极。
答案: 【 正负##%_YZPRLFH_%##正 负##%_YZPRLFH_%##正，负##%_YZPRLFH_%##正、负】
3、填空题：
PN 结加正向电压时，其正向电阻 ，正向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较小 较大 导通##%_YZPRLFH_%##较小较大导通##%_YZPRLFH_%##小 大 导通##%_YZPRLFH_%##小大导通##%_YZPRLFH_%##小，大，导通##%_YZPRLFH_%##小、大、导通##%_YZPRLFH_%##较小，较大，导通##%_YZPRLFH_%##较小、较大、导通】
4、填空题：
PN 结加反向电压时，其反向电阻 ，反向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较大 较小 截止##%_YZPRLFH_%##较大较小截止##%_YZPRLFH_%##较大，较小，截止##%_YZPRLFH_%##较大、较小、截止##%_YZPRLFH_%##很大 很小 截止##%_YZPRLFH_%##很大很小截止##%_YZPRLFH_%##很大，很小，截止##%_YZPRLFH_%##很大、很小、截止】
半导体二极管随堂测验
1、单选题：
二极管接在电路中，若测得a、b 两端电位如图所示，则二极管工作状态为（ ）。
选项：
A: 截止
B: 导通
C: 击穿
D: 不确定
答案: 【 导通】
2、单选题：
电路如图所示，二极管D为理想元件，US = 5V，则电压uO =（ ）。
选项：
A: 5V
B: US/2
C: 0V
D: 不确定
答案: 【 5V】
3、单选题：
电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4kW，电位uA=1V，uB=3V，则电位UF等于（ ）。
选项：
A: 1V
B: 3V
C: 12V
D: -3V
答案: 【 1V】
4、单选题：
电路如图所示，输入信号ui = 6sint V时，二极管D承受的最高反向电压为（ ）。
选项：
A: 6V
B: 3V
C: 9V
D: 0V
答案: 【 3V 】
5、单选题：
二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。
选项：
A: 击穿电压
B: 死区
C: 饱和
D: 0V
答案: 【 死区】
6、单选题：
若用万用表测量二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ）。
选项：
A: 正向电阻大，反向电阻小
B: 正、反向电阻相等
C: 反向电阻远大于正向电阻
D: 正、反向电阻都很大
答案: 【 反向电阻远大于正向电阻】
双极型晶体管随堂测验
1、单选题：
PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（ ）。
选项：
A: 可以调换使用
B: 不可以调换使用
C: PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D: 不确定
答案: 【 不可以调换使用】
2、单选题：
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
3、单选题：
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
选项：
A: 发射结反偏，集电结正偏
B: 发射结、集电结均反偏
C: 发射结、集电结均正偏
D: 发射结正偏，集电结反偏
答案: 【 发射结、集电结均正偏】
4、单选题：
电路如图所示，晶体管处于（ ）。
选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 不确定
答案: 【 饱和状态】
5、单选题：
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V，则2.7V 所对应的电极为（ ）。
选项：
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 不确定
答案: 【 基极】
场效晶体管随堂测验
1、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 N沟道增强型】
2、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 P沟道耗尽型】
3、判断题：
与晶体三极管相同，场效应晶体管也是电流控制元件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题：
绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS >UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
场效应晶体管只依靠电子或空穴一种载流子的运动而工作，因此又称场效应晶体管为单极性晶体管。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
本征半导体随堂测验
1、单选题：
半导体中的载流子为（ ）。
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子和空穴
答案: 【 电子和空穴】
2、单选题：
当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面说法正确的是（ ）。
选项：
A: 空穴个数增加，自由电子个数基本不变
B: 空穴和自由电子的个数都增加，且数量相等
C: 自由电子个数增加，空穴个数基本不变
D: 空穴和自由电子的个数均保持不变
答案: 【 空穴和自由电子的个数都增加，且数量相等】
3、填空题：
半导体的导电能力介乎于 和 之间。
答案: 【 导体 绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体 导体##%_YZPRLFH_%##导体， 绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体，导体##%_YZPRLFH_%##导体绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体导体##%_YZPRLFH_%##导体、 绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体、导体】
4、填空题：
共价键中的两个电子，被称为 。
答案: 【 价电子】
5、填空题：
当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的 电流；另一部分是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 电流。
答案: 【