大学MOOC 模拟电子电路（重修）(东南大学成贤学院)1450286215 最新慕课完整章节测试答案
第二章集成运算放大器的基本应用
同相比例放大器及反相比例放大器
1、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
微分器
1、判断题：
微分器可实现信号的90度移相 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
电压——电流变换器及电流——电压变换器（A）
1、判断题：
电压---电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
相减器（A）
1、单选题：
选项：
A: 反相比例放大器
B: 反相相加器
C: 相减器
D: 同相比例放大器
答案: 【 相减器】
2、判断题：
要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
相减器（B）
1、判断题：
相减器也可实现信号直流电平的移位
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
相加器
1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。 （ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 （ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
积分器
1、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
积分器可实现信号的-90度移相 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
集成运算放大器应用基础：符号、模型 、传输特性
1、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
集成运算放大器的基本应用-测验
1、单选题：
欲要消除共模干扰，应选用：
选项：
A: 比例放大器
B: 相加器
C: 相减器
D: 积分器
答案: 【 相减器】
2、单选题：
要实现运放基本运算电路，可：
选项：
A: 开环工作
B: 必引入负反馈
C: 必引入正反馈
D: 只能加电阻反馈
答案: 【 必引入负反馈】
3、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题：
反相比例放大器放大倍数绝对值可大于1, 也可等于1, 也可小于1。 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第四章常用半导体器件原理、特性及参数
MOS场效应管的工作原理和特性参数
1、单选题：
有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
选项：
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 【 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】
P--N结
1、判断题：
P--N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
P--N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体物理基础
1、判断题：
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
双极型三极管和场效应管的低频小信号模型
1、判断题：
降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管工作原理
1、判断题：
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例
1、判断题：
测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,
且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,
U3对应的是基极b。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管特性曲线
1、判断题：
晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
各类场效应管对比，双极型三极管与场效应管对比
1、单选题：
选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D: P沟道耗尽型MOSFET
答案: 【 N沟道增强型MOSFET】
常用半导体器件原理、特性及参数
1、单选题：
双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
选项：
A: e结正偏, c结正偏
B: e结反偏, c结正偏
C: e结正偏, c结反偏
D: e结反偏, c结反偏
答案: 【 e结正偏, c结反偏】
2、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以
及各管脚为
选项：
A: 锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B: 锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D: 硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 【 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c】
3、判断题：
N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管