大学MOOC VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）(东南大学)1001752359 最新慕课完整章节测试答案
第一章 概论
第一章测试
1、单选题：
摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
选项：
A: 计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B: 功耗密度持续提高、散热无法解决
C: 互连延时降低，互连能耗减小
D: 工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 【 互连延时降低，互连能耗减小】
2、单选题：
到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
选项：
A: 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B: 在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C: 在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D: 不知道
答案: 【 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】
3、多选题：
你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
选项：
A: 速度
B: 功耗
C: 可靠性
D: 面积
答案: 【 速度;
功耗;
面积】
4、判断题：
摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题：
集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第二章 MOS晶体管原理
第二章单元测试2
1、单选题：
MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的____效应产生的。
选项：
A: 体
B: 衬底偏置
C: 沟道长度调制
D: 亚阈值导通
答案: 【 沟道长度调制】
2、单选题：
MOS管一旦出现_____现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A: 夹断
B: 反型
C: 导电
D: 耗尽
答案: 【 夹断】
3、单选题：
以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
选项：
A: ①②③④⑤⑥
B: ①②③④⑤
C: ①③④⑤⑥
D: ①②③⑤⑥
答案: 【 ①②③④⑤⑥】
4、单选题：
当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压
选项：
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 以上均不对
答案: 【 升高】
5、单选题：
随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压
选项：
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 以上均不对
答案: 【 降低】
6、单选题：
我们希望栅源电压