2025知到答案 集成电路专业与行业认知（中山大学） 完整智慧树网课章节测试答案
第一章 单元测试
1、单选题：
哪项技术的出现标志着电子器件从真空管时代进入了半导体时代？（ ）
选项：
A:二极管
B:点接触晶体管
C:光刻技术
D:平面晶体管
答案: 【点接触晶体管】
2、单选题：
沟道长度L缩小时，MOSFET的工作频率f的变化规律是：（ ）
选项：
A:与L³成正比
B:与L成正比
C:与L成反比
D:与L²成反比
答案: 【与L²成反比】
3、单选题：
对于相同沟道长度的MOSFET，下列哪种结构具有最强栅控能力？（ ）
选项：
A:FinFET
B:双栅结构
C:平面结构
D:GAAFET
答案: 【GAAFET】
4、多选题：
缩小器件尺寸对器件性能的提升体现在：（ ）
选项：
A:开关频率提升
B:电源电压提升
C:响应速度提升
D:数据吞吐率提高
答案: 【开关频率提升;
响应速度提升;
数据吞吐率提高】
5、多选题：
微纳加工中的典型工艺步骤包括：（ ）
选项：
A:光刻
B:薄膜沉积
C:抛光与清洗
D:刻蚀
答案: 【光刻;
薄膜沉积;
抛光与清洗;
刻蚀】
6、判断题：
在BJT处于放大工作点时，基极电流的变化会线性地引起集电极电流的相应变化。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
7、单选题：
FZ法最大的特点是：（ ）
选项：
A:耗能低
B:大直径易实现
C:污染少
D:生长速度快
答案: 【污染少】
8、单选题：
在VG理论中，V表示？（ ）
选项：
A:固–液界面平整度
B:固–液界面温度梯度
C:晶体的生长速度
D:晶体的提拉速率
答案: 【晶体的提拉速率】
9、单选题：
第四代超宽禁带材料典型代表不包括：（ ）
选项：
A:Ga₂O₃
B:Diamond
C:SiC
D:AlN
答案: 【SiC】
10、多选题：
CZ法生长单晶硅棒的关键工艺参数包括？（ ）
选项：
A:熔融温度
B:籽晶转速
C:掺杂气体流量
D:提拉速度
答案: 【熔融温度;
籽晶转速;
掺杂气体流量;
提拉速度】
11、多选题：
第三代半导体材料适用于哪些领域？（ ）
选项：
A:新能源汽车
B:光伏储能
C:航空航天
D:微控制器
答案: 【新能源汽车;
光伏储能;
航空航天】
12、判断题：
单晶硅生长中籽晶取向决定晶体晶向。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
13、单选题：
光刻工艺中“前烘”的主要目的是：（ ）
选项：
A:提升光刻胶光反应灵敏度
B:除去光刻胶中的溶剂，增强附着力
C:改变光刻胶折射率
D:固化光刻胶结构
答案: 【除去光刻胶中的溶剂，增强附着力】
14、单选题：
下列哪项不是提升光刻分辨率的直接技术手段？（ ）
选项：
A:降低曝光剂浓度
B:减小工艺因子k
C:缩短波长
D:增加NA
答案: 【降低曝光剂浓度】
15、单选题：
在浸没式光刻中，相比传统干式系统，分辨率提升的物理本质是：（ ）
选项：
A:增加光传播路径
B:增大曝光能量
C:增加光线入射角所形成的数值孔径
D:使用紫外光替代可见光
答案: 【增加光线入射角所形成的数值孔径】
16、多选题：
负性光刻胶的典型行为包括：（ ）
选项：
A:未曝光区域溶解于显影液
B:适用于高纵深比图形
C:曝光区域发生交联反应
D:曝光区域发生分解反应
答案: 【未曝光区域溶解于显影液;
适用于高纵深比图形;
曝光区域发生交联反应】
17、多选题：
EUV光刻工艺中面临的技术挑战包括：（ ）
选项：
A:掩模缺陷难以控制
B:光源功率不足
C:光刻胶易被高能光损伤
D:曝光环境必须充满氮气
答案: 【掩模缺陷难以控制;
光源功率不足;
光刻胶易被高能光损伤】
18、判断题：
光刻流程中的“后烘”是为了稳定图案结构，增强耐刻蚀性。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
19、单选题：
CD-SEM中采用的电子束能量一般低于多少keV以减少对样品的损伤？（ ）
选项：
A:0.1
B:10
C:5
D:1
答案: 【1】
20、单选题：
薄膜厚度测量中，椭偏法通过分析什么来计算厚度？（ ）
选项：
A:掩膜图形
B:电子迁移率
C:光强和相位变化
D:薄膜的硬度
答案: 【光强和相位变化】
21、单选题：
套刻精度测量中，DBO技术主要基于哪一物理机制？（ ）
选项：
A:光衍射
B:电子束散射
C:热扩散
D:光吸收
答案: 【光衍射】
22、多选题：
CD-SEM 实现三维重构的手段有？ （ ）
选项：
A:高分辨率图像锐化与边缘提取
B:多角度电子束入射
C:TEM 辅助测量
D:Monte Carlo 模拟
答案: 【多角度电子束入射;
TEM 辅助测量;
Monte Carlo 模拟】
23、多选题：
EUV光刻对掩膜版的特殊要求有？（ ）
选项：
A:高度洁净无颗粒
B:极高图形完整性
C:具备良好的光学透明性
D:高分辨率图案一致性
答案: 【高度洁净无颗粒;
极高图形完整性;
高分辨率图案一致性】
24、判断题：
NIR检测可以补充SEM在微小缺陷检测上的不足。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
25、单选题：
下列哪种晶体管在1nm工艺节点上有望使用？（ ）
选项：
A:CFET
B:Planar MOS
C:FinFET
D:GAAFET
答案: 【CFET】
26、单选题：
下面哪项不属于More than Moore的典型体现？（ ）
选项：
A:生物电子融合
B:MEMS
C:片上多核处理器
D:光电芯片
答案: 【片上多核处理器】
27、单选题：
忆阻器最显著的优势是：（ ）
选项：
A:非易失性存储特性
B:高频工作能力
C:低成本制造
D:复杂的多端结构
答案: 【非易失性存储特性】
28、多选题：
以下哪些属于先进封装中用于实现芯片堆叠的技术？（ ）
选项：
A:Interposer
B:TSV
C:Fan-In
D:SoIC
答案: 【Interposer;
TSV;
SoIC】
29、多选题：
石墨烯晶体管的主要挑战包括：（ ）
选项：
A:开关比不足
B:制备复杂
C:高带隙
D:零带隙
答案: 【开关比不足;
制备复杂;
零带隙】
30、判断题：
隧穿场效应晶体管依赖漂移机制形成电流。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
第二章 单元测试
1、单选题：
集成电路产业链的中游环节是（ ）。
选项：
A:晶圆制造加工
B:封装测试
C:设备研发
D:芯片设计
答案: 【晶圆制造加工】
2、单选题：
中国集成电路产业的现状中，下列哪一项描述正确？（ ）。
选项：
A:2023 年中国芯片进口同比增长 16.9%
B:华为海思 2024 年位列全球半导体企业前三
C:集成电路连续十余年为我国第一大进口商品
D:中国是全球芯片出口最多的国家
答案: 【集成电路连续十余年为我国第一大进口商品】
3、多选题：
集成电路制造工艺包括（ ）。
选项：
A:扩散
B:蒸铝
C:光刻
D:氧化
答案: 【扩散;
蒸铝;
光刻;
氧化】
4、判断题：
模拟芯片是半导体市场中占比最大的类别。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
5、判断题：
世界上第一款 Si 基集成电路由 TI 公司于 1958 年研发成功。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
6、判断题：
CCD 图像传感器在 1970-1990 年代是图像传感器市场的主导。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
7、判断题：
前照式（FSI）结构的 CMOS 图像传感器由于金属布线层阻挡光线，感光度较低。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
8、单选题：
CMOS 图像传感器（CIS）的基本架构不包括以下哪个组件？（ ）
选项：
A:微透镜
B:有源像素传感器（APS）
C:光学倍增管（PMT）
D:彩色滤光片（CF）
答案: 【光学倍增管（PMT）】
9、多选题：
以下哪些属于 CMOS 图像传感器产业链的中游环节？（ ）
选项：
A:晶圆代工厂
B:封装厂
C:测试厂
D:CMOS 芯片设计厂商
答案: 【晶圆代工厂;
CMOS 芯片设计厂商】
10、多选题：
以下关于背照式（BSI）结构的 CMOS 图像传感器的说法正确的是（ ）
选项：
A:工艺简单，成本低
B:光线得以直接进入光电二极管
C:感光度和量子效率更高
D:金属区转移到光电二极管（PD）的背面
答案: 【光线得以直接进入光电二极管;
感光度和量子效率更高;
金属区转移到光电二极管（PD）的背面】
11、多选题：
以下哪些是并行比较型（Flash）ADC的特点？（ ）
选项：
A:速度极快
B:适用于低速应用
C:需要多个比较器，功耗高
D:分辨率受限
答案: 【速度极快;
需要多个比较器，功耗高;
分辨率受限】
12、判断题：
亚历克·哈利·里夫斯发明的世界上第一个“纯电子”的ADC转换器的采样率为6千次/秒，分辨率为5位。。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
13、判断题：
Flash ADC适用于低速应用，因为它需要多个比较器。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
14、单选题：
哪种ADC架构适用于高速应用，如高速通信和雷达系统？（ ）
选项：
A:SAR ADC
B:Σ-Δ ADC
C:Pipeline ADC
D:Flash ADC
答案: 【Flash ADC】
15、多选题：
Σ-Δ型ADC的哪些特点使其适合高精度、低频信号采集？（ ）
选项：
A:适合高速信号采集
B:分辨率可达16位到32位
C:需要数字滤波和复杂的数字信号处理
D:对噪声和干扰信号具有一定的抑制作用
答案: 【分辨率可达16位到32位;
需要数字滤波和复杂的数字信号处理;
对噪声和干扰信号具有一定的抑制作用】
16、单选题：
世界上首款处理器芯片是（ ）。
选项：
A:NVIDIA GeForce 256
B:Intel 4004
C:Apple M1
D:AMD Ryzen
答案: 【Intel 4004】
17、多选题：
ARM 架构的特点包括（ ）。
选项：
A:精简指令集（RISC）
B:低功耗
C:主要用于移动设备
D:复杂指令集（CISC）
答案: 【精简指令集（RISC）;
低功耗;
主要用于移动设备】
18、多选题：
FPGA 的应用领域包括（ ）。
选项：
A:芯片设计验证
B:高频交易硬件加速
C:大规模数据中心
D:嵌入式系统
答案: 【芯片设计验证;
高频交易硬件加速;
嵌入式系统】
19、判断题：
GPU 的核心数通常比 CPU 少，但单核性能更强。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
20、判断题：
FPGA 的逻辑功能通过硬件电路焊接实现，无法通过软件重新配置。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
21、单选题：
闪存（Flash）的发明基于哪种晶体管？（ ）
选项：
A:MOS 晶体管
B:浮栅晶体管
C:BJT 晶体管
D:结型晶体管
答案: 【浮栅晶体管】
22、单选题：
DRAM 需要定期刷新的原因是（ ）。
选项：
A:晶体管容易损坏
B:电容电荷会漏电
C:电压不稳定
D:数据易被篡改
答案: 【电容电荷会漏电】
23、多选题：
以下关于存储芯片的描述正确的有（ ）。
选项：
A:DRAM 需要周期性刷新
B:3D NAND 通过堆叠提升容量
C:SRAM 成本低于 DRAM
D:NOR Flash 适合存储固件
答案: 【DRAM 需要周期性刷新;
3D NAND 通过堆叠提升容量;
NOR Flash 适合存储固件】
24、多选题：
以下属于非易失性存储器的有（ ）。
选项：
A:Flash
B:ROM
C:DRAM
D:SRAM
答案: 【Flash;
ROM】
25、判断题：
DRAM比 SRAM集成度更高。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
26、单选题：
以下哪个是描述NMOS和PMOS晶体管都处于“慢速”特性的典型工艺角缩写？（ ）
选项：
A:FS
B:TT
C:FF
D:SS
答案: 【SS】
27、单选题：
集成电路设计中进行蒙特卡洛仿真的主要目的是什么？（ ）
选项：
A:优化电路在典型工艺条件下的瞬态响应速度
B:精确计算电路在特定工艺角和温度下的绝对性能指标（如增益、带宽）
C:评估制造工艺参数随机波动对电路性能参数（如增益偏移、建立时间、功耗）统计分布的影响，进而预测良率
D:分析电路的直流工作点稳定性
答案: 【评估制造工艺参数随机波动对电路性能参数（如增益偏移、建立时间、功耗）统计分布的影响，进而预测良率】
28、多选题：
进行工艺角仿真的主要目的是什么？（ ）。
选项：
A:验证芯片在不同封装类型下的散热性能
B:精确预测芯片在量产时的绝对性能数值
C:评估芯片的良率，识别对工艺波动敏感的设计部分
D:优化芯片在典型工艺条件下的功耗
E:确保芯片在最恶劣的工艺偏差组合下仍能满足设计规格（如时序、功能）
答案: 【评估芯片的良率，识别对工艺波动敏感的设计部分;
确保芯片在最恶劣的工艺偏差组合下仍能满足设计规格（如时序、功能）】
29、判断题：
熔丝修调（Fuse Trimming）是一种非破坏性的修调方法，修调后可以恢复原状态。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
30、判断题：
LVS验证通过意味着芯片的时序和功耗性能一定符合设计要求。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
31、单选题：
以下哪项是逻辑综合工具（如Design Compiler）的直接输出？（ ）
选项：
A:晶体管级网表
B:门级网表
C:行为级RTL代码
D:版图文件
答案: 【门级网表】
32、单选题：
以下哪种工具常用于执行RTL与门级网表的一致性检查？（ ）
选项：
A:ANSYS HFSS
B:Cadence Virtuoso
C:Mentor Graphics ModelSim
D:Synopsys Formality
答案: 【Synopsys Formality】
33、多选题：
关于Verilog HDL的缺点，以下哪些说法正确？（ ）。
选项：
A:缺乏强类型检查，易隐藏设计错误
B:标准化较晚，早期版本功能有限
C:不能与C/C++代码交互
D:无法实现时序逻辑设计
E:不支持直接描述模拟电路行为
答案: 【缺乏强类型检查，易隐藏设计错误;
标准化较晚，早期版本功能有限;
不支持直接描述模拟电路行为】
34、判断题：
在Verilog仿真中，#10 表示延迟10个时钟周期。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
35、判断题：
在综合阶段，可以通过设置指令让综合工具优先优化时序，忽略面积约束。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】