第一章 单元测试

1、多选题:
集成电路产业包括三大组成部分,分别是( )
选项:
A:集成电路测试
B:集成电路设计
C:集成电路制造
D:集成电路封装
答案: 【集成电路设计;
集成电路制造;
集成电路封装

2、单选题:
衡量集成电路制造工艺先进水平的最主要指标是( )
选项:
A:集成度
B:材料
C:成本
D:线宽
答案: 【线宽

3、多选题:
集成电路制造产业的两大技术路线是( )
选项:
A:多样化定制化
B:高产出
C:等比例缩小
D:高性能化
答案: 【多样化定制化;
等比例缩小

4、单选题:
1946年美国宾州大学制造的第一台计算机所采用的开关器件是( )
选项:
A:场效应晶体管
B:双极型晶体管
C:真空电子管
D:继电器
答案: 【场效应晶体管

5、多选题:
产业界采用的晶体管结构类型包括( )
选项:
A:FIN型晶体管
B:平面型晶体管
C:环栅型晶体管
D:叉指型晶体管
答案: 【FIN型晶体管;
平面型晶体管;
环栅型晶体管

第二章 单元测试

1、单选题:
提高光学光刻分辨率的方法包括( )
选项:
A:减小工艺因子,增加波长,增加数值孔径
B:增加工艺因子,增加波长,减小数值孔径
C:增加工艺因子,减小波长,减小数值孔径
D:减小工艺因子,减小波长,增加数值孔径
答案: 【减小工艺因子,减小波长,增加数值孔径

2、单选题:
浸没式光刻工艺的采用液体填充透镜与硅片之间的空间,从而提高分辨率,其主要是改变了哪一个参数( )
选项:
A:数值孔径
B:工艺因子
C:光波长
D:光的衍射
答案: 【数值孔径

3、单选题:
决定电子束光刻分辨率的最关键因素是( )
选项:
A:电压
B:电子波长
C:束斑直径
D:电流
答案: 【束斑直径

4、单选题:
X射线光刻工艺最大的优点是( )
选项:
A:曝光面积大
B:设备成本低
C:分辨率高
D:穿透深度大
答案: 【穿透深度大

5、多选题:
下列光刻方式中,哪种方式需要掩膜的是 ( )
选项:
A:X射线光刻
B:步进扫描投影式光学光刻
C:电子束光刻
D:极深紫外光刻
答案: 【步进扫描投影式光学光刻;
电子束光刻;
极深紫外光刻

6、多选题:
影响电子束光刻分辨率的主要因素包括( )
选项:
A:机械像差
B:掩模精度
C:电子像差
D:临近效应
E:色差
F:数值孔径
答案: 【机械像差;
电子像差;
临近效应;
色差

7、多选题:
极深紫外光刻(EUV)技术中,由于极深紫外光波长极短,导致光学系统必须重新设计,与普通紫外光刻技术相比,以下哪些是极深紫外光刻机特有的技术( )
选项:
A:反射型掩模
B:准分子激光光源
C:移相掩模
D:真空腔体
E:反射镜光学聚焦系统
答案: 【反射型掩模;
真空腔体;
反射镜光学聚焦系统

8、多选题:
极深紫外光刻是现阶段分辨率最高的光刻技术,该技术在原有深紫外光刻技术上进一步开发而成。请问以下技术能否沿用至极深紫外光刻机上?( )
选项:
A:浸没式光刻技术
B:步进扫描曝光技术
C:移相掩膜技术
D:高数值孔径透镜组
答案: 【步进扫描曝光技术;
移相掩膜技术

9、判断题:
邻近效应存在于电子束光刻和X射线光刻。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、判断题:
影响光刻分辨率的三大因素是:波长、数值孔径和焦深。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

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