大学MOOC 数字集成电路设计（研究生用）(深圳大学)1452469174 最新慕课完整章节测试答案

第二章测试

1、单选题：
‏下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‎以下哪个条件是线性区的条件​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、判断题：
‌MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
​MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第二章下测试

1、单选题：
​重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内‎
选项：
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
答案: 【 栅极电压】

2、单选题：
‏下列哪个选项不属于设计与工艺接口‎
选项：
A: 工艺抽象
B: 电学设计规
C: 几何设计规则
D: 工艺检查与监控
答案: 【 工艺抽象】

3、判断题：
‎几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：

‌下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】