大学MOOC 模拟电子电路与技术基础(西安电子科技大学)1001960018 最新慕课完整章节测试答案

同相比例放大器及反相比例放大器

1、判断题：

‌

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：

‏

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

微分器

1、判断题：
​微分器可实现信号的90度移相 (  )​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

电压——电流变换器及电流——电压变换器A

1、判断题：
‍电压---电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比    (  ) ‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

相减器A

1、单选题：

‎

‌选项：
A: 反相比例放大器
B: 反相相加器
C: 相减器
D: 同相比例放大器
答案: 【 相减器】

2、判断题：
‌要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端  (  )‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

相减器B

1、判断题：
‏相减器也可实现信号直流电平的移位‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

相加器

1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。  （ ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‌欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器   （ ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

积分器

1、判断题：
‎积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波   (  ) ‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎积分器可实现信号的-90度移相 (  )‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

集成运算放大器应用基础符号、模型、传输特性

1、判断题：

​

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

‎

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

集成运算放大器的基本应用

1、单选题：
‎欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：​‎​
选项：
A: 比例放大器
B: 相加器
C: 微分器
D: 积分器
答案: 【 相加器】

2、单选题：
‌欲要消除共模干扰，应选用：‏
选项：
A: 比例放大器
B: 相加器
C: 相减器
D: 积分器
答案: 【 相减器】

3、单选题：
‍要实现运放基本运算电路，可：‏
选项：
A: 开环工作
B: 必引入负反馈
C: 必引入正反馈
D: 只能加电阻反馈
答案: 【 必引入负反馈】

4、单选题：

‏

‎

‏

‎选项：
A: -4
B: +2
C: -1
D: -2
答案: 【 -2】

5、单选题：
‌电路如图1所示，则该电路的输入电阻Rif等于  (  )‌‌‌
选项：
A: 5k
B: 10k
C: 20k
D: 10k+10k//20k
答案: 【 10k】

6、单选题：

‏

‌

‏

‌选项：
A: 3
B: 5
C: 4
D: 2
答案: 【 5】

7、单选题：
‍电路如图2所示，则该电路的输入电阻Rif等于  (  ) ​‍​
选项：
A: 10k
B: 无穷大
C: 10k+10k//10k
D: 10k+10k//10k//20k
答案: 【 无穷大】

8、单选题：

‎电路如图4所示，则该电路的输出电压为        (  )

‍

‎

‍选项：
A: +4V
B: -5V
C: +1V
D: -1V
答案: 【 -1V】

9、单选题：

‌电路如图5所示，则该电路的输出电压为  (  )

‏

‌

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

10、单选题：

‎电路如图6所示，则该电路的输出电压为  (  )

‌

‎

‌选项：
A: -9V
B: -6V
C: +3V
D: +10V
答案: 【 +3V】

11、单选题：

​

‌选项：
A: 反相比例放大器
B: 微分器
C: 相减器
D: 反相积分器
答案: 【 反相积分器】

12、判断题：

‎

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
​理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立     (  ) ‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：

‏

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
‍反相比例放大器放大倍数绝对值可大于1, 也可等于1, 也可小于1。  (  ) ‌‍‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、判断题：
‏同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 (  )‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：

‍

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

18、判断题：
‎积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能         (  )‎‎‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
​积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大，输出三角波幅度越小     (  )‎​‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
​将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压       (  ) ‌​‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
​微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波   (  ) ‍​‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‎微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声            (  )‌‎‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

23、判断题：
‏电压---电流变换器的负载电流IL与输入电压成正比, 与负载电阻RL大小无关     (  ) ‍‏‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

24、判断题：

‍图1和图2的输出电阻Ro均为零      (  )  

‍

‍

‍

‍

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

25、判断题：

‍电路如图3所示，则该电路的输出电压为-12V    (  ) 

‍

‍

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

RC有源滤波器

1、单选题：
‍要从方波中滤出三次谐波分量应采用    (  )​‍​
选项：
A: 低通滤波器
B: 高通滤波器
C: 带通滤波器
D: 带阻滤波器
答案: 【 带通滤波器】

2、单选题：

‏电路如图1所示，该电路是  (  )

‏

‏

‏选项：
A: 二阶低通滤波器
B: 一阶高通滤波器
C: 一阶全通滤波器
D: 一阶低通滤波器
答案: 【 一阶低通滤波器】

3、单选题：
‌电路如图1所示，该电路的截止频率为  (  )​‌​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

4、单选题：

‍电路如图3所示，该电路是    (  )

‌

‍

‌选项：
A: 二阶MFB(多路反馈)高通滤波器
B: 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶MFB(多路反馈)带阻滤波器
答案: 【 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器】

5、单选题：

‎电路如图4所示，该电路是    (  )

‎

‎

‎选项：
A: 二阶Sallen-- key高通滤波器
B: 二阶Sallen-- key低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶Sallen-- key全通滤波器
答案: 【 二阶Sallen-- key带通滤波器】

6、单选题：

‎电路如图5所示，该电路的通带增益k和Q值分别为    (  ) 

‏

‎

‏选项：
A: K=1  Q=0.5
B: K=1  Q=1
C: K=1  Q=2
D: K=2  Q=2
答案: 【 K=1  Q=0.5】

7、单选题：

​

‏

​

‏选项：
A: 将C2与R3位置对调
B: 将C2与R1位置对调
C: 将C2与R2位置对调
D: 将C1与R3位置对调
答案: 【 将C2与R2位置对调】

8、单选题：

​电路如图7所示, 其中 R1C1 > R2C2则该电路是   (  )

‌

​

‌选项：
A: 二阶高通滤波器
B: 二阶低通滤波器
C: 二阶带通滤波器
D: 二阶全通滤波器
答案: 【 二阶带通滤波器】

9、单选题：

‏有源滤波器电路如图9所示，则该电路是何种功能的滤波器？(  )

‏

‏

‏选项：
A: 一阶高通滤波器
B: 一阶低通滤波器
C: 一阶带通滤波器
D: 一阶全通滤波器
答案: 【 一阶全通滤波器】

10、判断题：
1.滤波器“阶数”由传递函数分母的根数决定、它与电路中独立储能元件(电容‏‏      和电感)的数目有关  (  )‏‏‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
‌通带内有起伏, 过渡带较窄的是切比雪夫滤波器   (  ) ‎‌‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

有源RC滤波器实现1.A——一阶有源滤波器

1、单选题：

‎电路如图1所示，该电路的通带增益为 (  )

‍

‎

‍

‎

‍选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

有源RC滤波器实现1.B——二阶Sallen-Key滤波器

1、单选题：
‍要从方波中滤出基波分量应采用    (  )‎‍‎
选项：
A: 低通滤波器
B: 高通滤波器
C: 带通滤波器
D: 带阻滤波器
答案: 【 低通滤波器】

2、单选题：

‎电路如图2所示，该电路是  (  ) 

​

‎

​选项：
A: 二阶Sallen-- key高通滤波器
B: 二阶Sallen-- key低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶Sallen-- key全通滤波器
答案: 【 二阶Sallen-- key低通滤波器】

3、单选题：

‏电路如图2所示，该电路的通带增益为   (  )

‌

‏

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

4、单选题：

‎电路如图5所示，该电路是    (  )

‎

‎

‎选项：
A: 二阶MFB(多路反馈)高通滤波器
B: 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶Sallen-- key低通滤波器
答案: 【 二阶Sallen-- key低通滤波器】

5、判断题：

‍

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‌对有源滤波器来说, 品质因素Q值越大越好   (  )‍‌‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

有源RC滤波器实现——二阶MFB滤波器

1、单选题：

​有源滤波器电路如图10所示，则该电路是何种功能的滤波器？(  )

‏

​

‏选项：
A: 二阶Sallen--key高通滤波器
B: 二阶Sallen--key带通滤波器
C: 二阶MFB带通滤波器
D: 二阶MFB带阻滤波器
答案: 【 二阶MFB带通滤波器】

有源RC滤波器实现——带阻、全通、多功能状态变量滤波器

1、单选题：

‌有源滤波器电路如图8所示，则该电路属于何种功能的滤波器？(  ) 

‌

‌

‌选项：
A: 二阶高通滤波器
B: 二阶低通滤波器
C: 二阶带通滤波器
D: 二阶带阻滤波器
答案: 【 二阶带阻滤波器】

有源RC滤波器概念

1、判断题：
‎滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形 (  ) ‍‎‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高 , 对吗?    (  )‎‏‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‏具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器   (  )‍‏‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‌过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器   (  )​‌​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

MOS场效应管的工作原理和特性参数

1、单选题：
‍有关场效应管，以下说法错误的是（　）‎‍‎
选项：
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 【 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】

P--N结

1、判断题：
‎P--N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎P--N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。‍‎‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

半导体物理基础

1、判断题：
​N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。‏​‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
​载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。‍​‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

双极型三极管和场效应管的低频小信号模型

1、判断题：
‍降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‍rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为  厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。‏‍‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管工作原理

1、判断题：
‍晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

‎

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例

1、判断题：

测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,

‏

且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,

‏

‎U3对应的是基极b。

‏

‎

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管特性曲线

1、判断题：
‌晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。‏‌‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的‏‎控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比

1、单选题：

​

‌选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D:   P沟道耗尽型MOSFET
答案: 【 N沟道增强型MOSFET】

常用半导体器件原理、特性及参数

1、单选题：
‏N 型半导体是在本征半导体内掺入‏
选项：
A: 三价元素, 如硼等
B: 四价元素, 如锗等
C: 五价元素, 如磷等 
D: 二价元素
答案: 【 五价元素, 如磷等 】

2、单选题：
‍双极型晶体三极管工作在放大区的条件是‌
选项：
A: e结正偏, c结正偏
B: e结反偏, c结正偏
C: e结正偏, c结反偏
D: e结反偏, c结反偏
答案: 【 e结正偏, c结反偏】

3、单选题：

测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以

‌

‎及各管脚为

‌

‎

‌选项：
A: 锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B: 锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D: 硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 【 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c】

4、单选题：

‏测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为

‎

‏

‎选项：
A:

NPN管

B: PNP管
C: PNP管
D: NPN管
答案: 【 

NPN管

】

5、单选题：

‎某管特性曲线如下图所示, 则该为

‏

‎

‏选项：
A: P沟道增强型MOS场效应管
B: N沟道结型场效应管
C: N沟道耗尽型MOS场效应管
D: N沟道增强型MOS场效应管
答案: 【 N沟道增强型MOS场效应管】

6、判断题：
​N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍漂移电流与电场强度成正比‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‏扩散电流与载流子浓度梯度成正比‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：

​二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管

‌

​

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‍本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等​
选项：
A: 正确
B: 错误