大学MOOC 模拟电子技术（重修班）(天津大学)1205803807 最新慕课完整章节测试答案
第1章半导体二极管及其应用
第1章半导体二极管及其应用
1、单选题：
影响半导体器件温度稳定性的是（ ）。
选项：
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质正离子
D: 杂质负离子
答案: 【 少数载流子】
2、单选题：
对PN结的空间电荷区错误称谓是（ ）。
选项：
A: 势垒层
B: 阻挡层
C: 外电场
D: 耗尽区
答案: 【 外电场】
3、单选题：
扩散运动是由（ ）定向运动形成的。
选项：
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质正离子
D: 杂质负离子
答案: 【 多数载流子】
4、单选题：
漂移运动是由（ ）定向运动形成的。
选项：
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质正离子
D: 杂质负离子
答案: 【 少数载流子】
5、单选题：
N型半导体中主要的载流子是（ ）。
选项：
A: 杂质正离子
B: 自由电子
C: 空穴
D: 施主杂质
答案: 【 自由电子】
6、单选题：
P型半导体中的杂质离子是（ ）。
选项：
A: 杂质正离子
B: 杂质负离子
C: 空穴
D: 施主杂质
答案: 【 杂质负离子】
7、单选题：
PN结中空间正电荷区比空间负电荷区宽，说明N型半导体的掺杂浓度（ ）P型半导体的掺杂浓度。
选项：
A: 一样
B: 大于
C: 小于
D: 不确定
答案: 【 小于】
8、单选题：
PN结的反向饱和电流与下列哪些载流子有关（ ）。
选项：
A: 少数载流子
B: 多数载流子
C: 少数载流子和多数载流子
D: 以上都不对
答案: 【 少数载流子】
9、单选题：
二极管与固定阻值的电阻相比，最大的区别是（ ）。
选项：
A: 线性器件
B: 非线性器件
C: 阻值小
D: 阻值大
答案: 【 非线性器件】
10、单选题：
二极管的最高工作频率就是指其单向导电性明显退化时的交流信号的频率，这是由于二极管的以下哪个特性影响（ ）。
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容效应
D: 温度特性
答案: 【 电容效应 】
11、单选题：
已知二极管的伏安特性曲线，当二极管正向导通时，能否判断二极管的直流电阻和交流电阻阻值的情况（ ）。
选项：
A: 直流电阻大于交流电阻
B: 直流电阻小于交流电阻
C: 直流电阻等于交流电阻
D: 不能确定
答案: 【 直流电阻大于交流电阻】
12、单选题：
一个二极管通过电阻接5V的直流电源，测得流过二极管的电流为1mA，如果电源电压提高到10V，则流过二极管的电流将（ ），设二极管是理想的。
选项：
A: 小于2mA
B: 等于2mA
C: 大于2mA
D: 不变
答案: 【 等于2mA】
13、单选题：
二极管整流电路利用了半导体二极管的（ ）。
选项：
A: 伏安特性
B: 温度特性
C: 单向导电性
D: 反向击穿特性
答案: 【 单向导电性】
14、单选题：
若测得某稳压二极管的反向电流小于稳压管的最小工作电流，则该稳压管处于（ ）。
选项：
A: 正向导通区
B: 反向截止区
C: 反向击穿区
D: 放大区
答案: 【 反向截止区】
15、单选题：
稳压管工作在稳压区时，其工作状态为（ ）。
选项：
A: PN结正向导通时
B: PN结反向截止但没有击穿时
C: PN结反向击穿时
D: 不能确定
答案: 【 PN结反向击穿时 】
16、单选题：
若测得某稳压管工作时，反向工作电流大于稳压管的最大工作电流，则该稳压管处于（ ）。
选项：
A: 导通
B: 截止
C: 反向击穿
D: 烧毁
答案: 【 烧毁】
17、单选题：
如图图题1.1所示，二极管正向导通压降UD=0.7V。此时对二极管正确的描述是（ ）。
图题1.1
选项：
A: 理想模型
B: 恒压降模型
C: 折线模型
D: 交流小信号模型
答案: 【 恒压降模型】
18、单选题：
如图题1.2所示，设二极管正向导通压降UD=0.7V。二极管中电流是（ ）。
图题1.2
选项：
A: 二极管正向导通电流2.75mA，方向由上指向下
B: 二极管正向导通电流6.55mA，方向由上指向下
C: 二极管正向导通电流2.75mA，方向由下指向上
D: 二极管正向导通电流6.55mA，方向由下指向上
答案: 【 二极管正向导通电流2.75mA，方向由上指向下】
19、单选题：
二极管电路如图题1.3所示，已知输入电压
，二极管的正向压降和反向电流均可忽略不计。对二极管截止时的正确描述是（ ）。
图题1.3
选项：
A: 
时，
B: 时，
C: 
时，
D: 时，
答案: 【 时，】
20、单选题：
二极管电路如图题1.4所示，已知输入电压，二极管的正向压降和反向电流均可忽略不计。二极管导通时正确描述是（ ）。
图题1.4
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
21、单选题：
电路如图题1.5所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并确定Uo两端电压。设二极管是理想的。正确的描述是（ ）。
图题1.5
选项：
A: 二极管导通，
B: 二极管截止，
C: 二极管导通，
D: 二极管截止，
答案: 【 二极管截止，】
22、单选题：
电路如图题1.6所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并确定
两端电压。设二极管是理想的。正确的描述是（ ）。
图题1.6
选项：
A: 
、
均导通，
B: 、均导通，
C: 导通、截止，
D: 截止、导通，
答案: 【 截止、导通，】
23、单选题：
判断图题1.7所示电路中的二极管是导通还是截止，设二极管是理想的。正确的描述是（ ）。
图题1.7
选项：
A: A点电压1V，B点电压1V，二极管D截止
B: A点电压1V，B点电压1.5V，二极管D截止
C: A点电压1V，B点电压2.5V，二极管D截止
D: A点电压1V，B点电压0.5V，二极管D导通
答案: 【 A点电压1V，B点电压1.5V，二极管D截止】
24、单选题：
在图题1.8所示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压
，最小稳压电流
，额定功率
，二极管D的正向压降
。限流电阻R的最大值为（ ）。
图题1.8
选项：
A: 100
B: 200
C: 300
D: 400
答案: 【 200】
25、单选题：
图题1.9所示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压
，最小稳压电流，额定功率
，二极管D的正向压降。限流电阻R的最小值为（ ）。
图题1.9
选项：
A: 50
B: 100
C: 150
D: 200
答案: 【 100】
26、单选题：
图题1.10所示，已知稳压管
的参数为
，
，
。试判断图中稳压电路能否正常稳压（ ）。
图题1.10
选项：
A: 不能稳压，因为限流电阻
的阻值过小
B: 不能稳压，因为限流电阻的阻值过大
C: 能稳压，因为限流电阻的阻值满足要求
D: 能稳压，因为对限流电阻的阻值没有要求
答案: 【 不能稳压，因为限流电阻的阻值过大】
27、单选题：
图题1.11所示，已知稳压管的参数为
，，。试判断图中稳压电路能否正常稳压（ ）。
图题1.11
选项：
A: 不能稳压，因为限流电阻的阻值过小
B: 不能稳压，因为限流电阻的阻值过大
C: 能稳压，因为限流电阻的阻值满足要求
D: 能稳压，因为对限流电阻的阻值没有要求
答案: 【 能稳压，因为限流电阻的阻值满足要求】
28、单选题：
在图题1.12中，已知
，稳压管的正向导通压降。输入电压为正半周时，下面说法正确的是（ ）。
图题 1.12
选项：
A: 
工作在稳压状态，
工作在正向导通，
B: 工作在稳压状态，工作在正向导通，
C: 工作在正向导通，工作在稳压状态，
D: 工作在正向导通，工作在稳压状态，
答案: 【 工作在稳压状态，工作在正向导通，】
29、单选题：
在图题1.13中，已知，稳压管的正向导通压降。输入电压为负半周时，下面说法正确的是（ ）。
图题1.13
选项：
A: 工作在稳压状态，工作在正向导通，
B: 工作在稳压状态，工作在正向导通，
C: 工作在正向导通，工作在稳压状态，
D: 工作在正向导通，工作在稳压状态，
答案: 【 工作在正向导通，工作在稳压状态，】
30、单选题：
在图题1.14所示的电路中，发光二极管导通电压
，正向电流在5~10mA时才能正常工作，当电阻R取值为500时，判断二极管能否发光（ ）。
图题1.14
选项：
A: 开关S闭合，电阻R的阻值取值过大，不能发光
B: 开关S闭合，电阻R的阻值取值过小，不能发光
C: 开关S闭合，电阻R的阻值适合，能发光
D: 开关S断开不发光，闭合，就能发光
答案: 【 开关S闭合，电阻R的阻值适合，能发光】
31、单选题：
PN结外加正向电压时，正确的说法是（ ）。
选项：
A: N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动
B: N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动
C: P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动
D: P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动
答案: 【 P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动】
32、单选题：
PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（ ）。
选项：
A: 虽然PN结外加正向电压，PN结的电流也可能为零
B: PN结的门坎电压就是正向导通电压
C: PN结的正向导通电流的方向是由P区指向N区
D: PN结的正向导通电流是P区的空穴与N区的电子的电流之和
答案: 【 PN结的门坎电压就是正向导通电压】
33、单选题：
半导体二极管是利用半导体材料的哪个特性制成的（ ）。
选项：
A: 热敏特性
B: 光敏特性
C: 掺杂特性
D: 以上所有特性
答案: 【 掺杂特性】
34、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
35、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
36、单选题：
PN结外加反向电压时，下面正确的说法是（ ）。
选项：
A: N区的电子与P区的空穴都靠近空间电荷区，使空间电荷区变宽
B: N区的空穴与P区的电子都远离空间电荷区，使空间电荷区变宽
C: N区的电子与P区的空穴形成的电流，称为反向电流
D: N区的空穴与P区的电子形成的电流，称为反向电流
答案: 【 N区的空穴与P区的电子形成的电流，称为反向电流】
37、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
38、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
39、单选题：
二极管的理想模型和恒压降模型，更接近它的实际伏安特性曲线的是（ ）。
选项：
A: 理想模型
B: 恒压降模型
C: 一样
D: 不确定
答案: 【 恒压降模型】
40、单选题：
关于PN结正偏时的正确说法是（ ）。
选项：
A: P端接正极，N端接负极
B: P端接负极，N端接正极
C: P端和N端均接正极
D: P端和N端均接负极
答案: 【 P端接正极，N端接负极】
41、单选题：
理想二极管的反向截止时电阻为（ ）。
选项：
A: 无穷大
B: 约几千欧姆
C: 约几十欧姆
D: 零
答案: 【 无穷大】
42、单选题：
理想二极管的正向导通时电阻为（ ）。
选项：
A: 无穷大
B: 约几千欧姆
C: 约几十欧姆
D: 零
答案: 【 零】
43、单选题：
下面正确的说法为（ ）。
选项：
A: 在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
B: 由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
C: PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D: 因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
答案: 【 在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体】
44、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
45、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
46、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
47、单选题：
二极管不具有以下哪个特性（ ）。
选项：
A: 击穿特性
B: 线性特性
C: 电容效应
D: 温度特性
答案: 【 线性特性】
48、单选题：
下面错误的说法是（ ）。
选项：
A: 一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容
B: 硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流
C: 硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
D: 二极管具有单向导电性，因此希望反向电流越小越好
答案: 【 硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压】
49、单选题：
下面错误的说法是（ ）。
选项：
A: 激发和复合是两个相反的物理过程
B: 杂质半导体中有两种不同的激发形式，即本征激发和掺杂激发，其中掺杂激发是主要的激发形式
C: 杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
D: N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的
答案: 【 杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中】
50、单选题：
下面错误的说法是（ ）。
选项：
A: 二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应
B: 二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应
C: 二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应
D: 二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
答案: 【 二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应】
51、单选题：
下面正确的说法是（ ）。
选项：
A: 二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结
B: 二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结
C: 二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿
D: 二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
答案: 【 二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿】
52、单选题：
下面正确的说法是（ ）。
选项：
A: 二极管的交流电阻是一个固定不变的常数
B: 二极管的直流电阻是一个固定不变的常数
C: 二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小
D: 二极管的静态电流越大，它的交流电阻越大
答案: 【 二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小】
53、单选题：
下面正确的说法是（ ）。
选项：
A: PN结正向导通时具有负的温度系数
B: PN结反向截止时具有负的温度系数
C: PN结反向击穿时具有负的温度系数
D: PN结具有温度敏感性的原因是由于多子参与导电
答案: 【 PN结正向导通时具有负的温度系数】
54、单选题：
PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（ ）。
选项：
A: N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄
B: P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄
C: N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布
D: P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
答案: 【 N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布】
第2章双极型晶体管及其放大电路
第2章双极型晶体管及其放大电路
1、单选题：
测得某放大电路的三极管各极电压如图题2.1所示。试判断是（ ）。
图题2.1
选项：
A: NPN型硅管
B: PNP型硅管
C: NPN型锗管
D: PNP型锗管
答案: 【 NPN型硅管】
2、单选题：
测得某放大电路的三极管各极电压如图题2.2所示。试判断是（ ）。
图题2.2
选项：
A: NPN型硅管
B: PNP型硅管
C: NPN型锗管
D: PNP型锗管
答案: 【 PNP型锗管】
3、单选题：
如图题2.3为一固定偏置放大电路（a）的输出特性曲线如（b），设UBE=0.6V。在图（b）中，错误的描述是（ ）。
（a）
（b）
图题2.3
选项：
A: ①为交流负载线，②为直流负载线
B: ①为直流负载线，②为交流负载线
C: 从输出特性曲线可知，最大不失真输出电压小于1.5V。
D: 从输出特性曲线可知，输出波形会首先出现截止失真。
答案: 【 ①为直流负载线，②为交流负载线】
4、单选题：
如图题2.4为一固定偏置放大电路（a）的输出特性曲线如（b），设UBE=0.6V。直流电压UCC的值为（ ）。
(a)
(b)
图题2.4
选项：
A: 12V
B: 15V
C: 4.5V
D: 6V
答案: 【 6V】
5、单选题：
选项：
A: 27Ω
B: 270Ω
C: 27KΩ
D: 270KΩ
答案: 【 270KΩ】
6、单选题：
选项：
A: -100
B: -50
C: 100
D: 50
答案: 【 50】
7、单选题：
选项：
A: 2kΩ
B: 3kΩ
C: 20KΩ
D: 30KΩ
答案: 【 3kΩ 】
8、单选题：
选项：
A: 截止失真
B: 饱和失真
C: 线性失真
D: 以上都不对
答案: 【 饱和失真】
9、单选题：
选项：
A: 10μA
B: 20μA
C: 1mA
D: 5mA
答案: 【 20μA】
10、单选题：
选项：
A: 10μA
B: 20μA
C: 1mA
D: 5mA
答案: 【 1mA 】
11、单选题：
选项：
A: 6V
B: 8V
C: 10V
D: 12V
答案: 【 6V】
12、单选题：
选项：
A: 为直流电压0.7V，左正右负
B: 为直流电压0.7V，右正左负
C: 为交流电压0.7V，左正右负
D: 为交流电压0.7V，右正左负
答案: 【 为直流电压0.7V，右正左负】
13、单选题：
选项：
A: 为交流电压6V，左正右负
B: 为交流电压6V，右正左负
C: 为直流电压6V，左正右负
D: 为直流电压6V，右正左负
答案: 【 为直流电压6V，左正右负】
14、单选题：
选项：
A: 饱和区
B: 放大区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 【 放大区】
15、单选题：
选项：
A: 两个电路都能稳定静态工作点。
B: 图（a）能稳定静态工作点，图（b）不能。
C: 图（a）不能稳定静态工作点，图（b）能。
D: 图（a）和图（b）都不能稳定静态工作点。
答案: 【 图（a）能稳定静态工作点，图（b）不能。】
16、单选题：
选项：
A: 环境温度变化时，基极电压是恒定值，射极电压也是恒定值。
B: 将射极旁路电容开路处理，会影响静态工作点。
C: 集电极电阻Rc和负载电阻RL中既有直流电流又有交流电流。
D: 射极旁路电容为电解电容，其极性为上正下负。
答案: 【 射极旁路电容为电解电容，其极