大学MOOC 模拟电子技术E(太原理工大学现代科技学院)1450464217 最新慕课完整章节测试答案

第1章半导体二极管及其应用自测题

1、单选题：
‍本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        ‍
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无关
答案: 【 等于】

2、单选题：
‌在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于               。‎
选项：
A: 材料
B: 温度
C: 压力
D:  掺杂浓度
答案: 【  掺杂浓度】

3、单选题：
‍在掺杂半导体中，少子的浓度受           的影响很大。‍
选项：
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 压力
答案: 【 温度】

4、单选题：
‏在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度              。‏
选项：
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 越低】

5、单选题：
‍N型半导体               。​
选项：
A: 就是空穴型半导体
B: 带正电
C: 带负电
D: 呈电中性
答案: 【 呈电中性】

6、单选题：
‎环境温度升高，二极管的反向饱和电流             ‌
选项：
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将增大】

7、单选题：
‍确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。‎
选项：
A: UD ，IF 
B: IF ，IS 
C: UD，UR
D: IF，UR
答案: 【 IF，UR】

8、单选题：
‏对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压          。‎
选项：
A: 将升高
B: 将降低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将升高】

9、单选题：
‏硅二极管的死区电压约为          。‍
选项：
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 【 0.5V】

10、单选题：
‏二极管的伏安特性表示式为            。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）

1、单选题：
‍晶体管能够放大的外部条件是             。‍
选项：
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

2、单选题：
‏当晶体管工作于饱和状态时，其             。‌
选项：
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结正偏】

3、单选题：
​硅晶体管的死区电压约为             。‌
选项：
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D:  0.5V
答案: 【  0.5V】

4、单选题：
‍锗晶体管的导通压降|UBE|约为             。‎‍‎
选项：
A: 0.1V
B: 0.3V
C: 0.5V
D: 0.7V
答案: 【 0.3V】

5、单选题：
​测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为        。‌
选项：
A: 40
B: 50
C: 60
D: 100
答案: 【 60】

6、单选题：
‏温度升高，晶体管的电流放大系数b          。​
选项：
A: 无法判断
B: 不变
C: 减小
D: 增大
答案: 【 增大】

7、单选题：
​温度升高，晶体管的管压降|UBE|          。​
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小】

8、单选题：
​温度升高，晶体管输入特性曲线         。‎
选项：
A: 右移
B: 左移
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 左移】

9、单选题：
​温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔        。‌
选项：
A: 不变
B: 减小
C: 增大
D: 无法判断
答案: 【 增大】

10、单选题：
‍测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为      。​
选项：
A: NPN型锗管
B: NPN型硅管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: 【 PNP型锗管】

11、单选题：
‎测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管      。​
选项：
A: 处于饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 已损坏
答案: 【 已损坏】

12、单选题：
​对于电压放大器来说，         越大，电路的放大能力越强。‏
选项：
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 信号源内阻
答案: 【 输入电阻】

13、单选题：
‎对于电压放大器来说，         越小，电路带负载的能力越强。‎
选项：
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 输入电压
答案: 【 输出电阻】

14、单选题：
‌在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是      失真。‎
选项：
A: 幅度
B: 相位
C: 截止
D: 饱和
答案: 【 饱和】

15、单选题：

‏一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压的幅度时，输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应        。

‎

‏

‎选项：
A: 减小
B: 增大
C: 减小
D: 减小
答案: 【 减小】

16、单选题：
‎引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。‎
选项：
A: （a）晶体管的电流放大系数太大
B: (b)  电源电压太高
C: (c)  电压放大倍数太高  
D: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案: 【 （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化】

17、单选题：
‎在放大电路中，直流负反馈可以________。‏
选项：
A: (a) 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
B: (b) 提高放大电路的放大倍数
C: (c) 提高放大电路的输入电阻
D: （d）稳定电路的静态工作点
答案: 【 （d）稳定电路的静态工作点】

18、单选题：
‎某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为       。  ‍
选项：
A: (a)  0.5kW     
B: （b）1kW 
C:        (c)  2kW   
D:  (d)  2.5kW  
答案: 【 （b）1kW 】

19、单选题：

‍已知图示放大电路中的W，W，,晶体管的，。那么，该晶体管处于何种状态？         。

‍

‍

‍选项：
A: (a) 放大状态 
B: （b）饱和状态
C: (c) 截止状态
D: (d) 无法判断
答案: 【 （b）饱和状态】

20、单选题：

​在上题中，若晶体管的。该晶体管处于何种状态？_______。

‍选项：
A: （a）放大状态
B: (b) 饱和状态 
C:  (c) 截止状态
D: (d) 无法判断 
答案: 【 （a）放大状态】

21、单选题：

‍在21题中，若晶体管的， 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现何种失真？_______。

‏选项：
A: (a) 饱和 
B: (b) 截止 
C: (c)  饱和与截止
D:  (d) 无法判断
答案: 【 (a) 饱和 】

第二章频率响应自测题

1、单选题：
​要求能放大变化非常缓慢的信号，应选用     耦合方式。‌
选项：
A: 阻容耦合
B: 变压器耦合
C: 直接耦合
D: 都可以
答案: 【 直接耦合】

2、单选题：
‏一个三级放大电路，测得第一级的电压放大倍数为1，第二级的电压放大倍数为100，第三级的电压放大倍数为10，则总的电压放大倍数为     。‏
选项：
A: 111
B: 110
C: 1000
D: 100
答案: 【 1000】

3、单选题：
‎一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为       。‍
选项：
A: 0dB
B: 60dB
C: 80dB
D: 800dB
答案: 【 60dB】

4、单选题：
​放大电路的电压放大倍数为80dB，相当于把输入信号放大了     倍。‏
选项：
A: 80
B: 100
C: 10000
D: 1000
答案: 【 10000】

5、单选题：

‌某放大电路电压放大倍数，则中频源电压放大倍数为     。

​选项：
A: -10
B: 10
C: -100
D: 100
答案: 【 -100】

6、单选题：

‌对于单管共射放大电路，当时，与相位关系是

​选项：
A: +
B:
C:
D:
答案: 【 】

7、单选题：

‎对于单管共射放大电路，当时，与