大学MOOC 模拟电子技术基础(武汉理工大学)1002830001 最新慕课完整章节测试答案

放大电路性能指标随堂小测验

1、单选题：
​研究放大电路的电压放大能力时，宜采用（    ）模型。​
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【 电压放大】

2、单选题：
​以下关于电流放大电路性能正确的说法是（   ）。‏
选项：
A: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】

3、多选题：
‌以下各项指标参数中，（        ）是放大电路本身的性能指标。‍
选项：
A: 放大电路的增益
B: 放大电路的负载电阻
C: 放大电路的频带宽度
D: 放大电路的非线性失真
答案: 【 放大电路的增益;
放大电路的频带宽度;
放大电路的非线性失真】

4、判断题：
‎互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、填空题：
‏互导放大模型中的增益代表放大电路的（    ）路输出电流与输入电压的比。‏
答案: 【 短】

6、填空题：
​互阻放大模型中的增益代表放大电路的（    ）路输出电压与输入电流的比。‍
答案: 【 开##%_YZPRLFH_%##断】

放大电路的基本模型随堂测验

1、单选题：
‍放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（            ）。‎
选项：
A: 受电压控制电流源
B: 受电压控制电压源
C: 受电流控制电压源
D: 受电流控制电流源
答案: 【 受电流控制电压源】

2、单选题：
‏我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时， 宜选用（            ）模型进行等效分析。‌
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大模型
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【 互导放大】

3、多选题：
‍放大电路的基本模型包括以下要素：‍
选项：
A: 放大电路的输入与输出电阻
B: 放大电路的负载
C: 放大电路的输入信号
D: 放大电路的增益
答案: 【 放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】

4、判断题：
‍电压放大电路也可以有电流放大能力。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‌放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、填空题：
‍放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（            ），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。‏
答案: 【 电阻】

绪论单元测试

1、单选题：
‌放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（            ）。‏
选项：
A: 受电压控制电流源
B: 受电流控制电压源
C: 受电压控制电压源
D: 受电流控制电流源
答案: 【 受电流控制电压源】

2、单选题：
‍我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时， 宜选用（            ）模型进行等效分析。‌
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【 互导放大】

3、单选题：
‍以下关于电流放大电路性能正确的说法是（   ）。​
选项：
A: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】

4、多选题：
‍以下各项指标参数中，（        ）是放大电路本身的性能指标。‍
选项：
A: 放大电路的增益
B: 放大电路的负载电阻
C: 放大电路的频带宽度
D: 放大电路的非线性失真
答案: 【 放大电路的增益;
放大电路的频带宽度;
放大电路的非线性失真】

5、多选题：
‌放大电路的基本模型包括以下要素：‎‌‎
选项：
A: 放大电路的输入与输出电阻
B: 放大电路的负载
C: 放大电路的输入信号
D: 放大电路的增益
答案: 【 放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】

6、判断题：
‍互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​电压放大电路也可以有电流放大能力。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‎放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、填空题：
‌互阻放大模型中的增益代表放大电路的（    ）路输出电压与输入电流的比。‏
答案: 【 开##%_YZPRLFH_%##断】

10、填空题：
‎放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（            ），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。‍
答案: 【 电阻】

2.3半导体二极管随堂测验

1、单选题：
‍PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（         ）。‌
选项：
A: 其反向电流增大
B: 其反向电流减小
C: 其反向电流基本不变
D: 其正向电流相应增大
答案: 【 其反向电流基本不变】

2、单选题：
‏二极管加正向电压时，其正向电流是由（       ）。‎
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【 多数载流子扩散形成】

3、多选题：
‏以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。‎
选项：
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【 半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致】

4、多选题：
‌在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（        ）。‏
选项：
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 【 光电二极管;
稳压二极管;
变容二极管】

5、判断题：
​因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
‌有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、填空题：
​温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（  ）浓度受温度影响较大。‌
答案: 【 少子##%_YZPRLFH_%##少数载流子】

8、填空题：
‍二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。‍
答案: 【 40】

2.4二极管基本电路及其分析方法随堂测验

1、单选题：
​二极管整流电路利用的是二极管的（      ）特性。‍
选项：
A: 反向击穿特性
B: 电容效应
C: 单向导电性
D: 本征激发特性
答案: 【 单向导电性】

2、多选题：
​以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（         ）。‎
选项：
A: 小信号模型
B: 理想模型
C: 折线模型
D: 恒压降模型
答案: 【 理想模型;
折线模型;
恒压降模型】

3、多选题：
‌普通二极管可用于（         ）。‎
选项：
A: 整流
B: 限幅
C: 低电压稳压
D: 继电器续流
答案: 【 整流;
限幅;
低电压稳压;
继电器续流】

4、判断题：
​正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‌二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、填空题：
​对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（         ）原则。​
答案: 【 先静后动##%_YZPRLFH_%##先“静”后“动”】

7、填空题：
‍在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（      ）分析，‍
答案: 【 动态##%_YZPRLFH_%##交流】

2.5稳压二极管随堂测验

1、单选题：
‍稳压二极管是利用PN结的（      ）。‌
选项：
A: 反向截止特性
B: 单向导电特性
C: 反向击穿特性
D: 电容特性
答案: 【 反向击穿特性】

2、单选题：
​以下说法错误的是（    ）。​
选项：
A: 电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B: 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C: 齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D: 雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】

3、多选题：
‌以下（             ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。‎
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
答案: 【 最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压】

4、多选题：
‏有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，可得到（     ）几种稳压值。‌
选项：
A: 13V
B: 4.3V
C: 8.7V
D: 1.4V
答案: 【 13V;
8.7V;
1.4V】

5、多选题：
‏有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（     ）几种稳压值。‌
选项：
A: 5V
B: 0.7V
C: 8V
D: 8.7V
答案: 【 5V;
0.7V】

6、判断题：
​稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、填空题：
‎反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（         ）的比。​
答案: 【 变化量##%_YZPRLFH_%##变化##%_YZPRLFH_%##变化值】

PN结的形成与特性随堂测验

1、单选题：
​在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（       ）。​
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
答案: 【 使空间电荷区变厚】

2、多选题：
‍平衡的PN结又称为（          ）。‍
选项：
A: 空间电荷区
B: 势垒区
C: 耗尽层
D: 扩散漂移区
答案: 【 空间电荷区;
势垒区;
耗尽层】

3、多选题：
‍PN结的特性主要有（    ）。​
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
答案: 【 单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

4、判断题：
温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‍平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
​扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‌PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、填空题：
‍在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时，（        ）电容起主要作用。​
答案: 【 扩散】

9、填空题：
‏在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（        ）电容起主要作用。‎
答案: 【 势垒】

半导体基础知识随堂测验

1、单选题：
​具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（   ）。‎
选项：
A: 杂质半导体
B: 空穴型半导体
C: 本征半导体
D: N型半导体
答案: 【 本征半导体】

2、单选题：
‌为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（         ）。‍
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
答案: 【 掺入特定杂质元素】

3、多选题：
‎向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（          ）。​
选项：
A: 内部多数载流子类型为空穴
B: 因为多子为空穴，整体带正电
C: 整体呈电中性
D: 内部多数载流子类型为自由电子
答案: 【 内部多数载流子类型为空穴;
整体呈电中性】

4、多选题：
‌向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。‎
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
答案: 【 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致】

5、多选题：
‎在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（       ）又很大关系。​
选项：
A: 光照
B: 温度
C: 掺杂类型与浓度
D: 热辐射
答案: 【 光照;
温度;
热辐射】

6、判断题：
‎杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‏本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‍由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
​本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、填空题：
‍外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（        ）逆电场漂移运动。‍
答案: 【 束缚电子##%_YZPRLFH_%##价电子】

11、填空题：
‏在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（          ）。‏
答案: 【 掺杂浓度##%_YZPRLFH_%##掺杂度##%_YZPRLFH_%##掺入杂质的数量】

第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验

1、单选题：
​为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（         ）。‎
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
E: 加强外电场
F: 以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【 掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】

2、单选题：
​在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（       ）。‎
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
E: 使势垒变高
F: 只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G: 抑制扩散，促进漂移
答案: 【 使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散，促进漂移】

3、单选题：
‎二极管加正向电压时，其正向电流是由（       ）。‎
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【 多数载流子扩散形成】

4、单选题：
‏二极管整流电路利用的是二极管的（      ）特性。‌
选项：
A: 反向击穿特性
B: 电容效应
C: 单向导电性
D: 本征激发特性
E: 掺杂特性
F: 正向导通，反向截止的特性
G: 正向导通，反向击穿的特性
H: 开关特性
答案: 【 单向导电性;
正向导通，反向截止的特性;
开关特性】

5、单选题：
‌以下说法错误的是（    ）。‎‌‎
选项：
A: 电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B: 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C: 齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D: 雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】

6、多选题：
​向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。‏
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E: 在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F: 在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
答案: 【 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反;
在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子】

7、多选题：
‏PN结的特性主要有（    ）。‌
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
E: 本征激发特性
F: 掺杂特性
答案: 【 单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

8、多选题：
​以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。​
选项：
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【 半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V】

9、多选题：
‌以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（         ）。‍
选项：
A: 小信号模型
B: 理想模型
C: 折线模型
D: 恒压降模型
E: 电压放大模型
F: 电流放大模型
G: 互阻放大模型
H: 互导放大模型
答案: 【 理想模型;
折线模型;
恒压降模型】

10、多选题：
‎以下（             ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。​
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
E: 最小反向工作电流
F: 反向击穿时的动态电阻
G: 正向开启电压
答案: 【 最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压;
最小反向工作电流;
反向击穿时的动态电阻】

11、判断题：
​本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‍扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
‍因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‌二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
‎稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、填空题：
​外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（        ）逆电场漂移运动。‌​‌
答案: 【 束缚电子##%_YZPRLFH_%##价电子】

17、填空题：
‎在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（        ）电容起主要作用。‎‎‎
答案: 【 势垒】

18、填空题：
‍二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。‏
答案: 【 40】

19、填空题：
‏对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（         ）原则。‏‏‏
答案: 【 先静后动##%_YZPRLFH_%##先“静”后“动”】

20、填空题：
‍反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（         ）的比。‌
答案: 【 变化量##%_YZPRLFH_%##变化】

3.10&11多级放大电路

1、单选题：
‎第k级的输入电阻相当于第（      ）级的负载。​
选项：
A: k-1
B: k
C: k+1
D: 爱谁谁
答案: 【 k-1】

2、单选题：
‏第k级的输出电阻相当于第（     ）级的信号源内阻。‏
选项：
A: k-1
B: k
C: k+1
D: 无所谓
答案: 【 k+1】

3、单选题：
​只有（        ）才能适用于集成电路。‏
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 光电耦合方式
答案: 【 直接耦合方式】

4、单选题：
‌下列说法中正确的是‏
选项：
A: 只需要计算第一级的输入电阻，其他各级的输入电阻不必计算。
B: 只需要计算最后一级的输出电阻，其他各级的输出电阻不必计算。
C: 所有级的输入电阻和输出电阻都必须计算。
D: 所有级的输入电阻和输出电阻都不必计算。
答案: 【 所有级的输入电阻和输出电阻都必须计算。】

5、单选题：
‏在传递信号的同时还能进行阻抗变换的是‌
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 光电耦合方式
答案: 【 变压器耦合方式】

6、多选题：
‍多级放大电路的级间耦合方式有​
选项：
A: 阻容耦合方式
B: 直接耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 光电耦合方式
答案: 【 阻容耦合方式;
直接耦合方式;
变压器耦合方式;
光电耦合方式】

7、多选题：
‎下列耦合方式中，（         ）的各级静态工作点相对独立‍
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 三者都是
答案: 【 阻容耦合方式;
变压器耦合方式】

8、多选题：
‎下列关于多级放大电路的说法中错误的有‍
选项：
A: 电路的总电压增益是各级电压增益的累加
B: 电路的总电压增益是各级电压增益的累乘
C: 电路的总输入电阻是各级输入电阻的算术平均值
D: 电路的总输出电阻是各级输出电阻的算术平均值
答案: 【 电路的总电压增益是各级电压增益的累加;
电路的总输入电阻是各级输入电阻的算术平均值;
电路的总输出电阻是各级输出电阻的算术平均值】

9、判断题：
‍第5级的输入电阻相当于第6级的负载。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
‍第4级的输出电阻相当于第5级的信号源内阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
​改变多级放大电路的各级组成顺序不会影响整体的电压增益。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‎如果第一级是基本共射放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输入电阻不变。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‌如果最后一级不是基本共集电极放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输出电阻不变。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、判断题：
‎k+1级放大电路的总电压增益一定大于k级放大电路‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3.1BJT及其特性单元测验

1、单选题：
‎BJT的三个区，（       ）的掺杂浓度最低‎
选项：
A: 发射区
B: 基区
C: 集电区
D: 三者一样
答案: 【 基区】

2、单选题：
‏发射区与（    ）区是同种类型的半导体。​
选项：
A: 基区
B: 集电区
C: 三个区都一样
D: 发射区的类型和其他区都不一样
答案: 【 集电区】

3、单选题：
‎三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（     ）极的电流实际方向相同。‏
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 三个电流方向都相同
D: 发射极电流与其他电流方向都不同
答案: 【 发射极电流与其他电流方向都不同】

4、单选题：
​三个引脚电流中有效值最大的是（     ）‏
选项：
A: 基极电流
B: 集电极电流
C: 发射极电流
D: 三个电流一样大
答案: 【 发射极电流】

5、单选题：
‏BJT正常放大时，发射结一定是（      ）‌
选项：
A: 反偏
B: 正偏
C: NPN正偏，PNP反偏
D: PNP正偏，NPN反偏
答案: 【 正偏】

6、多选题：
‏BJT的输出特性曲线分三个区，它们是（     ）‌
选项：
A: 饱和区
B: 放大区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 【 饱和区;
放大区;
截止区】

7、多选题：
‌BJT正常放大时，其两个PN结（      ）‎
选项：
A: 发射结反偏
B: 发射结正偏
C: 集电结反偏
D: 集电结正偏
答案: 【 发射结正偏;
集电结反偏】

8、多选题：
‎下列说法中，错误的有（     ）‏
选项：
A: 发射区的掺杂浓度最高
B: 集电区的掺杂浓度最高
C: 发射区的体积最大
D: 集电区的类型与其他区不同
答案: 【 集电区的掺杂浓度最高;
发射区的体积最大;
集电区的类型与其他区不同】

3.2在线测量法单元测验

1、单选题：
‍​在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则1脚是（     ）‍‍
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 爱谁谁
答案: 【 集电极】

2、单选题：
‍在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则2脚是（     ）‌
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 管它呢
答案: 【 基极】

3、单选题：
‎在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则3脚是（     ）‎
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无所谓
答案: 【 发射极】

4、单选题：
​在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的材料是（     ）‏
选项：
A: 硅
B: 锗
C: PNP
D: NPN
答案: 【 锗】

5、单选题：
‏在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的类型是（     ）‍
选项：
A: 硅
B: 锗
C: PNP
D: NPN
答案: 【 NPN】

6、单选题：
‏‌在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则1脚是（     ）‏‏
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 爱谁谁
答案: 【 集电极】

7、单选题：
‍在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则2脚是（     ）‏
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 管它呢
答案: 【 发射极】

8、单选题：
‍在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则3脚是（     ）‏
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无所谓
答案: 【 基极】

9、单选题：
‏在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的类型是（     ）‏
选项：
A: NPN
B: PNP
C: 硅
D: 锗
答案: 【 PNP】

10、单选题：
‎在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的β约为（     ）‎
选项：
A: 300
B: 150
C: 100
D: 50
答案: 【 150】

3.3基本共发射极放大电路单元测验

1、单选题：
‍共射组态的结构特点是：‎
选项：
A: 基极输入，发射极输出
B: 基极输入，集电极输出
C: 发射极输入，集电极输出
D: 发射极输入，基极输出
答案: 【 基极输入，集电极输出】

2、单选题：
‌实验测得ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？‍
选项：
A: 减小Rb
B: 增大Rb
C: 减小Rc
D: 增大Rc
答案: 【 增大Rb】

3、单选题：
‏实验测得IBQ较大，需减小到某值，应调整：​
选项：
A: 减小Rb
B: 增大Rb
C: 减小Rc
D: 增大Rc
答案: 【 增大Rb】

4、多选题：
‌基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则​
选项：
A: IBQ不变
B: ICQ减小
C: ICQ增大
D: VCEQ减小
答案: 【 IBQ不变;
ICQ增大;
VCEQ减小】

5、多选题：
‍下列说法中正确的有：​
选项：
A: 改变负载的大小，不会改变静态工作点
B: 作直流通路时，Vcc应改为地
C: 作直流通路时，Vcc保持不变
D: 作交流通路时，Vcc应改为地
答案: 【 改变负载的大小，不会改变静态工作点;
作直流通路时，Vcc保持不变;
作交流通路时，Vcc应改为地】

6、多选题：
‎作交流通路时，应该：‍
选项：
A: 电容看作短路
B: 电容看作开路
C: Vcc保留
D: Vcc看作地
答案: 【 电容看作短路;
Vcc看作地】

7、判断题：
‌增大Rc，不能改