大学MOOC 模拟电子技术(中南大学)1206619835 最新慕课完整章节测试答案
第1章常用半导体器件
BJT的低频小信号模型
1、判断题：
BJT的低频小信号模型是直流模型。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
BJT的分析举例
1、单选题：
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、9V，则6.7V对应的管脚是（ ）
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 不确定
答案: 【 基极】
BJT的工作原理
1、单选题：
晶体管能够放大的外部条件是（ ）。
选项：
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结正偏，集电结反偏
C: 发射结反偏，集电结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
BJT的输入输出特性
1、填空题：
晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在（ ）区。
答案: 【 放大】
FET的主要参数与低频小信号模型
1、单选题：
反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ）。
选项：
A: 输入电阻
B: 跨导
C: 输出电阻
D: 击穿电压
答案: 【 跨导】
JFET的工作原理与特性曲线
1、单选题：
工作中JFET源极电流等于漏极电流，这一电流（ ）。
选项：
A: 穿过一个PN结
B: 穿过一对背向PN结
C: 不穿过任何PN结，但穿过导电沟道
D: 穿过一对反偏的 PN结
答案: 【 穿过一对反偏的 PN结 】
MOS管的结构与工作原理
1、多选题：
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
选项：
A: 增强型NMOS
B: 增强型PMOS
C: 耗尽型NMOS
D: 耗尽型PMOS
答案: 【 耗尽型NMOS;
耗尽型PMOS】
PN结的形成及其单向导电性
1、单选题：
当PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
选项：
A: 变窄
B: 变宽
C: 基本不变
D: 不确定
答案: 【 变窄】
二极管典型应用电路举例
1、单选题：
在下图中，二极管D1、D2的工作状态是（ ）。
选项：
A: D1、D2均导通
B: D1、D2均截止
C: D1导通，D2截止
D: D1、截止、D2导通
答案: 【 D1导通，D2截止】
半导体二极管的参数及模型
1、判断题：
当二极管外加正向电压增大时，其动态电阻增大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体二极管的结构类型与伏安特性
1、填空题：
二极管具有（ ）导电特性。
答案: 【 单向】
场效应管概述与场效应管的结构
1、判断题：
在FET内部，多子与少子都参与导电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
本征半导体与杂质半导体
1、单选题：
在本征半导体中加入三价元素可形成 型半导体。
选项：
A: N
B: P
C: 不确定
D: PN结
答案: 【 P】
稳压二极管的工作原理
1、单选题：
要使稳压管的稳压，其工作区为（ ）。
选项：
A: 死区
B: 正向导通区
C: 反向截止区
D: 反向击穿区
答案: 【 反向击穿区】
第1章常用半导体器件
1、单选题：
在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（ ）V
选项：
A: 0
B: -2
C: 6
D: 10
答案: 【 -2】
2、单选题：
2.在下图电路中，稳压管Dz1和Dz2的稳压值分别为6V和8V，其正向导通压降均为0.7V,则UO=（ ）V。
选项：
A: 6
B: 8
C: 0.7
D: 14
答案: 【 6】
3、单选题：
测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.04mA、2mA和2.04mA。则该管的β为（ ）。
选项：
A: 100
B: 51
C: 50
D: 1.02
答案: 【 50】
4、单选题：
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、9V，则这三个管脚分别是（ ）。
选项：
A: C、B、E
B: E、B、C
C: B、C、E
D: C、E、B
答案: 【 E、B、C】
5、单选题：
场效应管是利用外加电压产生的（ ）来控制漏极电流的大小的。
选项：
A: 电流
B: 电压
C: 电场
D: 电流、电压、电场
答案: 【 电场】
6、多选题：
选项：
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 b;
d】
7、多选题：
选项：
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 a;
d】
8、多选题：
选项：
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 a;
c】
9、多选题：
选项：
A: D11
B: D12
C: D21
D: D22
答案: 【 D11;
D22】
10、多选题：
下列关于普通二极管正确的说法有（ ）。
选项：
A: 具有单向导电性
B: 导通后压降几乎恒定，且与材料有关
C: 导通后压降几乎恒定，且与材料无关
D: 反向击穿后可以稳压
答案: 【 具有单向导电性;
导通后压降几乎恒定，且与材料有关】
11、判断题：
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题：
要使JFET的输入电阻高，必须通过外加电压保证栅-源之间的PN结反偏。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题：
正向导通电阻越小，反向导通电阻越大的二极管单向导电性越好。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
14、判断题：
由于N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
15、判断题：
在FET内部，多子与少子都参与导电。（ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
16、填空题：
某JFET的转移特性如下图所示，它的夹断电压UGS（off）=（ ）V。
答案: 【 -4】
17、填空题：
已知二极管的导通电压UD=0.7V。则电路的输出电压值Uo=（ ）V。
答案: 【 -4.3】
18、填空题：
答案: 【 电流】
19、填空题：
答案: 【 截止】
20、填空题：
晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在（ ）区。
答案: 【 放大】
第2章基本放大电路
共基极放大电路分析
1、填空题：
在共射、共集和共基3种基本放大电路组态中，（ ）组态放大电路，只能放大电压，但不能放大电流。
答案: 【 共基】
共集电极放大电路分析
1、填空题：
在共射、共集和共基3种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（ ）组态。
答案: 【 共集】
分压偏置共射放大电路的分析
1、填空题：
在分压偏置共射放大电路Q点的估算分析中，应该从晶体管的B、C、E的哪一点开始进行电压的估算？（ ）
答案: 【 B##%_YZPRLFH_%##b】
单时间常数RC电路的频率响应
1、填空题：
某放大电路的幅频特性如下图所示，则其上限截止频率为（ ）Hz。
答案: 【 100】
场效应管放大电路的动态分析
1、判断题：
共漏放大电路也称为源极跟随器，主要是因为其电压放大倍数近似等于1，且输出电压与输入电压同相位。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
场效应管的静态偏置与静态分析
1、单选题：
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。
选项：
A: 可变电阻区
B: 恒流区
C: 夹断区
D: 击穿区
答案: 【 恒流区】
基本共射放大电路的动态图解分析
1、填空题：
在某NPN管组成的放大电路中，当输入为正弦信号，其输出波形如下图所示。则电路产生了（ ）失真。
答案: 【 截止】
基本共射放大电路的动态等效电路分析
1、单选题：
在单级放大电路的中频段，若输入为正弦波形，用示波器观察共射放大电路电路的输入与输出波形时，则uo和ui相位（ ）。
选项：
A: 同相
B: 反相
C: 相差90°
D: 不确定
答案: 【 反相】
基本共射放大电路的静态分析
1、单选题：
在NPN管组成的基本共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，容易出现（ ）失真。
选项：
A: 非线性
B: 截止
C: 饱和
D: 交越
答案: 【 饱和】
多级放大电路分析举例
1、单选题：
.一个两级电压放大电路，工作时测得Au1＝-30，Au2＝-50，则总电压放大倍数Au为（ ）。
选项：
A: -80
B: +80
C: -1500
D: +1500
答案: 【 +1500】
多级放大电路的耦合方式与特点
1、判断题：
直接耦合多级放大电路只能放大直流信号。（ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
放大电路的主要性能指标
1、单选题：
交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的（ ）。
选项：
A: 频率
B: 相位
C: 幅度
D: 以上都是
答案: 【 幅度】
放大电路的组成与工作状态
1、填空题：
双极性三极管组成的放大电路有共射、（ ）和共基三种组态。
答案: 【 共集】
晶体管的混合π型
1、判断题：
晶体管的混合π型是晶体管的低频模型。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第2章基本放大电路
1、单选题：
在NPN管组成的基本共射放大电路中，如果静态工作点设置过低，容易出现（ ）失真。
选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 线性
D: 以上都是
答案: 【 截止】
2、单选题：
在低频小信号放大电路中，合适地设置静态工作点的目的是（ ）。
选项：
A: 增大交流输出电压幅值
B: 提高交流输入电阻
C: 不失真地放大低频小信号
D: 增强带负载能力
答案: 【 不失真地放大低频小信号】
3、单选题：
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ）。
选项：
A: 耦合电容和旁路电容的存在
B: 半导体管极间电容和分布电容的存在
C: 半导体管的非线性特性
D: 放大电路的静态工作点不合适
答案: 【 半导体管极间电容和分布电容的存在】
4、单选题：
在多级放大电路的阻容耦合、直接耦合与变压器三种耦合方式中，（ ）耦合