大学MOOC 模拟电子线路(南京邮电大学通达学院)1450185233 最新慕课完整章节测试答案

PN结与半导体二极管单元测试

1、单选题：
‎P型半导体中，少数载流子是：‏
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 带负电的杂质离子
D: 带正电的杂质离子
答案: 【 自由电子】

2、单选题：
‏在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：‍
选项：
A: 本征半导体
B: 五价半导体
C: P型半导体
D: N型半导体
答案: 【 N型半导体】

3、单选题：
‌稳压管是利用PN结的（   ）特性制作而成的。‍
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿性
C: 正向特性
D: 稳压特性
答案: 【 反向击穿性】

4、单选题：
​在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。‍​（A、温度，   B、掺杂工艺，  C、杂质浓度）‍​‍​‍
选项：
A: AB
B: BC
C: CA
D: CB
答案: 【 CA】

5、判断题：
‎如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‍由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‏PN结正偏时，势垒电容是主要的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
​当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第1单元随堂测试：半导体导电机理

1、单选题：
在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度？‌A、大于，   B、小于 ，  C、等于，  D、不确定‌‏‌
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

2、单选题：
试判断当温度升高时，关于本征半导体中载流子的变化的几种说法是否正确。​（1）自由电子个数增加，空穴个数基本不变；​（2）自由电子个数基本不变，空穴个数基本增加；​（1）自由电子和空穴的个数都增加，且它们增加的数量相等；​（1）自由电子和空穴的个数都基本不变。​‏​
选项：
A: （1）对（2）错（3）错（4）错
B: （1）错（2）对（3）错（4）错
C: （1）错（2）错（3）对（4）错
D: （1）错（2）错（3）错（4）对
答案: 【 （1）错（2）错（3）对（4）错】

3、单选题：
N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。‏A、带负电的电子，       B、带正电的离子，  ‏C、三价元素，如硼等 ，  D、五价元素，如磷等‏‌‏
选项：
A: AB
B: BC
C: CD
D: DC
答案: 【 DC】

4、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。‎A、温度，   B、掺杂工艺，  C、杂质浓度‎​‎
选项：
A: AB
B: AC
C: AD
D: CA
答案: 【 CA】

第2单元随堂测试：PN结及其特性

1、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    ；当PN结外加反向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    。‎A、大于，  B、小于，  C、等于，   D、变宽，  E、变窄，  F、不变‎‎‎
选项：
A: ABEF
B: ADCF
C: AEBD
D: AFCE
答案: 【 AEBD】

2、判断题：
‍PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第3单元随堂测试：二极管的伏安特性和主要参数

1、单选题：
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。​A、增大 ，        B、减小，     C、不变​‌​
选项：
A: AB
B: AC
C: BC
D: CA
答案: 【 AB】

2、单选题：

在如图所示的电路中，当V＝6V时，测得I＝2mA，。则当V降至3V时，则I将为____。

‌

‌

A、小于1mA ，    B、1mA，   C、大于1mA，但小于2mA ，   D、2mA

‌

‌选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

第5单元随堂测试：二极管基本电路

1、单选题：

设VD1、VD2的正向压降为0.3V，试分析在某种U1=3V、U2=0V组态下，VD1、VD2是导通还是截止，并求UO的值。

‍

‍

‍

‍

‍选项：
A: VD1导通，VD2导通，Uo=0.3V
B: VD1导通，VD2截止，Uo=0.3V
C: VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V
D: VD1截止，VD2截止，Uo=3.3V
答案: 【 VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V】

2、判断题：

已知电路和输入电压的波形如图所示：

​

​

设二极管特性为理想的，请问下图的输出电压波形正确吗？

​

​

‎

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第6单元随堂测试：稳压二极管

1、单选题：

已知电路中稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为6V和9V，求电压UO的值。

​

​

​

​选项：
A: （a）Uo=3V（b）Uo=3V
B: （a）Uo=3V（b）Uo=0V
C: （a）Uo=0V（b）Uo=3V
D: （a）Uo=0V（b）Uo=0V
答案: 【 （a）Uo=0V（b）Uo=3V】

场效应管及其放大电路（1）单元测试

1、单选题：
‎某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：​
选项：
A: N沟道结型管
B: P沟道结型管
C: 耗尽型PMOS管
D: 耗尽型NMOS管
E: 增强型PMOS管
F: 增强型NMOS管
答案: 【 耗尽型PMOS管】

2、单选题：

下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：

‌

‌

​

‌选项：
A: (b)
B: （a)
C: (c)
D: (d)
答案: 【 (c)】

3、单选题：

图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：

‎

‎

‌

‎选项：
A: 减小
B: 增大
C: 不变
D: 不定
答案: 【 减小】

4、单选题：

某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？

‎

‎

‎

‎选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道增强型MOS管
答案: 【 N沟道JFET】

5、单选题：

由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：

‎

‎

‎

‎选项：
A: 静态工作点过于靠近截止区
B: 静态工作点过于靠近饱和区
C: 静态工作点过于靠近恒流区
D: 静态工作点过于靠近击穿区
答案: 【 静态工作点过于靠近截止区】

6、单选题：

如图两个电路能否放大输入信号？

‏

‏

​

‏选项：
A: （a）不可以 （b）不可以
B: （a）可以 （b）可以
C: （a）可以 （b）不可以
D: （a）不可以 （b）可以
答案: 【 （a）不可以 （b）不可以】

7、单选题：
‏共源放大电路的输入电阻通常____（A、大于，   B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较____（A、大，   B、小，C、适中）。​‏​
选项：
A: AA
B: AB
C: AC
D: BA
E: BB
F: BC
G: CA
H: CB
I: CC
J: 均不正确
答案: 【 AB】

第1单元随堂测试：结型场效应管的工作原理

1、单选题：
​场效应管属于____（A、电压，   B、电流）控制型元件，栅极的____（A、电压，       B、电流）几乎等于零。‎​‎
选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AB】

2、判断题：

一个JFET的转移特性曲线如图所示，则它是N沟道JFET。

‏

‏

‎

‏选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第3单元随堂测试：场效应管的参数

1、判断题：

‍场效应管的跨导＝/

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第4单元随堂测试：场效应管放大电路基础

1、单选题：
‌某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为________________。‍‌A、90，       B、－35，       C、35 ，       D、30 ，      E、20‍‌‍
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 B】

2、单选题：
‏放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。‍‏A、直流电源所提供的电压、电流 ， ‍‏B、电压、电流中不随输入信号变化的部分， ‍‏C、电压、电流中随输入信号变化的部分 ， ‍‏D、正弦交流输入、输出信号‍‏‍
选项：
A: AB
B: BC
C: CD
D: DA
答案: 【 BC】

第5单元随堂测试：场效应管的直流偏置电路

1、单选题：

‏场效应管放大电路某常用的栅压偏置电路如图所示，说明该电路可用于哪些类型场效应管

​

‏A、结型，   B、增强型MOS，   C、耗尽型MOS，    D、前述全部三种类型的场效应管  

​

‏

​

‏

​选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

第1单元随堂测试：场效应管工作状态分析

1、单选题：

放大电路及晶体管输出特性如图所示。设晶体管的UBEQ＝0.7V，UCES=0.5V，电容容量足够大，对交流电路可视为短路。试用图解法确定静态时的ICQ和UCEQ。

‎

‎

‍

‎选项：
A: ICQ=0.5mAUCEQ=12.5V
B: ICQ=1mAUCEQ=10V
C: ICQ=1.5mAUCEQ=7.5V
D: ICQ=2mAUCEQ=5V
答案: 【 ICQ=2mAUCEQ=5V】

2、判断题：

‏试判断图示放大电路中的PMOS管是否能正常工作？

‎

‏

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第2单元随堂测试：结型场效应管放大电路动态分析-图解法

1、单选题：

在图示放大电路中，当输入一正弦电压后，输出电压顶部出现削平失真，说明管子进入了____（A、夹断区，  B、可变电阻区）为了减小失真程度应增大____。

‏

（A、，         B、）

‏

‏

​

‏

​

‏选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AA】

2、单选题：

在图示放大电路中，输入端加上幅度适中的正弦电压，输出电压波形无明显削平失真。如果发生开路，则输出电压幅度将____（A、增大，   B、减小）如果此时输出电压波形出现削平失真，则一定出现在____（A、顶部，   B、底部）

‌

‌

​

‌选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AB】

3、判断题：
‍放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第3单元随堂测试：场效应管的交流小信号模型

1、单选题：

可以粗略估计在图示电路中的输入电阻约为____。

‌

‌

A、1M，   B、100k，      C、3k，   D、100

‌

‌

​

‌选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

2、单选题：
​在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降（     ），输出电阻也减小（    ）。‏
选项：
A: 对对
B: 对错
C: 错对
D: 错错
答案: 【 错对】

3、单选题：

‎在共源组态和共漏组态两种放大电路中，_____的电压放大倍数比较大，_____的输出电阻比较小。____的输出电压与输入电压是同相的。（A、共源组态，   B、共漏组态）

​选项：
A: ABA
B: BAB
C: ABB
D: BAA
答案: 【 ABB】

4、判断题：
‎MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‍输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

双极型晶体管的主要参数随堂测验

1、判断题：
​晶体管的最大允许集电极电流ICM是指β下降到额定值2/3时的IC值。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管的伏安特性曲线随堂测验

1、判断题：
​共发射极组态中输出端口的电压为UCE。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‌在共发射极输出特性曲线的放大区，uCE对iC的控制作用很强。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‌共发射极输出特性曲线饱和区的特点是uCE很小。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‏在保持iB不变的条件下，温度每升高1℃，uBE大约下降2mV。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管的工作原理随堂测验

1、单选题：
‌NPN型晶体管处于放大状态时，三个电极电位应满足什么关系？‎
选项：
A: UC＞UB＞UE
B: UC <UB <UE
C: UB＞UE＞UC
D: UB <UE < UC
答案: 【 UC＞UB＞UE】

2、判断题：
‌NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：

‏共发射极电流放大系数的值通常为20~200。

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

晶体管放大电路的放大原理随堂测验

1、单选题：
‏UCEQ表示（  ）。‎
选项：
A: 直流分量；
B: 交流分量；
C: 交流分量的有效值；
D: 瞬时量；
答案: 【 直流分量；】

晶体管放大电路的静态工作点求解随堂测验

1、单选题：
‎晶体管的直流模型有（  ）种？‌
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

2、判断题：
‍直流负载线方程iC=f(uCE)由晶体管的内部特性决定。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

直流通路和交流通路随堂测验

1、判断题：
‎求解UCEQ时应利用交流通路。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

共射放大电路的分析随堂测验

1、判断题：
‌共射放大电路的电压放大倍数为负值，表示输出电压和输入电压的相位相反。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏有射极电阻的共射放大电路会使输入电阻变高。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

放大状态下的直流偏置电路随堂测验

1、判断题：
‎固定偏流电路的优点是电路结构简单、工作点稳定性好。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
‎分压式直流负反馈偏置电路的优点是工作点稳定性好。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

放大电路的交流图解分析随堂测验

1、判断题：
‌阻容耦合放大电路的交流负载线和直流负载线没有交点。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

放大电路的动态范围和非线性失真随堂测验

1、判断题：
‌对NPN管的共射放大器，Q点过低时输出电压会出现削顶现象（顶部限幅）。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

晶体管工作状态的判断随堂测验

1、判断题：
‏晶体管截止的条件是UBB≤UBE(on) ，且UBB＜UCC。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
​NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on)，且UCEQ>UBE(on) 。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

晶体管的交流小信号模型随堂测验1

1、判断题：
‎当输入信号是高频时，能用晶体管的混合π型交流小信号模型进行交流分析。‌