大学MOOC 封装材料与技术(新余学院)1450809162 最新慕课完整章节测试答案
第一章集成电路制造工艺发展概况
随堂测验常见的衬底材料
1、多选题：
半导体材料主要有两大类，包括
选项：
A: 元素半导体
B: 化合物半导体
C: 硅
D: 锗
答案: 【 元素半导体;
化合物半导体】
2、判断题：
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
砷化镓属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，易碎，需轻拿轻放。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
锗的禁带宽度比硅大，所制作的器件比硅耐高温。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验洁净技术等级
1、单选题：
每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为
选项：
A: 10级
B: 100级
C: 1000级
D: 10000级
答案: 【 1000级】
2、判断题：
所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
集成电路的集成度越高，特征尺寸越小，对洁净度的要求越高。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验洁净设备
1、多选题：
洁净室内常见的洁净设备包括
选项：
A: 风淋
B: 静电自净器
C: 真空除尘器
D: 洁净台
答案: 【 风淋;
静电自净器;
真空除尘器】
2、判断题：
净化设备中最核心的是过滤器。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
对于洁净度高的要求利用高效过滤器，对于洁净度低的采用粗过滤器。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验硅单晶的制备
1、多选题：
单晶硅生长需要满足的条件包括
选项：
A: 加热多晶硅，使原子重新排列
B: 籽晶作为标准
C: 过冷温度使原子稳定
D: 退火
答案: 【 加热多晶硅，使原子重新排列;
籽晶作为标准;
过冷温度使原子稳定】
2、多选题：
常见的制备单晶硅的方法有
选项：
A: 直拉法（CZ）
B: 悬浮区熔法（FZ）
C: 蒸发
D: 溅射
答案: 【 直拉法（CZ）;
悬浮区熔法（FZ）】
3、判断题：
三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题：
直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题：
剩下不多的多晶硅时，要提高温度和提拉速度，进行收尾拉光，否则容易引起坩埚的破裂。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验硅单晶的质量检验
1、单选题：
确定单晶硅导电类型的方法是
选项：
A: 四探针法
B: 热探针法
C: 范德堡法
D: 磨角法
答案: 【 热探针法】
2、单选题：
少数载流子寿命测试方法是
选项：
A: 探针法
B: 磨角法
C: 光电导衰减法
D: 滚槽法
答案: 【 光电导衰减法】
3、单选题：
常用的电阻率的测试方法是
选项：
A: 热探针法
B: 四探针法
C: 磨角法
D: 滚槽法
答案: 【 四探针法】
4、判断题：
位错是一种点缺陷，由晶胞错位引起的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验硅圆片抛光片的制备
1、单选题：
为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是
选项：
A: 倒角
B: 磨片
C: 化学腐蚀
D: CMP
答案: 【 CMP】
2、判断题：
单晶硅棒形成之后，我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
一般8in以上的硅片采用内圆切割，8in以下的硅片采用线锯切割。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、填空题：
利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角，使之变得光滑的工艺为
答案: 【 倒角】
随堂测验集成电路发展历史的随堂小测验
1、单选题：
世界上第一只晶体管是 材料的晶体管。
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 氮化镓
答案: 【 锗】
2、单选题：
2000年度的诺贝尔物理学奖授予发明了世界上第一个集成电路的美国科学家 ，以表彰他为现代信息技术所做出的基础性贡献。
选项：
A: 威廉·肖克莱
B: 沃尔特·布拉顿
C: 杰克·基尔比
D: 戈登·摩尔
答案: 【 杰克·基尔比】
3、单选题：
在现代集成电路制造工艺中，先进的制造工艺技术常常采用8英寸的硅片或12英寸的晶圆。其中，晶圆尺寸主要指的是硅片的 。
选项：
A: 面积
B: 半径
C: 圆周周长
D: 直径
答案: 【 直径】
第二章薄膜制备技术
随堂测验化学气相淀积
1、单选题：
LPCVD的含义是
选项：
A: 低压化学气相淀积
B: 常压化学气相淀积
C: 等离子体化学气相淀积
D: 光化学气相淀积
答案: 【 低压化学气相淀积】
2、单选题：
PECVD 的含义是
选项：
A: 低压化学气相淀积
B: 常压化学气相淀积
C: 等离子体增强化学气相淀积
D: 光化学气相淀积
答案: 【 等离子体增强化学气相淀积】
3、单选题：
对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用哪种方法
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 PECVD】
4、多选题：
可用于制备二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些？
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD】
5、多选题：
氮化硅的CVD制备方法有哪些？
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 LPCVD;
PECVD】
6、判断题：
利用硅烷制备多晶硅时，必须将硅烷进行稀释，否则会产生爆炸。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题：
金属钨常常采用CVD方法制备。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
金属钛常常采用TiCl4氢还原法制备。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题：
PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
10、填空题：
利用气体 混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是
答案: 【 CVD##%_YZPRLFH_%##化学气相淀积】
随堂测验半导体生产中常用的薄膜
1、单选题：
用于解决铝尖刺问题的方法主要有哪些？
选项：
A: 重掺杂
B: 硅化金属
C: 阻挡金属
D: 铝铜合金
答案: 【 阻挡金属】
2、单选题：
集成电路中常常用于插塞的金属是什么？
选项：
A: 铝
B: 铜
C: 钨
D: 钛
答案: 【 钨】
3、多选题：
二氧化硅的作用有哪些？
选项：
A: 选择性扩散的掩蔽层
B: 器件的保护和钝化层
C: 隔离和绝缘介质
D: MOS管的绝缘栅材料
答案: 【 选择性扩散的掩蔽层;
器件的保护和钝化层;
隔离和绝缘介质;
MOS管的绝缘栅材料】
4、多选题：
二氧化硅作为选择性扩散的条件有哪些？
选项：
A: 温度
B: 浓度梯度
C: 二氧化硅膜足够厚
D: 杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数
答案: 【 二氧化硅膜足够厚;
杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数】
5、多选题：
金属铝互连常常出现的问题是什么？
选项：
A: 铝尖刺
B: 电迁移
C: 鸟嘴效应
D: 沟道效应
答案: 【 铝尖刺;
电迁移】
6、多选题：
解决铝互连电迁移问题的方法有哪些？
选项：
A: 铝硅合金
B: 铝硅铜合金或铝铜合金