大学MOOC 功率半导体器件(沈阳工业大学)1462100163 最新慕课完整章节测试答案

第二章测试

1、单选题：
‎PIN二极管的I区一般为（    ）。‍‎‍
选项：
A: A、本征区     
B: B、 N+区       
C: C、 P+区       
D: D、N-区
答案: 【 D、N-区】

2、单选题：
‎穿通PiN二极管在转折电压下的电场分布为（   ）。​‎​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、单选题：
‍所谓PIN二极管的软恢复是指：（    ）。‌
选项：
A: 漏电流大
B: 恢复电流大
C: 反向恢复过程中电流换流速度慢
D: 反向恢复峰值电流之后电流下降速度慢
答案: 【 反向恢复峰值电流之后电流下降速度慢】

4、单选题：
​功率PIN二极管的实际结构一般为（   ）。‍​‍
选项：
A: P+P-N+结构
B: P+N-N+结构
C: P+N-结构
D: P-N+结构
答案: 【 P+N-N+结构】

5、单选题：
‏实现局域寿命控制的工艺是（   )。‏
选项：
A: 扩金。
B: 扩铂。
C: 电子辐照。
D: 质子辐照。
答案: 【 质子辐照。】

6、单选题：
‌同样条件下，对于肖特基二极管、JBS二极管、MPS二极管和PIN二极管，其中（     ）的反向漏电流最大。‌
选项：
A: 肖特基二极管
B: PIN二极管
C: JBS
D: MPS
答案: 【 肖特基二极管】

7、单选题：
‌JBS二极管是通过（    ）改善肖特基二极管反向特性的。‏
选项：
A: 减小漂移区厚度
B: 降低肖特基结半导体表面电场来
C: 增大势垒高度
D: 减小势垒高度
答案: 【 降低肖特基结半导体表面电场来】

8、单选题：
‍肖特基二极管的电流传输机制是（    ）。‏
选项：
A: 热电子发射
B: 扩散
C: 漂移
D: 扩散+漂移
答案: 【 热电子发射】

9、单选题：
‏JBS二极管的电流传输机制是（    ）。​
选项：
A: 扩散
B: 热电子发射
C: 漂移
D: 扩散+漂移
答案: 【 热电子发射】

10、单选题：
‏MPS二极管的电流传输机制是（    ）。‍
选项：
A: 扩散+漂移
B: 漂移
C: 热电子发射+扩散
D: 扩散
答案: 【 热电子发射+扩散】

11、单选题：

‌PIN二极管正向导通状态的载流子分布如图

​

‌为减小反向恢复峰值电流，应该（    ）。

​选项：
A: 减小阴极侧（即n+n结附近）的等离子浓度
B: 增加阴极侧（即n+n结附近）的等离子浓度
C: 减小阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度
D: 增加阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度
答案: 【 减小阳极侧（即p+n结附近）的等离子浓度】

12、单选题：

图A和图B是PIN功率二极管的两种终端斜角结构，分别是（        ）。

‌

图A

‌

图B

‌

‌

‌选项：
A: 正斜角，正斜角
B: 正斜角，负斜角
C: 负斜角，负斜角
D: 负斜角，负斜角
答案: 【 正斜角，负斜角】

13、单选题：
‎MPS二极管的通态压降由（        ）构成。​
选项：
A: PN结结压降和漂移区体压降
B: 肖特基结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降
C: PN结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降
D: 漂移区体压降和N/N+结压降
答案: 【 肖特基结结压降、漂移区体压降和N/N+结压降】

14、单选题：
‎PIN二极管的I区体压降（       ）。‎
选项：
A: 等于I区电阻率与电流的乘积
B: 等于I区的电阻与电流的乘积
C: 与电流无关
D: 与电流有关
答案: 【 与电流无关】

15、单选题：
‎JBS二极管漂移区的压降（        ）。​
选项：
A: 大于漂移区电阻率与电流密度的乘积
B: 小于漂移区电阻率与电流密度的乘积
C: 与电流无关
D: 等于漂移区电阻率与电流密度的乘积
答案: 【 大于漂移区电阻率与电流密度的乘积】

16、多选题：
‎PIN二极管的正向压降（不包含接触压降）主要包括：（   ）。‌
选项：
A: PI结压降
B: NI结压降
C: I区体压降
D: P区体压降
答案: 【 PI结压降;
NI结压降;
I区体压降】

17、多选题：
‏减小PIN二极管正向压降应采取的措施包括：（   ）。‏‏‏
选项：
A: 增大芯片厚度
B: 增大载流子寿命
C: 尽可能减小芯片厚度
D: 减小载流子寿命
答案: 【 增大芯片厚度;
增大载流子寿命;
尽可能减小芯片厚度】

18、多选题：
​描述PIN二极管反向恢复特性的参数包括：（      ）。‏
选项：
A: 反向恢复时间
B: 反向恢复峰值电流
C: 阻断电压
D: 软度因子
答案: 【 反向恢复时间;
反向恢复峰值电流;
软度因子】

19、多选题：
‎对PIN二极管来说，好的反向恢复特性的标准主要包括：（   ）。‌‎‌
选项：
A: 反向漏电流小
B: 反向恢复时间短
C: 反向恢复峰值电流小
D: 软度因子大
答案: 【 反向恢复时间短;
反向恢复峰值电流小】

20、多选题：
‎JBS、PIN、MPS三种结构二极管，其中（   ）。‌
选项：
A: PIN二极管通态压降最小
B: MPS二极管通态压降最小
C: PIN二极管过电流能力最强
D: JBS二极管反向恢复时间最短
答案: 【 MPS二极管通态压降最小;
PIN二极管过电流能力最强;
JBS二极管反向恢复时间最短】

21、多选题：
‏肖特基二极管反向漏电流大的原因是（     ）。‎
选项：
A: 漂移电流大
B: 耗尽层宽
C: 镜像势垒降低效应
D: 隧穿效应
答案: 【 镜像势垒降低效应;
隧穿效应】

22、多选题：

​若阻断电压为4000V，，穿通结构二极管高阻区厚度和电阻率（    ）。

‌选项：
A: 149Ωcm
B: 423微米
C: 318微米
D: 137Ωcm
答案: 【 149Ωcm;
318微米】

23、多选题：
‍若阻断电压为4000V，非穿通结构PIN二极管漂移区的电阻率和厚度为（    ）‏
选项：
A: 149Ωcm
B: 137Ωcm
C: 318微米
D: 大于等于423微米
答案: 【 137Ωcm;
大于等于423微米】

24、多选题：

‌植入两种不同能量的质子与氦所得到的典型的轴向载流子寿命分布如图所示，

‌

‌这样做能使PIN二极管（   ）。

‌选项：
A: 实现软恢复
B: 增大阻断电压。
C: 减小反向恢复峰值电流
D: 减小反向回复时间且不显著增加通态压降
答案: 【 实现软恢复;
减小反向恢复峰值电流;
减小反向回复时间且不显著增加通态压降】

25、多选题：
‌PIN二极管的正向压降包括（        ）。‍
选项：
A: P区体压降
B: PI结压降
C: NI结压降
D: I区体压降
答案: 【 PI结压降;
NI结压降;
I区体压降】

26、判断题：
‎理想PN结的雪崩击穿电压随温度的增加而略有增加。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

27、判断题：
‏PN结的反向漏电流随温度增加而减小。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

28、判断题：
‍PIN功率二极管的I区必须是本征半导体‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

29、判断题：
‏JBS、PIN、MPS三种结构二极管中，PIN更适合做大功率二极管‌‏‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

30、判断题：
‎JBS、PIN、MPS三种结构二极管中，PIN开关速度最快。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

31、判断题：
‎PIN二极管的通态压降与载流子寿命的大小无关。​‎​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

32、判断题：

‍

‌

‍

‌

‍PIN功率二极管的正向特性为：