单元1集成电路制造工艺概述

单元测验

1、单选题:
‌摩尔定律指出集成电路集成度翻一番需要经过()月。‍
选项:
A: 16
B: 18
C: 24
D: 36
答案: 【 18

2、单选题:
‌集成电路发展到了片上系统时代,片上系统的英文简称是()。‍
选项:
A: SOC
B: ICC
C: STC
D: PLCC
答案: 【 SOC

3、单选题:
‎到2017年,集成电路硅片的特征尺寸已经发展到()nm。‏
选项:
A: 5
B: 14
C: 7
D: 28
答案: 【 7

4、单选题:
​微电子技术是以()为核心的技术。‍
选项:
A: 分立器件
B: 集成电路
C: 产品控制系统开发
D: 数据采集与测试分析
答案: 【 集成电路

5、单选题:
‎下面哪个选项的工艺是在NPN三极管制造过程中使用到的工艺()。‏
选项:
A: 外延、扩散
B: 光刻、氧化
C: 蒸铝、键合
D: 以上全对
答案: 【 以上全对

6、判断题:
‍中国的集成电路产业发展水平处于世界前列。​
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

7、判断题:
‍集成电路的简称是IC。‏
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

8、判断题:
‎集成电路制造工艺需要用到光刻、刻蚀、掺杂、氧化等工艺,是一个非常复杂经过多道工序的过程。‎
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

9、判断题:
​随着集成电路的发展,芯片的尺寸和硅片的直径都越来越小了。‍
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

10、判断题:
​NPN和NMOS的结构和制作工艺大致相同。‍
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

练一练

1、判断题:
‏集成电路根据组成的器件结构不同,可分为双极型和CMOS两大类。​
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

2、判断题:
‍MOS晶体管的制作方法与双极型晶体管的制作方法一样。‏
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

3、填空题:
‍CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写,由()和()组成。​
答案: 【 NMOS,PMOS##%_YZPRLFH_%##PMOS,NMOS

单元2半导体材料及硅衬底的制备

练一练

1、单选题:
‍硅圆片制备的最后一道工序是()。‍
选项:
A: 切片
B: 刻蚀
C: 抛光
D: 定向
答案: 【

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