大学MOOC 半导体物理学(西北大学)1462735164 最新慕课完整章节测试答案

单元测验——第7讲

1、单选题：
‍理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
​对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？​
选项：
A: 少子反型
B: 多子积累
C: 多子耗尽
D: 本征状态
答案: 【 少子反型】

3、单选题：
‌对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？‏
选项：
A: 多子积累
B: 少子积累
C: 多子耗尽
D: 少子反型
答案: 【 多子积累】

4、单选题：
‌对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？‍
选项：
A:
B:
C:
D:
E:
答案: 【 】

5、单选题：
‏对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？​
选项：
A: 平坦能带状态
B: 少子反型状态
C: 深耗尽状态
D: 本征状态
答案: 【 平坦能带状态】

6、单选题：
​对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

7、单选题：
‌对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？‍
选项：
A: 本征状态
B: 平坦能带状态
C: 多子积累状态
D: 深耗尽状态
答案: 【 本征状态】

8、多选题：
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？‏
选项：
A: 多子积累
B: 多子耗尽
C: 平坦能带
D: 本征状态
E: 少子反型
F: 少子积累
G: 少子耗尽
答案: 【 多子积累;
多子耗尽;
平坦能带;
本征状态;
少子反型】

9、多选题：
‍对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？‎
选项：
A: 金属和半导体之间存在功函数差
B: 绝缘层中存在电荷
C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D: 外加偏压
答案: 【 金属和半导体之间存在功函数差;
绝缘层中存在电荷;
半导体与绝缘层的界面处存在表面态】

10、多选题：

​系统的绝缘层中的主要带电形式有？

‏选项：
A: 可动离子
B: 固定电荷
C: 界面态
D: 电离陷阱电荷
答案: 【 可动离子;
固定电荷;
界面态;
电离陷阱电荷】

单元测验——第8讲

1、单选题：
‎异质结的超注入现象是指？‌
选项：
A: 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
B: 在异质 pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。
C: 在异质 pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
D: 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
答案: 【 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。】

2、单选题：
‍什么是超晶格结构？‎
选项：
A: 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B: 两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄