大学MOOC 半导体物理学A(太原理工大学)1450341228 最新慕课完整章节测试答案
第1讲半导体中的电子状态和能带2周
半导体电子结构测试题
1、单选题：
德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（ ）的比值。
选项：
A: 动能
B: 动量
C: 速度
D: 势能
答案: 【 动量】
2、单选题：
海森伯堡测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（ ）动量。
选项：
A: 动能和动量
B: 势能和动量
C: 坐标和动量
D: 势能和坐标
答案: 【 坐标和动量】
3、单选题：
量子化能级是（ ）的能级。
选项：
A: 分立
B: 连续
C: 很多
D: 很少
答案: 【 分立】
4、单选题：
波粒二象性是指微观粒子有时表现为（ ），而电磁波有时表现为粒子性。
选项：
A: 高温性
B: 低温性
C: 波动性
D: 粒子性
答案: 【 波动性】
5、单选题：
光照产生的载流子叫（ ）载流子。
选项：
A: 光生
B: 电生
C: 热生
D: 冷生
答案: 【 光生 】
6、单选题：
热激发产生的载流子叫（ ）载流子。
选项：
A: 光生
B: 电生
C: 热生
D: 冷生
答案: 【 热生】
7、单选题：
空带上能量最低的允带称为（ ）。
选项：
A: 价带
B: 导带
C: 禁带
D: 能带
答案: 【 导带】
8、单选题：
价电子所在的允带称为（ ）。
选项：
A: 价带
B: 导带
C: 禁带
D: 能带
答案: 【 价带】
9、单选题：
导带底与价带顶之间的能量区域称为（ ）。
选项：
A: 价带
B: 导带
C: 禁带
D: 能带
答案: 【 禁带】
10、单选题：
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。
选项：
A: 和
B: 差
C: 积
D: 商
答案: 【 差】
11、单选题：
载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
选项：
A: 导带底
B: 导带顶
C: 禁带中
D: 禁带外
答案: 【 导带底】
12、单选题：
载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
选项：
A: 导带底
B: 导带顶
C: 禁带中
D: 禁带外
答案: 【 导带底】
单元测验——第1讲
1、单选题：
一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？
选项：
A: 回旋共振实验
B: 霍尔效应实验
C: 磁阻效应实验
D: 热电效应实验
答案: 【 回旋共振实验】
2、单选题：
有效质量的意义在于？
选项：
A: 概括了半导体内部势场对电子的作用。
B: 概括了共价键对电子的作用。
C: 概括了导带对电子的作用。
D: 概括了杂质对电子的作用。
答案: 【 概括了半导体内部势场对电子的作用。】
3、单选题：
关于导带中的电子，以下描述正确的是？
选项：
A: 准自由运动的电子。
B: 受共价键束缚的电子。
C: 受杂质束缚的电子。
D: 受价带束缚的电子。
答案: 【 准自由运动的电子。】
4、单选题：
在能带底部附近，电子的有效质量为？
选项：
A: 正
B: 负
C: 不确定
D: 可正可负。
答案: 【 正】
5、单选题：
Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A: [100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C: [111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E: [110]及其等价方向；k=0处
答案: 【 [100]及其等价方向；k=0处】
6、单选题：
以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
选项：
A: GaAs
B: Si
C: Ge
D: GaP
答案: 【 GaAs】
7、单选题：
什么是本征半导体？
选项：
A: 没有杂质，没有缺陷的半导体。
B: 没有杂质的纯净半导体。
C: 没有缺陷的结构完美的半导体。
D: 杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 【 没有杂质，没有缺陷的半导体。】
8、单选题：
本征半导体的特征是？
选项：
A: 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B: 导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C: 导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D: 电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】
9、单选题：
Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A: [111]及其等价方向；k=0处
B: [110]及其等价方向；k=0处
C: [100]及其等价方向；k=0处
D: k空间原点；k空间原点
答案: 【 [111]及其等价方向；k=0处】
10、单选题：
GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A: k=0处；k=0处
B: [111]方向；k=0处
C: k=0处；[111]方向
D: [100]方向；k=0处
E: k=0处；[100]方向
答案: 【 k=0处；k=0处】
11、单选题：
关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？
选项：
A: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。
B: 半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
C: 半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
D: 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
答案: 【 半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。】
12、单选题：
本征激发指的是哪种电子跃迁？
选项：
A: 价带的电子跃迁到导带。
B: 导带的电子跃迁到价带。
C: 施主态上的电子跃迁到导带。
D: 受主态上的电子跃迁到价带。
答案: 【 价带的电子跃迁到导带。】
13、单选题：
本征激发的结果是？
选项：
A: 产生一组电子——空穴对。
B: 仅产生一个导带的电子。
C: 仅产生一个价带的空穴。
D: 不产生电子和空穴。
答案: 【 产生一组电子——空穴对。】
14、多选题：
关于价带中的空穴，以下描述正确的是？
选项：
A: 空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。
B: 空穴常出现在价带顶。
C: 空穴的有效质量为正。
D: 空穴常出现在导带底部。
E: 空穴的有效质量为负。
答案: 【 空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。;
空穴常出现在价带顶。;
空穴的有效质量为正。】
15、多选题：
以下材料中，属于间接禁带半导体的是？
选项：
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: InP
答案: 【 Si;
Ge】
第2讲半导体中的杂质和缺陷能级
单元测验——第2讲
1、单选题：
在完全相同的条件下，以下哪种情况最容易发生？
选项：
A: 浅能级杂质的电离
B: 深能级杂质的电离
C: 本征激发
D: 本征吸收
答案: 【 浅能级杂质的电离】
2、单选题：
什么是本征半导体？
选项：
A: 没有杂质的纯净半导体。
B: 没有缺陷的结构完美的半导体。
C: 没有杂质，没有缺陷的半导体。
D: 施主杂质和受主杂质数量相等的半导体。
答案: 【 没有杂质，没有缺陷的半导体。】
3、单选题：
P型半导体的特征是？
选项：
A: 导