大学MOOC 集成电路制造工艺(江苏信息职业技术学院)1002234013 最新慕课完整章节测试答案

第一章单元测验2

1、单选题：
​双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是                ，其次制备的是                ，最后制备的是                ‏
选项：
A: 集电区、基区、发射区
B: 基区、发射区、集电区
C: 栅区、源区、漏区
D: 发射区、基区、集电区
答案: 【 集电区、基区、发射区】

2、多选题：
‌集成电路，按照功能可以为​
选项：
A: 双极型集成电路、MOS集成电路
B: 数模混合集成电路
C: 数字集成电路
D: 模拟集成电路
答案: 【 数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

3、多选题：
‎集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有‌
选项：
A: 外延隔离
B: 埋层隔离
C: PN结隔离
D: 介质隔离
答案: 【 PN结隔离;
介质隔离】

4、填空题：
​集成电路制造中常采用绝缘介质隔离技术，常用的绝缘介质是‏
答案: 【 二氧化硅##%_YZPRLFH_%##SiO2】

5、填空题：
‍特征尺寸和集成度是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，随着工艺的发展，越来越小的是‏
答案: 【 特征尺寸】

第一章单元测验

1、单选题：
‎双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是‍        ‍，其次制备的是‍        ‍，最后制备的是‍        ，依次为：‍‍
选项：
A: 集电区、基区、发射区
B: 基区、发射区、集电区
C: 栅区、源区、漏区
D: 发射区、基区、集电区
答案: 【 集电区、基区、发射区】

2、多选题：
‏‍集成电路，按照功能可以分为‍                          ‍。 ‍
选项：
A: 双极型集成电路、MOS集成电路‍
B: 数模混合集成电路
C: 数字集成电路
D: 模拟集成电路
答案: 【 数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

3、多选题：
​‍集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有‍                           ‍。​
选项：
A: 外延隔离‍
B: 埋层隔离
C: PN结隔离
D: 介质隔离
答案: 【 PN结隔离;
介质隔离】

4、填空题：
‏集成电路制造中常采用隔离技术，其主要作用是‍                          ‍。‏
答案: 【 实现集成电路中电子元器件彼此之间的绝缘，做到彼此隔离开来，不会相互影响和干扰。】

5、填空题：
​特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸主要指的是‍                          ‍。​
答案: 【 集成电路制造工艺上实现的最小特征线宽。##%_YZPRLFH_%##集成电路制造工艺上实现的最小特征线宽，通常也指集成电路中半导体器件的最小尺寸。】

随堂测验集成电路发展历史的随堂小测验

1、单选题：
‌世界上第一只晶体管是        材料的晶体管。‍
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 氮化镓
答案: 【 锗】

2、单选题：
2000年度的诺贝尔物理学奖授予发明了世界上第一个集成电路的美国科学家‍         ‍，以表彰他为现代信息技术所做出的基础性贡献。‎
选项：
A: 威廉·肖克莱
B: 沃尔特·布拉顿
C: 杰克·基尔比
D: 戈登·摩尔
答案: 【 杰克·基尔比】

3、单选题：
‍在现代集成电路制造工艺中，先进的制造工艺技术常常采用8英寸的硅片或12英寸的晶圆。其中，晶圆尺寸主要指的是硅片的        。‏
选项：
A: 面积
B: 半径
C: 圆周周长
D: 直径
答案: 【 直径】

第二章单元测验2

1、单选题：
‏几种热氧化方法中，哪种生长的薄膜结构最致密，纯度最高。‍
选项：
A: 湿氧氧化
B: 干氧氧化
C: 水汽氧化
D: 掺氯氧化
答案: 【 干氧氧化】

2、单选题：
‍在半导体生产中，常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化，湿氧氧化的作用是‏
选项：
A: 得到较好的表面特性
B: 较短的时间得到较厚的薄膜
C: 较好的硅/二氧化硅界面特性
D: 提高氧化膜的质量
答案: 【 较短的时间得到较厚的薄膜】

3、单选题：
‍集成电路中具有比较好的身宽比填充能力，可以作为插塞的金属是‎
选项：
A: 铜
B: 铝
C: 钛
D: 钨
答案: 【 钨】

4、单选题：
‏集成电路电极引出的地方，通常采用重掺杂，目的是‏
选项：
A: 形成肖特基接触
B: 形成欧姆接触
C: 解决铝尖刺
D: 解决电迁移
答案: 【 形成欧姆接触】

5、单选题：
​以下各种方法中，不是制备金属的常用方法的是​
选项：
A: 氧化
B: 电阻丝加热蒸发
C: 电子束蒸发
D: 溅射
答案: 【 氧化】

6、单选题：
‏外延生长硅常用的方法是‌
选项：
A: MOCVD
B: MBE
C: VPE
D: PVD
答案: 【 VPE】

7、单选题：
‎要产生2000埃厚度的二氧化硅，需要消耗多少厚度的硅‍
选项：
A: 880埃
B: 8800埃
C: 88埃
D: 8.8埃
答案: 【 880埃】

8、单选题：
‍以下因素中哪些不是影响外延生长速率的因素‌
选项：
A: 抛光速度
B: 反应温度
C: 四氯化碳的浓度
D: 衬底晶向
答案: 【 抛光速度】

9、单选题：
‎以下各项中哪些不是外延层常见的表面缺陷‍
选项：
A: 层错
B: 角锥体
C: 云雾状表面
D: 划痕
答案: 【 层错】

10、多选题：
‎可用于产生二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些？‍
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: 氧化
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
氧化】

11、多选题：
‍影响热氧化速率的因素有‌
选项：
A: 温度
B: 氧化方式
C: 压力
D: 掺杂
答案: 【 温度;
氧化方式;
压力;
掺杂】

12、多选题：
‍二氧化硅厚度测量方法有‌
选项：
A: 比色法
B: 光学干涉法
C: 椭圆偏振法
D: 四探针法
答案: 【 比色法;
光学干涉法;
椭圆偏振法】

13、多选题：
‏常见的化学气相淀积方法有‎
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: HDPCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
HDPCVD】

14、多选题：
‍铝互连中常见的问题是‍
选项：
A: 易氧化
B: 铝尖刺
C: 电迁移
D: 肖特基接触
答案: 【 铝尖刺;
电迁移;
肖特基接触】

15、多选题：
‍集成电路生产中常用的外延技术有​
选项：
A: VPE
B: MBE
C: MOCVD
D: LCVD
答案: 【 VPE;
MBE;
MOCVD】

16、多选题：
‍蒸发的方式分为​
选项：
A: 薄膜蒸发
B: 钨丝蒸发
C: 电阻丝加热蒸发
D: 电子束蒸发
答案: 【 电阻丝加热蒸发;
电子束蒸发】

17、判断题：
‍金属钨的制备常常采用电阻丝蒸发。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‍采用铝硅铜合金可以解决铝互连中的电迁移。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
‌常常用于绝缘介质隔离的物质是氮化硅​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‏氮化硅性能比二氧化硅更加稳定，介电常数更大，因此可以得到更高的击穿电压。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
‌多晶硅不仅可以作为栅材料，还可以作为局部互连材料，例如栅的互连。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‏氢氧合成氧化结束时，必须将氧化炉中的氢气去除干净‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

23、填空题：
​电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备，多了下面哪一个部件‎
答案: 【 偏转电子枪】

24、填空题：
‌气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质​
答案: 【 HCl##%_YZPRLFH_%##氯化氢】

25、填空题：
​相比电阻丝加热蒸发用于易熔金属，常用于3000℃以上的难熔金属的制备方法​
答案: 【 电子束蒸发】

26、填空题：
‍常用于金属层间介质淀积的CVD方法是‌
答案: 【 PECVD##%_YZPRLFH_%##等离子体增强化学气相淀积】

第二章单元测验

1、单选题：
‍几种热氧化方法中，哪种生长的薄膜结构最致密，纯度最高​
选项：
A: 干氧氧化
B: 水汽氧化
C: 湿氧氧化
D: 掺氯氧化
答案: 【 干氧氧化】

2、单选题：
‌在半导体生产中，常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化，湿氧氧化的作用是‌
选项：
A: 得到较好的表面特性
B: 较短的时间得到较厚的薄膜
C: 较好的硅/二氧化硅界面特性
D: 提高氧化膜的质量
答案: 【 较短的时间得到较厚的薄膜】

3、单选题：
​集成电路中具有比较好的身宽比填充能力，可以作为插塞的金属是‎
选项：
A: 钨
B: 铜
C: 铝
D: 钛
答案: 【 钨】

4、单选题：
‎集成电路电极引出的地方，通常采用重掺杂，目的是‎
选项：
A: 形成肖特基接触
B: 形成欧姆接触
C: 解决铝尖刺
D: 解决电迁移
答案: 【 形成欧姆接触】

5、单选题：
‌以下各种方法中，不是制备金属的常用方法的是​
选项：
A: 电阻丝加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 溅射
D: 氧化
答案: 【 氧化】

6、单选题：
‌外延生长硅常用的方法是‍
选项：
A: MOCVD
B: MBE
C: VPE
D: PVD
答案: 【 VPE】

7、单选题：
​要产生2000埃厚度的二氧化硅，需要消耗多少厚度的‎
选项：
A: 8800埃
B: 88埃
C: 8.8埃
D: 880埃
答案: 【 880埃】

8、单选题：
‏电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备，多了下面哪一个部件‏
选项：
A: 偏转电子枪
B: 灯丝
C: 硅片
D: 磁场
答案: 【 偏转电子枪】

9、单选题：
‎气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是‍
选项：
A: HF
B: HCl
C: Cl2
D: CF4
答案: 【 HCl】

10、单选题：
‏PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是‏
选项：
A: 温度比较低
B: 薄膜制备的纯度比较高
C: 淀积速度比较快
D: 淀积的薄膜结构比较致密
答案: 【 温度比较低】

11、单选题：
‌以下方法中不是常见的溅射方法的是‍
选项：
A: 磁控溅射
B: 直流溅射
C: 射频溅射
D: 刻蚀溅射
答案: 【 刻蚀溅射】

12、单选题：
​外延层薄膜厚度测试方法是‏
选项：
A: 层错法
B: 四探针法
C: 磨角法
D: 滚槽法
答案: 【 层错法】

13、单选题：
​以下因素中哪些不是影响外延生长速率的因素‌
选项：
A: 反应温度
B: 四氯化碳的浓度
C: 衬底晶向
D: 抛光速度
答案: 【 抛光速度】

14、单选题：
‌以下各项中哪些不是外延层常见的表面缺陷‌
选项：
A: 角锥体
B: 层错
C: 云雾状表面
D: 划痕
答案: 【 层错】

15、单选题：
‎以下方法中，哪种可用于绝缘介质的淀积‎
选项：
A: 电阻丝加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 直流溅射
D: 射频溅射
答案: 【 射频溅射】

16、单选题：
‏金属钨的制备常常采用‏
选项：
A: PVD
B: CVD
C: MBE
D: VPE
答案: 【 CVD】

17、单选题：
‎可以采用双大马士革工艺的互连是‍
选项：
A: 铝互连
B: 铜互连
C: 金互连
D: 钛互连
答案: 【 铜互连】

18、多选题：
‌可用于产生二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些？‍
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D:     氧化
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
    氧化】

19、多选题：
‍影响热氧化速率的因素有‍
选项：
A: 温度
B: 氧化方式
C: 压力
D: 掺杂
答案: 【 温度;
氧化方式;
压力;
掺杂】

20、多选题：
‍掺氯氧化的优点是‏
选项：
A: 减少界面陷阱电荷
B: 吸附钠离子
C: 抑制氧化层错
D: 薄膜纯度提高
答案: 【 减少界面陷阱电荷;
吸附钠离子;
抑制氧化层错;
薄膜纯度提高】

21、多选题：
‌二氧化硅厚度测量方法有‎
选项：
A: 比色法
B: 光学干涉法
C: 椭圆偏振法
D: 四探针法
答案: 【 比色法;
光学干涉法;
椭圆偏振法】

22、多选题：
‏常见的化学气相淀积方法有​
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: HDPCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
HDPCVD】

23、多选题：
‏铝互连中常见的问题是‎
选项：
A: 易氧化
B: 铝尖刺
C: 电迁移
D: 肖特基接触
答案: 【 铝尖刺;
电迁移;
肖特基接触】

24、多选题：
‏氮化硅制备常用的CVD 方法是‏
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 LPCVD;
PECVD】

25、多选题：
‌集成电路生产中常用的外延技术有‎
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD】

26、多选题：
‌常见的PVD薄膜制备方法包括​
选项：
A: 热氧化
B: 蒸发
C: 溅射
D: 刻蚀
答案: 【 蒸发;
溅射】

27、多选题：
​蒸发的方式分为‎
选项：
A: 电子丝加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 薄膜蒸发
D: 钨丝蒸发
答案: 【 电子丝加热蒸发;
电子束蒸发】

28、多选题：
​外延的作用是‌
选项：
A: 改善器件或电路的功率特性和频率特性
B: 易于实现器件的隔离
C: 提高材料的完美型
D: 增加工艺设计和制造的灵活性
答案: 【 改善器件或电路的功率特性和频率特性;
易于实现器件的隔离;
提高材料的完美型;
增加工艺设计和制造的灵活性】

29、判断题：
‍氮化硅性能比二氧化硅更加稳定，介电常数更大，因此可以得到更高的击穿电压。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

30、判断题：
‍铝的电阻率比铜低，因此导电能力更强。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

31、判断题：
​硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

32、判断题：
‍多晶硅不仅可以作为栅材料，还可以作为局部互连材料，例如栅的互连。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

33、判断题：
​金属薄膜在集成电路中有连接作用、接触作用、阻挡作用和抗反射作用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

34、判断题：
‌集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物，常用的难熔金属铜、铝等‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

35、判断题：
‍二氧化硅作为选择性扩散的条件有浓度梯度和一定的温度。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

36、判断题：
​影响热氧化速率中，晶向是最重要的。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

37、判断题：
​在一定范围内，热氧化的速率随着温度的增加成线性提高。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

38、判断题：
​    ‎​热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。‎​‎​    ‎​                                   ‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

39、判断题：
‎氢氧合成氧化结束时，必须将氧化炉中的氢气去除干净‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

40、判断题：
‎对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用LPCVD方法​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

41、判断题：
‌利用硅烷制备多晶硅时，必须将硅烷进行稀释，否则会产生爆炸.‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

42、判断题：
‍直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

43、判断题：
‏磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

44、判断题：
‌气相外延生长硅时，SiCl4的浓度越高越好.‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

45、判断题：
‍MBE常常用于化合物半导体的外延层生长，例如砷化镓等等。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

46、判断题：
‍金属钛常常采用PVD技术进行制备。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

47、判断题：
‏外延生长结束时必须进行降温取片。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

48、判断题：
‏外延生长过程中，防止曾错的方法是利用H2清除硅片表面的损伤层。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

49、判断题：
‏蓝宝石上可以外延生长硅。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

50、判断题：
​电子束蒸发的薄膜比电阻丝加热蒸发杂质沾污少，纯度更高。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

51、填空题：
‌用于解决铝尖刺问题的方法主要有阻挡金属和‌
答案: 【 铝硅合金】

52、填空题：
‌相比电阻丝加热蒸发用于易熔金属，常用于3000℃以上的难熔金属的制备方法‌
答案: 【 电子束蒸发】

53、填空题：
‏常用于金属层间介质淀积的CVD方法是‏
答案: 【 PECVD##%_YZPRLFH_%##等离子体增强化学气相淀积】

54、填空题：
‎常常用于钨插塞的阻挡层或者附着层的钛的化合物为‎
答案: 【 TiN##%_YZPRLFH_%##氮化钛】

55、填空题：
‍几种测量二氧化硅厚度的方法中，最精确的是‍
答案: 【 椭圆偏振光法##%_YZPRLFH_%##椭圆偏振法】

56、填空题：
‍半导体生产中常常采用的氧化方法是‌
答案: 【 干--湿--干氧化】

57、填空题：
‍采用铝硅铜合金可以解决铝互连中的‌
答案: 【 电迁移】

58、填空题：
‍常常用于绝缘介质隔离的物质是‎
答案: 【 二氧化硅##%_YZPRLFH_%##SiO2】

59、填空题：
‏目前常用的栅材料是‏
答案: 【 多晶硅】

60、填空题：
​通过提高反应室内氧或者水蒸气的密度，提高氧化速率的氧化方式是‎
答案: 【 高压氧化】

随堂测验化学气相淀积

1、单选题：
​LPCVD的含义是‍
选项：
A: 低压化学气相淀积
B: 常压化学气相淀积
C: 等离子体化学气相淀积
D: 光化学气相淀积
答案: 【 低压化学气相淀积】

2、单选题：
‏PECVD 的含义是​
选项：
A: 低压化学气相淀积
B: 常压化学气相淀积
C: 等离子体增强化学气相淀积
D: 光化学气相淀积
答案: 【 等离子体增强化学气相淀积】

3、单选题：
‌对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用哪种方法‎
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 PECVD】

4、多选题：
‏可用于制备二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些？​
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD】

5、多选题：
​氮化硅的CVD制备方法有哪些？​
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: LCVD
答案: 【 LPCVD;
PECVD】

6、判断题：
​利用硅烷制备多晶硅时，必须将硅烷进行稀释，否则会产生爆炸。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‌金属钨常常采用CVD方法制备。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
​金属钛常常采用TiCl4氢还原法制备。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‌  PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、填空题：
‏利用气体 混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是‏
答案: 【 CVD##%_YZPRLFH_%##化学气相淀积】

随堂测验半导体生产中常用的薄膜

1、单选题：
‌用于解决铝尖刺问题的方法主要有哪些？‌
选项：
A: 重掺杂
B: 硅化金属
C: 阻挡金属
D: 铝铜合金
答案: 【 阻挡金属】

2、单选题：
‌集成电路中常常用于插塞的金属是什么？‍
选项：
A: 铝
B: 铜
C: 钨
D: 钛
答案: 【 钨】

3、多选题：
‎二氧化硅的作用有哪些？‌
选项：
A: 选择性扩散的掩蔽层
B: 器件的保护和钝化层
C: 隔离和绝缘介质
D: MOS管的绝缘栅材料
答案: 【 选择性扩散的掩蔽层;
器件的保护和钝化层;
隔离和绝缘介质;
MOS管的绝缘栅材料】

4、多选题：
‍二氧化硅作为选择性扩散的条件有哪些？‌
选项：
A: 温度
B: 浓度梯度
C: 二氧化硅膜足够厚
D: 杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数
答案: 【 二氧化硅膜足够厚;
杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数】

5、多选题：
‎金属铝互连常常出现的问题是什么？‏
选项：
A: 铝尖刺
B: 电迁移
C: 鸟嘴效应
D: 沟道效应
答案: 【 铝尖刺;
电迁移】

6、多选题：
‏解决铝互连电迁移问题的方法有哪些？​
选项：
A: 铝硅合金
B: 铝硅铜合金或铝铜合金
C: 阻挡金属
D: 采用三层夹心结构 或者竹状结构
答案: 【 铝硅铜合金或铝铜合金;
采用三层夹心结构 或者竹状结构】

7、多选题：
​集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物，常用的难熔金属有哪些？‏
选项：
A: 钛
B: 钽
C: 金
D: 铝
答案: 【 钛;
钽】

8、多选题：
​金属薄膜在集成电路中有哪些作用？‌
选项：
A: 连接作用
B: 接触作用
C: 抗反射作用
D: 阻挡作用
答案: 【 连接作用;
接触作用;
抗反射作用;
阻挡作用】

9、多选题：
‎铜作为金属互连材料有哪些缺点？‎
选项：
A: 容易氧化
B: 不容易刻蚀图形
C: 导电能力差
D: 铜在硅中和氧化硅中的扩散速率快
答案: 【 容易氧化;
不容易刻蚀图形;
铜在硅中和氧化硅中的扩散速率快】

10、判断题：
​氮化硅性能比二氧化硅更加稳定，介电常数更大，因此可以得到更高的击穿电压。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
‌多晶硅不仅可以作为栅材料，还可以作为局部互连材料，例如栅的互连。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

12、判断题：
‎砷化镓也是一种常见的半导体材料，属于化合物半导体，常用于制作超高速的晶体管和集成电路和各种半导体发光器件。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‎铝的电阻率比铜低，因此导电能力更强。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
​硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、填空题：
​解决铝互连中肖特基接触的方法是在电极引出部分进行​
答案: 【 重掺杂】

随堂测验外延生长技术

1、单选题：
‍VPE的含义是‍
选项：
A: 气相外延
B: 分子束外延
C: 金属有机物化学气相外延
D: 正外延
答案: 【 气相外延】

2、单选题：
‎MOCVD的含义‍
选项：
A: 气相外延
B: 分子束外延
C: 金属有机物化学气相淀积
D: 溅射
答案: 【 金属有机物化学气相淀积】

3、单选题：
‏气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是‍
选项：
A: HCl
B: HF
C: Cl2
D: CF4
答案: 【 HCl】

4、判断题：
‌气相外延生长硅时，SiCl4的浓度越高越好。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、填空题：
​MBE的含义是‎
答案: 【 分子束外延】

随堂测验热氧化

1、单选题：
‌要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗多少厚度的硅‍
选项：
A: 1000埃
B: 440埃
C: 560埃
D: 2200埃
答案: 【 440埃】

2、单选题：
‍影响热氧化速率中，哪种因素是最重要的?‌
选项：
A: 温度
B: 压力
C: 晶向
D: 掺杂
答案: 【 温度】

3、多选题：
‏增加热氧化速率的方法有哪些？‌
选项：
A: 增加氧化剂压力
B: 提高温度
C: 进行掺杂
D: 选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化
答案: 【 增加氧化剂压力;
提高温度;
进行掺杂;
选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化】

4、多选题：
‎二氧化硅厚度的测试方法有哪些？‌
选项：
A: 比色法
B: 光学干涉法
C: 椭圆偏振法
D: 四探针法
答案: 【 比色法;
光学干涉法;
椭圆偏振法】

5、多选题：
‌氧化层表面的缺陷有哪些？‌
选项：
A: 斑点
B: 裂纹
C: 白雾
D: 层错
答案: 【 斑点;
裂纹;
白雾】

6、判断题：
‎热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‎热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‍掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛，吸附钠离子。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‌氢氧合成氧化结束时，必须将氧化炉中的氢气去除干净。 ‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、填空题：
‍在高温条件下，硅与氧化剂反应，产生二氧化硅的工艺过程是‌
答案: 【 氧化##%_YZPRLFH_%##热氧化】

随堂测验物理气相淀积

1、单选题：
‌通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是‎
选项：
A: CVD
B: 氧化
C: 蒸发
D: 溅射
答案: 【 蒸发】

2、单选题：
‍蒸发的方式除了电阻丝加热蒸发还有哪种蒸发方式？‎
选项：
A: MOCVD
B: 电子束蒸发
C: VPE
D: MBE
答案: 【 电子束蒸发】

3、单选题：
‏电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备，多了下面哪一个部件？‍
选项：
A: 偏转电子枪
B: 灯丝
C: 直流电源
D: 交流电源
答案: 【 偏转电子枪】

4、判断题：
‏直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‏磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、填空题：
​利用高能氩离子轰击靶材，靶材原子被撞击，脱离出来，在硅片表面形成薄膜的工艺过程是‏
答案: 【 溅射##%_YZPRLFH_%##溅镀】

第三章单元测验2

1、单选题：
‎极紫外光的光源波长是​
选项：
A: 13nm
B: 193nm
C: 218nm
D: 135nm
答案: 【 13nm】

2、单选题：
‍以下方法中，哪些不可以可以提高光刻的分辨率​
选项：
A: 离轴照明技术
B: 临近效应修正技术
C: 移相掩膜技术
D: 增加波长
答案: 【 增加波长】

3、单选题：
‍集成电路中的图形化工艺一般分为两步，一步是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上，称为‍
选项：
A: 光刻
B: 曝光
C: 显影
D: 刻蚀
答案: 【 光刻】

4、单选题：
‏软烘的方法有很多，其中不包括‎
选项：
A: 烘箱
B: 红外
C: 热板
D: 电阻丝
答案: 【 电阻丝】

5、单选题：
​以下各种中，哪些不是软烘的作用​
选项：
A: 增强薄膜的抗腐蚀能力
B: 去除胶中的溶剂
C: 增强光刻胶的粘附性
D: 减少产生的应力
答案: 【 增强薄膜的抗腐蚀能力】

6、单选题：
‌在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该工序称为‍
选项：
A: 套刻
B: 光刻
C: 刻蚀
D: 对准
答案: 【 对准】

7、单选题：
‏投影式光刻技术不包括以下哪项？‍
选项：
A: 扫描投影
B: 步进投影
C: 扫描步进投影
D: 接触投影
答案: 【 接触投影】

8、单选题：
‏利用透镜将衍射的光聚焦，提高分辨率的方法为‍
选项：
A: 移相掩膜技术
B: 离轴照明技术
C: 利用透镜减少衍射技术
D: 浸润式光刻技术
答案: 【 利用透镜减少衍射技术】

9、多选题：
‎以下几种光刻方法中，属于光学曝光的是​
选项：
A: 接触式
B: 接近式
C: 步进式
D: 扫描式
答案: 【 接触式;
接近式;
步进式;
扫描式】

10、多选题：
​光刻胶，又称光致抗蚀剂，主要成分是‌
选项：
A: 感光剂（树脂）
B: 增感剂
C: 溶剂
D: 其他添加剂，例如活性剂等。
答案: 【 感光剂（树脂）;
增感剂;
溶剂;
其他添加剂，例如活性剂等。】

11、多选题：
‎影响光刻胶厚度的因素主要有‌
选项：
A: 光刻胶的黏度
B: 抗腐蚀性
C: 均匀性
D: 转速
答案: 【 光刻胶的黏度;
转速】

12、多选题：
‏生产中，产生紫外光的装置通常是‍
选项：
A: 准分子激光
B: 钠灯
C: 灯丝
D: 高压汞灯
答案: 【 准分子激光;
高压汞灯】

13、多选题：
‏光刻技术的三大要素是‌
选项：
A: 曝光机
B: 掩膜版
C: 光刻胶
D: 显影液
答案: 【 曝光机;
掩膜版;
光刻胶】

14、判断题：
‎生产中可以通过减小数值孔径来提高光刻的分辨率。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
‌一般情况下，光源的波长越长，分辨率越高。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：
‎光刻胶根据溶解性的变化，可以分为正胶和负胶，前者分辨率更高。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：
‎PR的含义是光刻胶，又称光阻，主要作用是感光和抗腐蚀。（‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

18、判断题：
‎一般软烘的温度比坚膜更高，时间短长一些。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
​影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是光刻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
‌光刻技术是集成电路制造工序中的核心工序之一，主要实现图形化，直接影响器件的性能。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、填空题：
‏曝光后，光刻胶的溶解性由不容变成可溶，通过显影可以将其曝光部分去除，这种胶称‌‏‌
答案: 【 正性光刻胶##%_YZPRLFH_%##正胶】

22、填空题：
‏利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉，从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形，该工序称为​
答案: 【 显影】

23、填空题：
‏利用激光产生等离子体源产生13nm的紫外波长进行光刻的技术为‍
答案: 【 极紫外线光刻##%_YZPRLFH_%##EUV】

24、填空题：
‍管是软烘还是坚膜，当前应用最多的加热方式是‎
答案: 【 热板法】

25、填空题：
‌掩膜版和光刻胶之间留有一定的缝隙用于提高掩膜版的使用寿命，该曝光方式是​
答案: 【 接触式曝光】

26、填空题：
​光刻时需要多片掩膜版，每一掩膜版的图形都需要进行‌
答案: 【 套刻对准##%_YZPRLFH_%##套准##%_YZPRLFH_%##对准】

第三章单元测验

1、单选题：
‌极紫外光的光源波长是‎
选项：
A: 193nm
B: 218nm
C: 13nm
D: 135nm
答案: 【 13nm】

2、单选题：
‌以下方法中，哪些不可以可以提高光刻的分辨率‍
选项：
A: 增加波长
B: 离轴照明技术
C: 临近效应修正技术
D: 移相掩膜技术
答案: 【 增加波长】

3、单选题：
‍集成电路中的图形化工艺一般分为两步，一步是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上，称为‎
选项：
A: 光刻
B: 曝光
C: 显影
D: 刻蚀
答案: 【 光刻】

4、单选题：
​以下各种中，哪些不是软烘的作用‎
选项：
A: 去除胶中的溶剂
B: 增强光刻胶的粘附性
C: 减少产生的应力
D: 增强薄膜的抗腐蚀能力
答案: 【 增强薄膜的抗腐蚀能力】

5、单选题：
‌在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该工序称为‍
选项：
A: 对准
B: 套刻
C: 光刻
D: 刻蚀
答案: 【 对准】

6、单选题：
‏利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉，从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形，该工序称为‍
选项：
A: 涂胶
B: 曝光
C: 显影
D: 刻蚀
答案: 【 显影】

7、单选题：
‎以下各种光刻技术中，不属于非光学曝光的是‎
选项：
A: 电子束光刻
B: 离子束光刻
C: X射线光刻
D: 浸润式光刻
答案: 【 浸润式光刻】

8、单选题：
‎利用透镜将衍射的光聚焦，提高分辨率的方法为‍
选项：
A: 利用透镜减少衍射技术
B: 移相掩膜技术
C: 离轴照明技术
D: 浸润式光刻技术
答案: 【 利用透镜减少衍射技术】

9、单选题：
‎利用光学镜头和晶圆之间的介质，由水代替空气的光刻技术称为‎
选项：
A: 离轴照明技术
B: 移相掩膜技术
C: 浸润式光刻技术
D: 接触式光刻技术
答案: 【 浸润式光刻技术】

10、单选题：
​通常，光刻的分辨率与波长之间的关系是‍
选项：
A: 波长越短，分辨率越高
B: 波长越短，分辨率越低
C: 波长与分辨率关系不大
D: 波长与分辨率之间的关系不确定
答案: 【 波长越短，分辨率越高】

11、多选题：
‎以下几种光刻方法中，属于光学曝光的是‍
选项：
A: 接触式
B: 接近式
C: 投影式
D: 扫描式
答案: 【 接触式;
接近式;
投影式】

12、多选题：
‎光刻胶，又称光致抗蚀剂，主要成分是‌
选项：
A: 感光剂（树脂）
B: 增感剂
C: 溶剂
D: 其他添加剂，例如活性剂等。
答案: 【 感光剂（树脂）;
增感剂;
溶剂;
其他添加剂，例如活性剂等。】

13、多选题：