大学MOOC 模拟电子技术(吉林医药学院)1452634201 最新慕课完整章节测试答案
第1章常用半导体器件
测验1
1、判断题：
因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第1章测验题
1、单选题：
本征半导体是原子排列（ ）的纯净半导体。
选项：
A: 杂乱
B: 整齐
C: 无序
D: 定向
答案: 【 整齐】
2、单选题：
N型半导体是在本征半导体中掺入（ ）。
选项：
A: 四价元素
B: 三价元素
C: 五价元素
D: 二价元素
答案: 【 五价元素】
3、单选题：
P型半导体是在本征半导体中掺入（ ）。
选项：
A: 四价元素
B: 三价元素
C: 五价元素
D: 二价元素
答案: 【 三价元素】
4、单选题：
PN结的单向导电性是指（ ）。
选项：
A: 外加电压只能有一个方向
B: 外加电压可以有两个方向
C: 与外加电压无关
D: 外加电压正偏时导通，外加电压反偏时截止
答案: 【 外加电压正偏时导通，外加电压反偏时截止】
5、单选题：
PN结正偏是指（ ）。
选项：
A: 外加电场与内电场方向相反
B: 外加电场与内电场方向相同
C: 无外电场
D: 外加电压为0
答案: 【 外加电场与内电场方向相反】
6、单选题：
PN结反偏是指（ ）。
选项：
A: 外加电场与内电场方向相反
B: 外加电场与内电场方向相同
C: 无外电场
D: 外加电压为0
答案: 【 外加电场与内电场方向相同】
7、单选题：
半导体器件的温度稳定性较差，主要是因为（ ）。
选项：
A: 本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响
B: N型半导体的自由电子数量受温度的影响
C: P型半导体的空穴数量受温度的影响
D: PN结的尺寸受温度的影响
答案: 【 本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响 】
8、单选题：
二极管在电路分析中常用的等效模型是（ ）。
选项：
A: 理想模型
B: 恒压源模型
C: 具有内阻的线性模型
D: 具有内阻的非线性模型
答案: 【 恒压源模型 】
9、单选题：
稳压二极管的主要参数是（ ）。
选项：
A: 只有稳定电压
B: 只有稳定电流
C: 稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数
D: 只有额定功率
答案: 【 稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数】
10、单选题：
常用硅材料做半导体器件是因为（ ）。
选项：
A: 硅的原子序数比锗小
B: 硅的导电性能比锗好
C: 硅的导电性能受温度影响比锗小
D: 硅二极管的导通电压比锗大
答案: 【 硅的导电性能受温度影响比锗小】
11、单选题：
晶体三极管由（ ）PN结组成。
选项：
A: 四个
B: 三个
C: 一个
D: 二个
答案: 【 二个 】
12、单选题：
晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。
选项：
A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄
B: PN结的单向导电性
C: 集结反偏
D: 发射结正偏
答案: 【 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄】
13、单选题：
晶体三极管工作在电流放大状态时（ ）
选项：
A: 发射结正偏见，集电结正偏
B: 发射结正偏，集电结反偏
C: 发射结反偏，集结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
14、单选题：
NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（ ）。
选项：
A: UC<UB<UE
B: UC>UB>UE
C: UB>UC>UE
D: UE>UC>UB
答案: 【 UC>UB>UE】
15、单选题：
PNP型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（ ）。
选项：
A: UC>UB>UE
B: UC<UB<UE
C: UB>UC>UE
D: UE>UC>UB
答案: 【 UC<UB<UE 】
16、单选题：
温度升高时，二极管的导通电压（ ）。
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 变化具有不确定性
答案: 【 减小】
17、单选题：
场效应管分为两大类（ ）。
选项：
A: N沟道型和P沟道型
B: NPN型和PNP型
C: 绝缘栅型和结型
D: 增强型和耗尽型
答案: 【 绝缘栅型和结型】
18、单选题：
绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管，由于结构上的不同又分（ ）。
选项：
A: N型和P型
B: NPN型和PNP型
C: 增强型和耗尽型
D: 绝缘栅型和结型
答案: 【 增强型和耗尽型】
19、单选题：
场效应管在外电场的作用下，沟道漏极端闭合时称为（ ）。
选项：
A: 夹断
B: 预夹断
C: 截止
D: 饱和
答案: 【 预夹断 】
20、单选题：
晶体三极管工作在饱和状态时（ ）。
选项：
A: 发射结正偏见，集电结正偏
B: 发射结正偏，集电结反偏
C: 发射结反偏，集结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 【 发射结正偏见，集电结正偏】
21、判断题：
自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题：
空穴不是带电粒子。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
23、判断题：
杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
24、判断题：
本征半导体的自由电子-空穴对与温度无关。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
25、判断题：
在半导体中自由电子与空穴碰撞同时消失称为复合。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
26、判断题：
N型半导体中的多子是空穴。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
27、判断题：
P型半导体中的多子是空穴。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
28、判断题：
杂质半导体主要靠多子导电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
29、判断题：
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
30、判断题：
P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
31、判断题：
PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
32、判断题：
在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
33、判断题：
PN结所加端电压与电流是符合欧姆定律的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
34、判断题：
稳压二极管是工作在反向击穿区的特殊二极管。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【&nb