大学MOOC 金属学及热处理(南昌航空大学)1451576191 最新慕课完整章节测试答案
第一章原子结构及键合
文章目录
第一章原子结构及键合测验
1、单选题：
离子键通过（ ）成键
选项：
A: 价电子转移
B: 共用电子对
C: 自由电子与阳离子
D: 静电偶极吸引力
答案: 【 价电子转移】
2、单选题：
共价键通过（ ）成键
选项：
A: 共用电子对
B: 价电子转移
C: 自由电子与阳离子
D: 静电偶极吸引力
答案: 【 共用电子对】
3、单选题：
金属键通过（ ）成键
选项：
A: 自由电子与阳离子
B: 价电子转移
C: 共用电子对
D: 静电偶极吸引力
答案: 【 自由电子与阳离子】
4、多选题：
共价键为主的晶体：
选项：
A: 熔点高
B: 塑性差
C: 硬度低
D: 固态导电
答案: 【 熔点高;
塑性差】
5、多选题：
金属键为主的晶体：
选项：
A: 硬度有高有低
B: 固态导电
C: 液态导电
D: 熔点都高
E: 塑性都差
答案: 【 硬度有高有低;
固态导电;
液态导电】
6、多选题：
分子键为主的晶体：
选项：
A: 硬度低
B: 熔点低
C: 固态导电
D: 塑性差
答案: 【 硬度低;
熔点低】
7、多选题：
离子键为主的晶体：
选项：
A: 熔点高
B: 塑性差
C: 硬度低
D: 固态导电
E: 液态不导电
答案: 【 熔点高;
塑性差】
8、判断题：
分子键有方向性
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
9、判断题：
氢键有方向性
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题：
一般地离子键比共价键的键合强度大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
11、判断题：
共价键有方向性
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题：
金属键键合强度相差很大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题：
金属键有方向性
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第一章晶体缺陷七位错增殖
第一章晶体缺陷七测验
1、判断题：
F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，回缩力最小
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
F-R源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
F-R源开动临界切应力值与固定点间距大小有关
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
位错源只有Frank-Read这一种类型
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题：
F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题：
F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题：
F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错运动方向必定同向
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第一章晶体缺陷九面缺陷
第一章晶体缺陷九测验
1、判断题：
小角度晶界是位向差小于10°的晶界
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
表面指是不同态（固态与气态、液态）物质之间的分界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
孪晶面是孪晶的对称面，属于孪晶界的一部分
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
亚晶界是亚晶粒之间的分界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题：
按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
小角度晶界可以理解为位错墙
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题：
孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题：
按界面两侧原子匹配程度分，可分为共格、半共格和非共格界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
11、判断题：
按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题：
孪晶界是孪晶之间的分界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题：
与孪晶面不重合的孪晶界是非共格界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
14、判断题：
小角晶界中位错密度越大，位向差越大
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题：
小角晶界中位错密度越大，晶界能越大
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
16、判断题：
大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题：
晶界两侧是同质的（相同的固体相之间的分界面）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题：
层错不产生晶格畸变
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题：
孪晶面是共格界面
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题：
亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
21、判断题：
小角晶界中位向差越大，晶界能越大
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第一章晶体缺陷八实际晶体中的位错
第三章晶体缺陷八测验
1、单选题：
单位位错是
选项：
A: 柏氏矢量等于点阵矢量
B: 柏氏矢量等于点阵矢量数倍
C: 柏氏矢量小于点阵矢量
D: 柏氏矢量不等于点阵矢量
答案: 【 柏氏矢量等于点阵矢量】
2、单选题：
部分位错是
选项：
A: 柏氏矢量小于点阵矢量
B: 柏氏矢量等于点阵矢量整数倍
C: 柏氏矢量等于点阵矢量
D: 柏氏矢量大于点阵矢量
答案: 【 柏氏矢量小于点阵矢量】
3、单选题：
堆垛层错
选项：
A: 是面缺陷
B: 无畸变能
C: 对晶体没有影响
D: 引起较大的畸变
答案: 【 是面缺陷】
4、单选题：
全位错是
选项：
A: 柏氏矢量等于点阵矢量整数倍
B: 柏氏矢量等于点阵矢量
C: 柏氏矢量小于点阵矢量
D: 柏氏矢量不等于点阵矢量
答案: 【 柏氏矢量等于点阵矢量整数倍】
5、判断题：
Fcc晶体中，单位位错的模可以不同
选项：