大学MOOC 电工电子技术基础A(湖北文理学院)1450304387 最新慕课完整章节测试答案
模块一半导体器件
N型半导体和P型半导体随堂测验
1、填空题：
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成 。
答案: 【 杂质半导体】
2、填空题：
半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。
答案: 【 N P】
3、填空题：
在 P 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 空穴 自由电子】
4、填空题：
在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 自由电子 空穴】
5、填空题：
Ｎ型半导体主要靠 来导电，Ｐ型半导体主要靠 来导电。
答案: 【 自由电子 空穴】
PN结及其单向导电性随堂测验
1、填空题：
ＰＮ结具有 性能，即加正向电压时，ＰＮ结 ，加反向电压时，ＰＮ结 。
答案: 【 单向导电 导通 截止】
2、填空题：
PN结的正向接法是P型区接电源的 极，N型区接电源的 极。
答案: 【 正 负】
3、填空题：
PN 结加正向电压时，其正向电阻 ，正向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较小 较大 导通】
4、填空题：
PN 结加反向电压时，其反向电阻 ，反向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较大 较小 截止】
半导体二极管随堂测验
1、单选题：
电路如图所示，二极管D为理想元件，US = 5V，则电压uO=（ ）。
选项：
A: Us
B: US/2
C: 零
D: 5V
答案: 【 Us 】
2、单选题：
二极管D和灯泡HL相串联，电路如图所示。设电源电压 u =1.414U sinw t，且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略，则灯泡两端的电压平均值UAB 为（ ）。
选项：
A: 0.5U
B: 0.707U
C: 0.45U
D: U
答案: 【 0.45U】
3、单选题：
电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4kW，电位uA=1V，uB=3V，则电位UF等于（ ）。
选项：
A: 1V
B: 3V
C: 12V
D: -3V
答案: 【 1V】
4、单选题：
电路如图所示，输入信号ui = 6sint V时，二极管D承受的最高反向电压为（ ）。
选项：
A: 6V
B: 3V
C: 9V
D: 0V
答案: 【 3V 】
5、填空题：
二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。
答案: 【 正向 反向】
双极型晶体管随堂测验
1、单选题：
PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（ ）。
选项：
A: 可以调换使用
B: 不可以调换使用
C: PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D: 不确定
答案: 【 不可以调换使用】
2、单选题：
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
3、单选题：
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
选项：
A: 发射结反偏，集电结正偏
B: 发射结、集电结均反偏
C: 发射结、集电结均正偏
D: 发射结正偏，集电结反偏
答案: 【 发射结、集电结均正偏】
4、单选题：
根据图中已标出各晶体管电极的电位，判断处于饱和状态的晶体管是（ ）。
选项：
A: ( a)
B: ( b )
C: ( c )
D: ( d )
答案: 【 ( c ) 】
5、单选题：
电路如图所示，晶体管处于（ ）。
选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 不确定
答案: 【 饱和状态】
6、单选题：
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V，则2.7V 所对应的电极为（ ）。
选项：
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 不确定
答案: 【 基极】
场效晶体管随堂测验
1、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 N沟道增强型】
2、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 P沟道耗尽型】
3、判断题：
与晶体三极管相同，场效应晶体管也是电流控制元件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS >UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
场效应晶体管只依靠电子或空穴一种载流子的运动而工作，因此又称场效应晶体管为单极性晶体管。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
本征半导体随堂测验
1、填空题：
半导体的导电能力介乎于 和 之间。
答案: 【 导体 绝缘体】
2、填空题：
共价键中的两个电子，被称为 。
答案: 【 价电子】
3、填空题：
当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的 ；一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 。
答案: 【 电子电流 空穴电流】
4、填空题：
当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的 ；一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 。
答案: 【 产生 复合 动态平衡】
特殊二极管随堂测验
1、单选题：
衡量稳压二极管稳压性能好坏最主要的是一个参数是（ ）。
选项：
A: 动态电阻 rZ
B: 电压温度系数au
C: 稳定电压 UZ
D: 稳定电流 IZ
答案: 【 动态电阻 rZ】
2、单选题：
稳压管反向击穿后，其结果为（ ）。
选项：
A: 永久性损坏
B: 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C: 由于击穿而导致性能下降
D: 由于击穿而导致性短路
答案: 【 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损】
3、单选题：
温度稳定性最好的稳压管是（ ）。
选项：
A: 稳定电压UZ = 3V的管子
B: 稳定电压UZ > 6V的管子
C: 稳定电压UZ < 6V的管子
D: 稳定电压UZ = 6V的管子
答案: 【 稳定电压UZ = 6V的管子】
4、单选题：
电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6V，电源US=4V，则负载RL两端电压UL为（ ）。
选项：
A: 10V
B: 6V
C: 0V
D: 4V
答案: 【 0V】
模块三集成运算放大器
减法运算电路随堂测验
1、单选题：
电路如图所示，该电路为 ( )。
选项：
A: 加法运算电路
B: 减法运算电路
C: 比例运算电路
D: 比例运算电路
答案: 【 减法运算电路 】
2、单选题：
减法运算电路如图所示，其输出电压的表达式为 ( )。
选项：
A: 
B: 