大学MOOC 电子技术基础—模拟电子技术(揭阳职业技术学院)1452039243 最新慕课完整章节测试答案

1.1.1随堂测验

1、单选题：
‏本征半导体中，若掺入的是      价元素，则形成N型半导体。‌
选项：
A: 3
B: 4
C: 5
D: 6
答案: 【 5】

2、判断题：
‍在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‌在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.1.2随堂测验

1、单选题：
‌杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于　　　　　　　　　　。‎
选项：
A: 温度
B: 掺入杂质元素的多少
C: 掺杂工艺
D: 晶格缺陷
答案: 【 掺入杂质元素的多少】

2、判断题：
‍在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‎少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.1.3随堂测验

1、单选题：
‎硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而　　　　　　　　　　　。​
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 基本不变
D: 击穿
答案: 【 基本不变】

2、判断题：
‎PN结是由于漂移运动所形成的。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‌空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.2.1随堂测验

1、单选题：
‍对于面接触型的二极管，下列说法正确的是 　　　　　　　。‍
选项：
A: 可以承受较大电流，适合低频使用。
B: 可以承受较大电流，适合高频使用。
C: 可以承受较小电流，适合低频使用。
D: 可以承受较小电流，适合高频使用。
答案: 【 可以承受较大电流，适合低频使用。】

2、判断题：
‌点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‍当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.2.2随堂测验

1、单选题：
‌当温度升高时，二极管的反向饱和电流将　　　　　　　。‌
选项：
A: 减小
B: 不变
C: 增大
D: 不能判断
答案: 【 增大】

2、单选题：
‎当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是　　　　　。‍
选项：
A: 正向特性曲线左移，反向特性曲线上移。
B: 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
C: 正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。
D: 正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。
答案: 【 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。】

3、判断题：
​锗管反向电流比硅管反向电流小得多。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

1.2.3随堂测验

1、单选题：
‍二极管的最高反向工作电压，通常规定为　　　　　　　　　　　。‏
选项：
A: 击穿电压
B: 击穿电压的一半
C: 击穿电压的二倍
D: 死区电压
答案: 【 击穿电压的一半】

2、判断题：
‎当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‎二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

1.3.1随堂测验

1、单选题：
‏二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的        　　。‏
选项：
A: 直流电阻
B: 交流电阻
C: 导通电阻
D: 正向电阻
答案: 【 导通电阻】

2、判断题：
‎二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‌在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.3.2随堂测验

1、单选题：
​当二极管回路电源电压较低时，采用     　　     模型比较合理。‌
选项：
A: 恒压降
B: 理想
C: 恒流源
D: 小信号
答案: 【 恒压降】

2、判断题：
‍二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
‎对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.4.1随堂测验

1、判断题：
​只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
‌利用二极管的正向特性也可以实现稳压。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‍正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.4.2随堂测验

1、单选题：
‎光电二极管工作时需要加         偏置电压，工作于　　　　　状态。‌
选项：
A: 正向；导通
B: 正向；截止
C: 反向；导通
D: 反向；截止
答案: 【 反向；截止】

2、单选题：
​发光二极管　　　　　导通时发光，工作电流的典型值为　　　　。‏
选项：
A: 正偏；20mA
B: 正偏；10mA
C: 反偏；20mA
D: 反偏；10mA
答案: 【 正偏；10mA】

3、判断题：
‎光电二极管的光照强度随光电流随的增大而上升。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.4.3随堂测验

1、单选题：
​肖特基二极管的导通电压　　　　　　，大约为　　　　　　。‍
选项：
A: 较高；0.7V
B: 较高；0.4V
C: 较低；0.7V
D: 较低；0.4V
答案: 【 较低；0.4V】

2、单选题：
‌变容二极管在电路中的主要作用是　　　　　　　　　。‌
选项：
A: 稳压
B: 整流
C: 可变电容器
D: 发光
答案: 【 可变电容器】

3、判断题：
‎发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第1章单元测验

1、单选题：
‏半导体本征激发会成对产生　　　　　　　。‏
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 自由电子和空穴
D: 杂质离子
答案: 【 自由电子和空穴】

2、单选题：
‎ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流              。‏
选项：
A: 增加
B: 减小
C: 不变
D: 为0
答案: 【 增加】

3、单选题：
‏ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层                  。 ‎
选项：
A: 增厚
B: 变薄
C: 厚度不变
D: 厚度为0
答案: 【 变薄】

4、单选题：
‌在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为          V。‌
选项：
A: 0.3
B: 0.2
C: 0.5
D: 0.7
答案: 【 0.5】

5、单选题：
‍在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为          V。‏
选项：
A: 0.1
B: 0.2
C: 0.3
D: 0.5
答案: 【 0.1】

6、单选题：
‌二极管反向饱和电流随着温度的升高而           。​
选项：
A: 增加
B: 减小
C: 不变
D: 趋于0
答案: 【 增加】

7、单选题：
‎发光二极管正常工作时需要施加              偏置电压。‎
选项：
A: 正向
B: 反向
C: 正向或反向
D: 0
答案: 【 正向】

8、单选题：
​杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于                 。‍
选项：
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 光照
D: 外加电压
答案: 【 掺杂浓度】

9、单选题：
‍半导体器件对　　　　　　　　敏感，这会导致器件性能的不稳定。‏
选项：
A: 温度
B: 光照
C: 温度和光照
D: 掺杂浓度
答案: 【 温度和光照】

10、单选题：
‏半导体二极管的重要特性之一是               。‌
选项：
A: 单向导电性
B: 滤波特性
C: 放大作用
D: 温度稳定性
答案: 【 单向导电性】

11、单选题：
‎硅管的反向电流比锗管的反向电流　　　　　　　　，因此硅管的单向导电性和温度稳定性　　　　　　。‎
选项：
A: 大得多；较差
B: 小得多；较好
C: 大得多；较好
D: 小得多；较差
答案: 【 小得多；较好】

12、单选题：
‍如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管           。​
选项：
A: 电流为0
B: 电击穿
C: 电流过大使管子烧坏
D: 正常导通
答案: 【 电流过大使管子烧坏】

13、单选题：
‎锗二极管的开启电压为               。‍
选项：
A: 0.5V左右
B: 0.4V左右
C: 0.2V左右
D: 0.1V左右
答案: 【 0.2V左右】

14、单选题：
‎当未加外部电压时， PN结中的电流           。‍
选项：
A: 为0
B: 从P区流向N区
C: 从N区流向P区
D: 为最小
答案: 【 为0】

15、单选题：
​PN结形成后，空间电荷区由           组成。‍
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 杂质离子
D: 价电子
答案: 【 杂质离子】

16、单选题：
‎变容二极管在电路中的主要作用是              。‏
选项：
A: 发光
B: 可变电容器
C: 整流
D: 稳压
答案: 【 可变电容器】

17、单选题：
​流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将               。‎
选项：
A: 增加
B: 减小
C: 为0
D: 不变
答案: 【 减小】

18、单选题：
‍在下列二极管中，需要正偏工作的是                。‌
选项：
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 【 发光二极管】

19、单选题：
​二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成            。‌
选项：
A: 余弦电压
B: 单向脉动电压
C: 双向脉动电压
D: 直流电压
答案: 【 单向脉动电压】

20、单选题：

如下图连接，则二极管（     ）。

‎

‎

‌

‎选项：
A: 正常工作
B: 电流过大
C: 电流约为零
D: 电流为10A
答案: 【 电流约为零】

21、单选题：
‎硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（     ）‎
选项：
A: 减小
B: 基本不变
C: 增大
D: 不能确定
答案: 【 基本不变】

22、单选题：
​流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（      ）​
选项：
A: 增大
B: 基本不变
C: 减小
D: 不能确定
答案: 【 减小】

23、单选题：
‍变容二极管在电路中主要用作（         ）‍
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 发光
D: 可变电容器
答案: 【 可变电容器】

24、单选题：
‏工程上，一般硅二极管的正向导通电压取          V。‌
选项：
A: 0.7
B: 0.5
C: 0.2
D: 0.4
答案: 【 0.7】

25、单选题：
​工程上，一般锗二极管的正向导通电压取          V。‍
选项：
A: 0.2
B: 0.7
C: 0.1
D: 0.5
答案: 【 0.2】

26、判断题：
​半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大， 管子两端的电压变化也很小。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

27、判断题：
‌光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

28、判断题：
‍在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。 ‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

29、判断题：
​杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

30、判断题：
‏杂质离子不能移动，因此不是载流子。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

31、判断题：
‏N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

32、判断题：
‏二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

33、判断题：
‏肖特基二极管导通电压比普通二极管低。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

34、判断题：
​发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

35、判断题：
‎光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

36、判断题：
‌稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

37、判断题：
‎工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

38、判断题：
‏对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

39、判断题：
‍理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

40、判断题：
‏二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

41、判断题：
​热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

42、判断题：
‏PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

43、判断题：
‏对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

44、判断题：
‎只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

45、判断题：
‍本征激发会成对产生自由电子和空穴。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

46、判断题：
‌纯净的半导体称为本征半导体。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

47、判断题：
‍N型半导体的多数载流子是电子。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

48、判断题：
‍P型半导体中的多数载流子是空穴。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

49、判断题：
‎当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

50、判断题：
​在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

51、判断题：
‌二极管只要加正向电压便能导通。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

52、判断题：
‍二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

53、判断题：
‏只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

54、填空题：
‌纯净且无杂质的半导体称为                   。​
答案: 【 本征半导体】

55、填空题：
‏P型半导体中的多数载流子是                   。​
答案: 【 空穴】

56、填空题：
‍N型半导体的多数载流子是                 。​
答案: 【 电子##%_YZPRLFH_%##自由电子】

57、填空题：
‏当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个               。​
答案: 【 PN结##%_YZPRLFH_%##空间电荷区##%_YZPRLFH_%##耗尽层##%_YZPRLFH_%##阻挡层##%_YZPRLFH_%##势垒区】

58、填空题：
‏半导体二极管的最重要的特点是具有                 。‎
答案: 【 单向导电性】

59、填空题：
​变容二极管是一个非纯性电容，电容量随反向电压增加而           。‎
答案: 【 减小##%_YZPRLFH_%##变小】

60、填空题：
​用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远　　　于反向电阻，说明二极管性能较好。​
答案: 【 小##%_YZPRLFH_%##低】

61、填空题：
‎用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已　　　　　　。 ‎
答案: 【 短路##%_YZPRLFH_%##短接】

62、填空题：
‌稳压二极管是利用二极管的　　　　　　特性实现稳压。‌
答案: 【 反向击穿##%_YZPRLFH_%##稳压】

63、填空题：
​光电二极管工作时需加　　　偏置电压。‌
答案: 【 反向】

64、填空题：
‍稳压管使用时应串接　　　　　　　　，以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。‌
答案: 【 限流电阻##%_YZPRLFH_%##降压电阻##%_YZPRLFH_%##电阻】

2.1.1随堂测验

1、单选题：
‌晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度　　　　，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度　　　　，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。‍
选项：
A: 高；低
B: 高；高
C: 低；低
D: 低；高
答案: 【 高；低】

2、单选题：
​在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是　　　　　　的，PNP管的发射电流方向是　　　　　　的。​
选项：
A: 流入；流出
B: 流入；流入
C: 流出；流出
D: 流出；流入
答案: 【 流出；流入】

3、判断题：
‍晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.1.2随堂测验

1、单选题：
‌晶体管具有电流放大作用的外部条件是，发射结　　　　　，集电结           　。‎
选项：
A: 正偏；反偏
B: 正偏；正偏
C: 反偏；反偏
D: 反偏；正偏
答案: 【 正偏；反偏】

2、单选题：
‍晶体管截止的条件是，发射结　　　　　，集电结　　　　　。‍
选项：
A: 正偏；正偏
B: 正偏；反偏
C: 0偏或反偏；正偏
D: 零偏或反偏；反偏
答案: 【 零偏或反偏；反偏】

3、判断题：
‎晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.1.3随堂测验

1、单选题：
‌对于硅三极管，死区电压约为　　　，对于锗三极管，死区电压约为　　　　　　。‍
选项：
A: 0.1V；0.5V
B: 0.5V；0.1V
C: 0.7V；0.5V
D: 0.5V；0.2V
答案: 【 0.5V；0.1V】

2、单选题：
‍硅三极管的导通电压通常取为　　　　　　。​
选项：
A: 0.7V
B: 0.5V
C: 0.2V
D: 0.1V
答案: 【 0.7V】

3、单选题：
‍温度升高时，晶体管的导通电压　　　　，电流放大系数　　　　　　。‎
选项：
A: 增大；减小
B: 增大；增大
C: 减小；减小
D: 减小；增大
答案: 【 减小；增大】

2.1.4随堂测验

1、单选题：
​穿透电流随温度的上升而　　　　　，这时晶体管的温度稳定性　　　　　。‍
选项：
A: 增加；变好
B: 增加；变差
C: 减小；变差
D: 减小；变好
答案: 【 增加；变差】

2、判断题：
​集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.2.1随堂测验

1、单选题：
‎晶体管直流电路的分析方法主要有       　　　　　   。‌
选项：
A: 工程近似分析法
B: 图解分析法
C: 仿真分析法
D: 工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法
答案: 【 工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法】

2、判断题：
​在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用0.2V表示。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‎晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.2.2随堂测验

1、单选题：
‍晶体管发射结正偏导通时，工作状态有        和        两种可能。‏
选项：
A: 放大；截止
B: 放大；饱和
C: 截止；饱和
D: 放大；击穿
答案: 【 放大；饱和】

2、判断题：
‍晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.2.3随堂测验

1、单选题：
‎当输入为             时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。  ‍
选项：
A: 正弦小信号
B: 低频大信号
C: 低频小信号
D: 高频小信号
答案: 【 低频小信号】

2、判断题：
​图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‏在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.3.1随堂测验

1、单选题：
场效应管从结构上可分为两大类，即                                  和                                 。‏‏‏
选项：
A: MOS场效应管；结型场效应管
B: MOS场效应管；耗尽型场效应管
C: 增强型MOS场效应管；耗尽型场效应管
D: 耗尽型MOS场效应管；结型场效应管
答案: 【 MOS场效应管；结型场效应管】

2.3.2随堂测验

1、单选题：
‌对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为         场效应管和           场效应管。‍
选项：
A: MOS；结型
B: 增强型；结型
C: 增加型；耗尽型
D: 耗尽型；结型
答案: 【 增加型；耗尽型】

第2章单元测验

1、单选题：
​输入                时，可用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。‌
选项：
A: 低频大信号
B: 低频小信号
C: 高频大信号
D: 高频小信号
答案: 【 低频小信号】

2、单选题：
‏              具有不同的低频小信号模型。​
选项：
A: NPN管和PNP管
B: 增加型FET和耗尽型FET
C: 晶体管与场效应管
D: N沟道场效应管和P沟道场效应管
答案: 【 晶体管与场效应管】

3、单选题：
‍晶体管处于饱和状态时，要求　　　　　　　。‍
选项：
A: 发射结反偏，集电结反偏。
B: 发射结反偏，集电结正偏。
C: 发射结正偏，集电结反偏。
D: 发射结正偏，集电结正偏。
答案: 【 发射结正偏，集电结正偏。】

4、单选题：
‎晶体管截止时，两个PN结的偏置关系是　　　　　　　　　　　　　。‌
选项：
A: 发射结反偏或零偏，集电结反偏。
B: 发射结反偏或零偏，集电结正偏。
C: 发射结正偏，集电结反偏。
D: 发射结正偏，集电结正偏。
答案: 【 发射结反偏或零偏，集电结反偏。】

5、单选题：
​对小功率NPN硅管处于放大区时，　　　　　　　　　。‍
选项：
A: ＵＣＥ≥ＵＢＥ。
B: ＵＣＥ≤ＵＢＥ。
C: ＵＣＥ＝ＵＢＥ
D: ＵＣＥ≈0.3V
答案: 【 ＵＣＥ≥ＵＢＥ。】

6、单选题：
​对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于　　　　　　　后，才会形成导电沟道。‏
选项：
A: 开启电压绝对值
B: 夹断电压绝对值
C: 导通电压绝对值
D: 死区电压
答案: 【 开启电压绝对值】

7、单选题：
‏下列说法不正确的是　　　。‍
选项：
A: 双极型三极管通常简称为晶体管
B: 双极型三极管通常简称为三极管
C: 双极型三极管通常简称为BJT