大学MOOC 光电测试技术(湖北工程学院)1457939162 最新慕课完整章节测试答案
第2章光电探测器理论基础
光电探测器理论基础自测
1、单选题：
被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）
选项：
A: 内光电效应
B: 外光电效应
C: 光生伏特效应
D: 丹培效应
答案: 【 外光电效应】
2、单选题：
半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
选项：
A: 价带，导带
B: 价带，禁带
C: 禁带，导带
D: 导带，价带
答案: 【 价带，导带】
3、单选题：
一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为（）
选项：
A: 3nV
B: 4nV
C: 5nV
D: 6nV
答案: 【 4nV】
4、单选题：
已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（）
选项：
A: 
个/秒
B: 
个/秒
C: 
个/秒
D: 
个/秒
答案: 【 个/秒】
5、单选题：
某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能
为（）
选项：
A: 0.095J
B: 0.095eV
C: 
J
D: eV
答案: 【 0.095eV】
6、单选题：
已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为
，
，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）
选项：
A: 甲厂灵敏度高
B: 乙厂灵敏度高
C: 甲乙两场灵敏度一样高
D: 无法比较
答案: 【 乙厂灵敏度高】
7、单选题：
光电发射材料
的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
选项：
A: 
B: 
C: 1.82J
D: 1.83eV
答案: 【 1.83eV】
8、单选题：
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
选项：
A: 0.886J
B: 0.886eV
C: 886J
D: 886eV
答案: 【 0.886eV】
9、单选题：
对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）
选项：
A: 电子为多子
B: 空穴为少子
C: 能带图中施主能级靠近于导带底
D: 能带图中受主能级靠近于价带顶
答案: 【 能带图中受主能级靠近于价带顶】
10、单选题：
有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）
选项：
A: 半导体对光的吸收主要是本征吸收
B: 半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C: 产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D: 产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
答案: 【 半导体对光的吸收主要是本征吸收】
11、单选题：
对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）
选项：
A: 费米能级靠近导带底
B: 空穴为多子
C: 电子为少子
D: 费米能级靠近靠近于价带顶
答案: 【 费米能级靠近导带底】
12、单选题：
一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为（）
选项：
A: 
个/秒
B: 
个/秒
C: 
个/秒
D: 
个/秒
答案: 【 个/秒】
13、单选题：
某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）
选项：
A: 0.496um
B: 0.496nm
C: 0.248um
D: 0.248um
答案: 【 0.496um】
14、单选题：
某型号硅APD光敏面直径为0.5mm，等效噪声功率为
，电流灵敏度为77A/W，求该光电探测器的比探测率（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
15、单选题：
探测器的
，探测器光敏面积的直径为0.5cm，用于
的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
16、单选题：
温度为300K时
的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电流为（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
17、单选题：
温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电压为（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
18、单选题：
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，该材料的禁带宽度为（）
选项：
A: 0.886（eV）
B: 8.86（eV）
C: 88.6（eV）
D: 
答案: 【 0.886（eV）】
19、单选题：
光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
选项：
A: 1.82（eV）
B: 18.2（eV）
C: 
D: 0.182（eV）
答案: 【 1.82（eV）】
20、单选题：
已知本征硅材料的禁带宽度
，半导体材料的本征吸收长波限为（）
选项：
A: 1.216（um）
B: 
C: 1.03（um）
D: 
答案: 【 1.216（um）】
21、单选题：
温度为300K的本征硅半导体掺入
的砷原子，计算掺杂后硅半导体电子浓度为（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
22、单选题：
温度为300K的本征硅半导体掺入
的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
23、单选题：
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为
，禁带宽度为1.12eV，计算掺入
硼原子后硅中电子浓度为（）
选项：
A: 
B: 
C: