大学MOOC 半导体器件(金陵科技学院)1451339170 最新慕课完整章节测试答案

1半导体器件基本方程

1、单选题：
​空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（       ）。‌
选项：
A: 电荷密度
B: 电流密度
C: 正电荷密度
D: 负电荷密度
答案: 【 电荷密度】

2、多选题：
‎输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（      ）。‏
选项：
A: 载流子浓度
B: 电场强度
C: 载流子浓度梯度
D: 电荷密度
答案: 【 载流子浓度;
电场强度】

2.1.1PN结的基本知识

1、多选题：
​P型区和N型区的交界面称为（      ）。‎
选项：
A: 冶金结面
B: 表面
C: 结面
D: 界面
答案: 【 冶金结面;
结面】

2.1.2突变结空间电荷区和内建电势

1、单选题：
‎p型空间电荷区由（       ）构成。‍
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 带正电的电离施主杂质
D: 带负电的电离受主杂质
答案: 【 带负电的电离受主杂质】

2、多选题：

‎PN结的内建电势与（      ）有关。

‏选项：
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 材料种类
D: 外加电压
答案: 【 温度;
掺杂浓度;
材料种类】

2.2.1突变结的电荷区的电场分布和宽度

1、单选题：
‎采用耗尽近似，P型耗尽区内的(      )完全扩散掉。​
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 载流子
D: 带负电的电离受主杂质
答案: 【 载流子】

2、单选题：
‌采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（      ）成正比。​
选项：
A: 施主杂质浓度
B: 受主杂质浓度
C: 电子浓度
D: 空穴浓度
答案: 【 施主杂质浓度】

2.2.2单边突变结的电荷区的电场分布和宽度

1、多选题：
‎单边突变结的（      ）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。‎
选项：
A: 内建电势
B: 耗尽区宽度
C: 最大电场
D: 势垒高度
答案: 【 耗尽区宽度;
最大电场】

2.3.1平衡状态下PN结的能带图

1、判断题：
​处于平衡态的PN结，其费米能级EF处处相等。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

‍由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为的势垒。

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.3.2平衡PN结的空间电荷区载流子分布

1、单选题：

​在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将用（      ）代替。

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2.4.1平衡时载流子运动

1、单选题：
‍在平衡状态下，电子的电流密度（      ）。​
选项：
A: 等于0
B: 大于0
C: 小于0
D:  大于等于0
答案: 【 等于0】

2.4.2外加正向偏压下载流子运动

1、判断题：
‍PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.4.3外加反向偏压下载流子运动

1、单选题：
‍反偏电流的电荷来源是（      ），所以反向电流很小。‍
选项：
A: 多子
B: 少子
C:  电子
D:  空穴
答案: 【 少子】

2.5.1理想PN结直流电流电压特性的求解思路

1、单选题：

‌不考虑势垒区的产生-复合电流，和在势垒区为常数，这样总的电流密度等于，这样求解电流密度方程就只需在（      ）区进行。

​选项：
A: 耗尽
B: 中性
C: 势垒
D: 空间电荷
答案: 【 中性】

2.5.2外加偏压下少子浓度分布

1、判断题：
‎在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.5.3扩散电流

1、判断题：
‍反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.6.1势垒区复合产生电流

1、单选题：

‌反向偏置情况下，除空穴扩散电流和电子扩散电流外，还有（      ）。

‍选项：
A: 势垒区的产生电流
B: 势垒区的复合电流
C: 产生电流
D: 复合电流
答案: 【 势垒区的产生电流】

2、判断题：
‏正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。‎‏‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.6.2势垒区复合产生电流的计算

1、单选题：

‍当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在系统中的斜率为（      ）。

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2.7.1

1、单选题：
​在非平衡时，电子浓度可以用电子的准费米能级EFn来表示，则表达式为(   ).‎
选项：
A: n=niexp((EF-Ei)/kT)
B: n=niexp((Ei-EF)/kT)
C: n=niexp((EFn-Ei)/kT)
D: n=niexp((Ei-EFn)/kT)
答案: 【 n=niexp((EFn-Ei)/kT)】

2.7.2

1、单选题：
‏外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp高（      ）。‍
选项：
A: V
B: Vbi-V
C: q（Vbi-V）
D: qV
答案: 【 qV】

2.10

1、单选题：

‌对突变PN结，反向电压很大时，可以略去 ，这时势垒电容与（      ）成反比。

‌选项：
A: