大学MOOC 半导体器件物理(江苏信息职业技术学院)1002506002 最新慕课完整章节测试答案

半导体中的电子状态课堂练习

1、单选题：
‎1、以下关于本征半导体的说法，哪个是不正确的‍
选项：
A: 本征半导体就是不掺杂的半导体
B: 本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的
C: 本征激发产生的载流子多少只和温度有关 
D: 本征激发产生的电子和空穴总是一样多
答案: 【 本征激发产生的载流子多少只和温度有关 】

2、判断题：
‌2、导带和价带间应该是不会被电子占据的‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​3、只有导带才可以有电子填充，从而实现导电‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

半导体特性测验

1、单选题：
‎半导体接受光照，会使材料导电性能     ，电阻率      ‎
选项：
A: 上升，；上升
B: 下降，上升
C: 上升，下降
D: 下降，下降
答案: 【 上升，下降】

2、单选题：
‌以下说法正确的是‎
选项：
A: 价带肯定是满带
B: 导带肯定是空带
C: 禁带宽度的单位是长度单位
D: Ev是指价带顶
E: Ec是指导带底
答案: 【 Ev是指价带顶;
Ec是指导带底】

3、单选题：
​以下说法正确的是‏
选项：
A: 迁移率随着杂质浓度的增加而增加
B: 电阻率与杂质浓度成反比
C: 漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动 
D: 载流子的漂移速度只和温度及杂质浓度有关
答案: 【 电阻率与杂质浓度成反比】

4、单选题：
‍以下说法不正确的是‏
选项：
A: 温度越高，扩散越容易
B: 影响漂移和扩散的因素基本类似
C: 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D: 同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】

5、单选题：
​磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是‌
选项：
A: 是深能级杂质
B: 是间隙杂质
C: 是施主杂质
D: 电离后带负电
答案: 【 是施主杂质】

6、单选题：
‏关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是‏
选项：
A: N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B: N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C: N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D: N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【 N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】

7、多选题：

​已知Si中每立方厘米掺有个硼原子

‏选项：
A: 这是N-Si
B: 该半导体中NA=
C: 该半导体中电子浓度为
D: 该半导体中费米能级在禁带中心的下方
答案: 【 该半导体中NA=;
该半导体中费米能级在禁带中心的下方】

8、多选题：
‌关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有‎
选项：
A: 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
B: 空穴会在电场作用下沿电场方向漂移
C: 电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
D: 电子会在电场作用下沿电场方向漂移
答案: 【 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散;
空穴会在电场作用下沿电场方向漂移;
电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散】

9、多选题：
​关于半导体的晶体结构，以下说法中正确的是‌
选项：
A: 硅是金刚石结构
B: 单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同
C: 多晶硅中的原子排列杂乱无序，所以在集成电路制造过程中不使用
D: 晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元
答案: 【 硅是金刚石结构;
晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元】

10、判断题：
‍判断：热平衡是指当复合等于产生，不再继续进行时所实现的平衡 ‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

11、判断题：
‌判断：掺杂浓度越高，费米能级也越高‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‎判断：轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‏判断：复合作用越剧烈，少子扩散长度越大​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‎判断：允带和允带之间的能量间隔就是禁带‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、填空题：

‌已知N-Si中的少子寿命是10us，μn=1300/V•s，μp=400/V•s,则该材料中少子扩散系数为                   

‎答案: 【 10.4】

16、填空题：

‏已知N-Si中的少子寿命是10us，μn=1300/V•s，μp=400/V•s，则该材料中少子扩散长度为            

​答案: 【 102】

课堂练习半导体的基本特性

1、单选题：
‏1、以下哪个不是半导体的基本特性‌
选项：
A: 光敏
B: 热敏
C: 掺杂
D: 压敏
答案: 【 压敏】

2、单选题：
‍2、单晶硅的晶体结构是哪一种‏
选项：
A: 体心立方
B: 面心立方
C: 金刚石
D: 闪锌矿
答案: 【 金刚石】

3、单选题：
‍3、单晶硅中最重要的晶面有几个‎
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】

4、单选题：
‏4、常用半导休的元素是元素周期表中的哪一族元素‍
选项：
A: VI
B: III
C: IV
D: V
答案: 【 IV】

5、单选题：

‍5、图中所示晶面的密勒指数是（   ）

​选项：
A: （2，1，3）
B: （3，6，2）
C: （6，3，2）
D: （1，2，3）
答案: 【 （2，1，3）】

随堂测验杂质半导体

1、单选题：
‍1、硼原子在硅中属于哪种杂质‍
选项：
A: 替位式杂质
B: 间隙式杂质
C: 层错
D: 位错
答案: 【 替位式杂质】

2、单选题：
‌2、以下半于杂质半导体，说法不正确的是​
选项：
A: N型半导体中多子是电子，少子是空穴
B: P型半导体可以掺磷（P）得到
C: P型半导体主要靠空穴导电
D: 向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
答案: 【 P型半导体可以掺磷（P）得到】

3、判断题：
‌3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

随堂测验载流子的运动

1、单选题：
‏2、关于半导体中载流子的运动，说法正确的是​
选项：
A: 载流子的扩散是在电场作用下的定向运动
B: 载流子的漂移运动方向都是从高电位指向低电位
C: 迁移率是用来描述载流子漂移运动难易程度的物理量
D: 电子的扩散运动方向是从低浓度指向高浓度
答案: 【 迁移率是用来描述载流子漂移运动难易程度的物理量】

2、判断题：
​1、复合作用越剧烈，少子扩散长度越大‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

随堂测验非平衡载流子

1、单选题：
​1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的‍
选项：
A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 
B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏
C: 复合作用越强，少子寿命越短
D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
答案: 【 少子寿命是载流子的平均存在时间 】

2、判断题：
​2、小注入条件下，非平衡少子对于多数载流子基本无影响‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

江苏信息17微电第一章单元测试

1、单选题：
‌半导体接受光照，会使材料导电性能    ，电阻率     ‍
选项：
A: 变差，变大
B: 变好，变小
C: 变差，变小
D: 变好，变大
答案: 【 变好，变小】

2、单选题：
‌以下说法正确的是‎
选项：
A: Ev是指价带顶
B: 禁带宽度是指价带和导带间的距离
C: 价带肯定是满带
D: 导带肯定是空带
答案: 【 Ev是指价带顶】

3、单选题：
‌以下说法正确的是‍
选项：
A: 电阻率与杂质浓度成反比
B: 迁移率随着杂质浓度的增加而增加
C: 漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动 
D: 载流子的迁移率只和温度及杂质浓度有关
答案: 【 电阻率与杂质浓度成反比】

4、单选题：
​以下说法不正确的是‏
选项：
A: 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
B: 杂质浓度越高，扩散越不容易
C: 影响漂移和扩散的因素基本类似
D: 同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】

5、单选题：
​磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是‎
选项：
A: 是施主杂质
B: 是深能级杂质
C: 是间隙杂质
D: 电离后带负电
答案: 【 是施主杂质】

6、单选题：
‍非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是​
选项：
A: N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
B: N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
C: N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D: N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【 N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】

7、单选题：

‍已知Si中每立方厘米掺有个硼原子

‌选项：
A: 这是N-Si
B: 该半导体中费米能级在禁带中心的上方
C: 该半导体中NA=
D:

该半导体中电子浓度为

答案: 【 该半导体中NA=】

8、单选题：
‎关于半导体中的载流子，以下说法g不正确的有​
选项：
A: 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
B: 空穴会在电场作用下沿电场方向漂移
C: 电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
D: 电子会在电场作用下沿电场方向漂移
答案: 【 电子会在电场作用下沿电场方向漂移】

9、单选题：
‌不会影响半导体本征载流子浓度的因素是‏
选项：
A: 温度
B: 材料类别
C: 掺杂浓度
D: 禁带宽度
答案: 【 掺杂浓度】

10、单选题：
​关于半导体的晶体结构，以下说法中正确的是‍
选项：
A: 硅是闪锌矿结构
B: 晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元
C: 单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同
D: 多晶