大学MOOC 集成电路制造工艺仿真技术(厦门理工学院)1452138188 最新慕课完整章节测试答案

第十讲 作业

1、单选题：
通常采用重掺杂硅与金属接触来实现互连系统的欧姆接触，此时硅的掺杂浓度N>     atoms/cm3。‏​‏
选项：
A: 10∧18
B: 10∧19
C: 10∧20
D: 10∧21
答案: 【 10∧19】

2、多选题：
‏IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：‌
选项：
A: 在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B: 在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C: 在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D: 在铝膜表面覆盖Si3N4。
答案: 【 在淀积的铝膜中掺入约1%Si；;
在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；】

3、多选题：