大学MOOC 模拟集成电路设计(山东工商学院)1206259801 最新慕课完整章节测试答案

绪论小测

1、单选题：
‎IC是什么？​
选项：
A: 集成电路
B: 工业技术
C: 信息技术
D: 电子电路
答案: 【 集成电路】

2、单选题：
​ADC是（）​
选项：
A: 数模转换器
B: 模数转换器
C: 数数转换器
D: 模模转换器
答案: 【 模数转换器】

3、单选题：
‏DAC的中文意思是（）‍
选项：
A: 数模转换器
B: 模数转换器
C: 数数转换器
D: 模模转换器
答案: 【 数模转换器】

4、单选题：
‌下列关于CMOS的说法不正确的是​
选项：
A: 其全称是Complemented Metal Oxide Semiconductor
B: 是互补型MOS，同时采用NMOS和PMOS
C: 开关期间功耗小
D: 不能与数字系统工艺兼容
答案: 【 不能与数字系统工艺兼容】

5、判断题：
‌高速数字电路设计实际上是模拟电路的设计。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‍芯片内和间的数据和时钟的分布以及时序问题要求将高速信号作为模拟波形处理‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍SOC芯片中同时包含有大量的模拟、数字电路​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
​CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‎模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‎模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
​高性能模拟电路的设计都可以自动完成‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‏模拟电路设计是一个严密的过程，不需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
‏Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor指的是N型MOS器件‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‎许多器件和电路的参数随制造工艺（Process）、电源电压（Voltage）和环境温度（Temperature）而变化‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、填空题：
​SOC的英文是（）‏
答案: 【 System on a chip##%_YZPRLFH_%##system on a chip##%_YZPRLFH_%##System On a Chip】

16、填空题：
‏SOC 的中文是（）‌
答案: 【 片上系统】

17、填空题：
‏MOS的英文全称是（）‍
答案: 【 Metal Oxide Semiconductor##%_YZPRLFH_%##Metal oxide semiconductor##%_YZPRLFH_%##metal oxide semiconductor】

18、填空题：
​MOS的中文是（）‎
答案: 【 金属氧化物半导体##%_YZPRLFH_%##金属氧化物半导体器件】

19、填空题：
‍IC的英文全称是（）‎
答案: 【 Integrated Circuits##%_YZPRLFH_%##Integrated Circuit##%_YZPRLFH_%##Integrated circuits##%_YZPRLFH_%##integrated circuits##%_YZPRLFH_%##Integrated circuit##%_YZPRLFH_%##integrated circuit】

20、填空题：
‌IC的中文全称是（）‏
答案: 【 集成电路】

第2章小测

1、单选题：
‎下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有‍
选项：
A: NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。
B: NMOS器件的源漏对称。
C: NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。
D: NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
答案: 【 NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。】

2、单选题：
‌下列关于MOS器件说法不正确的有（）‎
选项：
A: MOS器件具有高输入阻抗。
B: MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源。
C:

NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接最高电平。
D: 工作状态的MOS管所有PN结必须反偏（或零偏）。
答案: 【 MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源。】

3、单选题：
‏放大应用时，一般控制MOS 器件工作在（）‌
选项：
A: 饱和区
B: 线性区  
C:  截止区 
D: 深线性区
答案: 【 饱和区】

4、单选题：
‍MOS器件的电流电压特性的说法，不正确的是（）‏
选项：
A: 当，并且 时，NMOS器件工作在线性区。
B:

当时，NMOS器件工作在截止区。
C:

当，时，NMOS器件工作在饱和区。
D: 当时，且时，NMOS器件工作在深线性区。
答案: 【 当时，且时，NMOS器件工作在深线性区。】

5、单选题：
‏下列关于MOS器件I/V特性的说法，不正确的是（）‌
选项：
A: 工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源。
B: 工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源。
C: 当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止 。
D: 当  >， > 时，NMOS器件的沟道被夹断。
答案: 【 当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止 。】

6、多选题：
‌下列哪些是描述NMOS器件的符号？‍
选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
答案: 【 ;
;
】

7、多选题：
‌下列哪些是描述PMOS器件的符号？‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

8、多选题：
‏下列对器件尺寸参数描述正确的有​
选项：
A: L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B: 是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C: 一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D: 一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度
答案: 【 L是器件的沟道长度，W是器件的宽度;
是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定;
一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L】

9、多选题：
‎下列关于阈值电压的说法，不正确的有（）​
选项：
A: 对于N型MOSFET，界面的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅压。
B:

若 ，则MOS管导通。
C:

若，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断。
D:

在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度可以调整阈值电压。
E:

工艺确定后，确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压。
F: PMOS器件的V要足够“负”，才能使其导通。
答案: 【 

若 ，则MOS管导通。;

工艺确定后，确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压。】

10、多选题：

‏对于如图电路，说法正确的有（）

‎

‏

‎选项：
A: 当，饱和导通，