大学MOOC 模拟电子技术(三江学院)1462290165 最新慕课完整章节测试答案

二极管及其特性随堂测验

1、单选题：
‎硅二极管正向特性与锗二极管相比，门槛电压值是（  ）。‌
选项：
A: 硅二极管的较小
B: 硅二极管的较大
C: 两者一样大
D: 锗二极管的较大
答案: 【 硅二极管的较大】

2、单选题：
‎温度升高时，二极管的（  ).‍
选项：
A: 正向导通压降增大
B: 反向电流减小
C: 反向电流增大
D: 正向导通压降和反向电流都减小
答案: 【 反向电流增大】

二极管基本应用电路的分析方法随堂测验

1、判断题：
‎与采用理想模型分析相比较，二极管采用恒压降模型分析的精度比较高。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎正向工作时，二极管的电流越大，它呈现的直流电阻越大。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‌正向工作时，二极管的静态电流越大，它呈现的交流电阻越小。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

半导体基础知识随堂测验

1、单选题：
‎P型半导体中，自由电子的浓度（      ）空穴的浓度。‌
选项：
A: 小于
B: 大于
C: 等于
D: 小于等于
答案: 【 小于】

2、单选题：
‌N半导体中，自由电子的浓度（      ）空穴的浓度。‎
选项：
A: 小于
B: 大于
C: 等于
D: 小于等于
答案: 【 大于】

3、判断题：
‌PN结的正偏时呈低阻导通状态。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‏PN结的反偏电压值在一定范围变化时，反向电流值变化不大。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

特殊二极管随堂测验

1、单选题：
‍正常工作时，稳压管应工作在（      ）。​
选项：
A: 正向导通状态
B: 反向截止状态
C: 反向击穿状态
D: 零偏状态
答案: 【 反向击穿状态】

2、判断题：
‍一般来说，发光二极管的正向导通电压比普通二极管的大。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‍正常工作时，光电二极管应工作在正偏状态。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第1章单元测验

1、单选题：
‎N型半导体中的多数载流子为（      ）。‍‎‍
选项：
A: 空穴
B: 正离子
C: 自由电子
D: 负离子
答案: 【 自由电子】

2、单选题：
​硅二极管的正向特性与锗二极管相比，门槛电压值是（  ）。​​​
选项：
A: 锗二极管的较大
B: 锗二极管的较小
C: 硅二极管的较小
D: 两者差不多大
答案: 【 锗二极管的较小】

3、单选题：
‎正向工作时，二极管的电流越大，它呈现的直流电阻（  ）。‎
选项：
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 怎么变化还要其他条件
答案: 【 越小】

4、单选题：
‎正常工作时，稳压管应工作在（      ）状态。‍‎‍
选项：
A: 零偏
B: 正向导通
C: 反向截止
D: 反向击穿
答案: 【 反向击穿】

5、单选题：
​正常工作时，光电二极管应工作在（   ）状态。‍
选项：
A: 正向导通
B: 反向击穿
C: 反偏
D: 零偏
答案: 【 反偏】

6、判断题：
‍正向工作时，二极管的静态电流越大，它呈现的交流电阻越大。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‎一般来说，发光二极管的正向导通电压比普通二极管的大。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‍温度升高时，二极管的反向饱和电流增大。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、填空题：

‌下图所示电路中,设二极管具有理想特性，当输入电压uI等于5V时，输出电压uo等于   V。

‍

‌

‍

‌

‍答案: 【 2】

10、填空题：

‌下图所示电路中，若稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和8V，稳定电流均为3mA，则在不考虑安全工作的情况下，输出电压Uo等于    V。

​

‌

​

‌

​答案: 【 6】

场效应管及其基本应用随堂测验

1、单选题：
‎下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（    ）。‏
选项：
A: 耗尽型P沟道MOS管
B: 耗尽型N沟道MOS管
C: 增强型N沟道MOS管
D: N沟道结型场效应管
答案: 【 增强型N沟道MOS管】

2、单选题：
‏场效应管（FET）属于（    ）器件。‎
选项：
A: 电阻型
B: 电感型
C: 电流控制型
D: 电压控制型
答案: 【 电压控制型】

3、单选题：
‎下列电路符号中，属于增强型MOS管的是（   ）。‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

4、多选题：
​下列组合中，放大状态下低频小信号电路模型（等效电路）相同的是（   ）。‏
选项：
A: 晶体管和场效应管
B: NPN型晶体管和PNP型晶体管
C: 结型场效应管和MOS型场效应管
D: NPN型晶体管和结型场效应管
答案: 【 NPN型晶体管和PNP型晶体管;
结型场效应管和MOS型场效应管】

5、判断题：
​N沟道场效应管的导电通道是N型半导体。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

晶体管及其特性随堂测验

1、单选题：
​1、NPN和PNP型晶体管的区别取决于(    )。‎
选项：
A: 半导体材料硅和锗的不同
B: 掺杂浓度的不同
C: P型区和N型区的位置不同
D: 掺杂元素的不同
答案: 【 P型区和N型区的位置不同】

2、判断题：
​2、晶体管（BJT）具有电流放大作用的内部条件之一，是发射区的掺杂浓度远比基区的大。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​3、晶体管（BJT）具有电流放大作用的内部条件之一，是基区的宽度足够大。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
‎4、要使晶体管具有电流放大作用，必须给它的发射结和集电结都加正偏电压。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

晶体管基本应用电路及其分析随堂测验

1、单选题：
‎1、电容对直流信号相当于（   ）。‎
选项：
A: 短路
B: 断路
C: 一个10欧姆电阻
D: 一个1H电感
答案: 【 断路】

2、单选题：
‏2、直流电压源对交流信号相当于（     ）。‌
选项：
A: 短路
B: 断路
C: 一个10欧姆电阻
D: 一个1H电感
答案: 【 短路】

3、单选题：
‌3、一个容量足够大的电容对交流信号相当于（   ）。‍
选项：
A: 断路
B: 短路
C: 一个足够大的电感
D: 一个足够大的电阻
答案: 【 短路】