大学MOOC 模拟电子技术基础(陕西科技大学)1002604041 最新慕课完整章节测试答案

第1章自测题

1、单选题：
‏本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        ‎
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无关
答案: 【 等于】

2、单选题：
​在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于               。‍
选项：
A: 材料
B: 温度
C: 压力
D:  掺杂浓度
答案: 【  掺杂浓度】

3、单选题：
‏在掺杂半导体中，少子的浓度受           的影响很大。‌
选项：
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 压力
答案: 【 温度】

4、单选题：
​在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度              。‍
选项：
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 越低】

5、单选题：
‌N型半导体               。​
选项：
A: 就是空穴型半导体
B: 带正电
C: 带负电
D: 呈电中性
答案: 【 呈电中性】

6、单选题：
‎温度升高，N型半导体的电阻率               。‌
选项：
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将增大】

7、单选题：
​环境温度升高，二极管的反向饱和电流             ​
选项：
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将增大】

8、单选题：
‏普通二极管的正向电压降温度系数                   。​
选项：
A: 为正
B: 为负
C: 为零
D: 无法判断
答案: 【 为负】

9、单选题：
‎确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。‍
选项：
A: UD ，IF 
B: IF ，IS 
C: UD，UR
D: IF，UR
答案: 【 IF，UR】

10、单选题：
‍对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压          。​
选项：
A: 将升高
B: 将降低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 将升高】

11、单选题：
​二极管的反偏电压升高，其结电容          。​
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小】

12、单选题：
‏硅二极管的死区电压约为          。​
选项：
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 【 0.5V】

13、单选题：
‌二极管的伏安特性表示式为            。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

14、单选题：
‍已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为          。​
选项：
A: UD/ID
B: UT/ID
C: UD/IS
D: UT/IS
答案: 【 UD/ID】

15、单选题：
‍已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为             。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

16、单选题：

‍某硅二极管在正向电压时，正向电流。若增大到0.66V，则电流约为          。

‌选项：
A: 11mA
B: 20mA
C: 500mA
D: 100mA
答案: 【 100mA】

第2章自测题（1）

1、单选题：
‌晶体管能够放大的外部条件是             。‍
选项：
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

2、单选题：
‍当晶体管工作于饱和状态时，其             。‎
选项：
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结正偏】

3、单选题：
‍硅晶体管的死区电压约为             。‌
选项：
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D:  0.5V
答案: 【  0.5V】

4、单选题：
​锗晶体管的导通压降|UBE|约为             。‌​‌
选项：
A: 0.1V
B: 0.3V
C: 0.5V
D: 0.7V
答案: 【 0.3V】

5、单选题：
‌测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为        。‌
选项：
A: 40
B: 50
C: 60
D: 100
答案: 【 60】

6、单选题：
‎温度升高，晶体管的电流放大系数b          。‏
选项：
A: 无法判断
B: 不变
C: 减小
D: 增大
答案: 【 增大】

7、单选题：
‍温度升高，晶体管的管压降|UBE|          。‌
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小】

8、单选题：
‍温度升高，晶体管输入特性曲线         。‏
选项：
A: 右移
B: 左移
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 左移】

9、单选题：
​温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔        。‌
选项：
A: 不变
B: 减小
C: 增大
D: 无法判断
答案: 【 增大】

10、单选题：

‍当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是        。

​选项：
A: 晶体管一定被烧毁
B: 晶体管的
C: 晶体管的b一定减小
D: 晶体管一定处于饱和状态
答案: 【 晶体管的b一定减小】

11、单选题：
‏测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为      。‍
选项：
A: NPN型锗管
B: NPN型硅管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: 【 PNP型锗管】

12、单选题：
‎测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管      。‎
选项：
A: 处于饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 已损坏
答案: 【 已损坏】

13、单选题：
‌对于电压放大器来说，         越大，电路的放大能力越强。‏
选项：
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 信号源内阻
答案: 【 输入电阻】

14、单选题：
‌对于电压放大器来说，         越小，电路带负载的能力越强。‍
选项：
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 输入电压
答案: 【 输出电阻】

15、单选题：
‎在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是      失真。‏
选项：
A: 幅度
B: 相位
C: 截止
D: 饱和
答案: 【 饱和】

16、单选题：

​一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压的幅度时，输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应        。

‎

​

‎选项：
A: 减小
B: 增大
C: 减小
D: 减小
答案: 【 减小】

第2章自测题（2）

1、单选题：
‌NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为     。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‏引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。‌
选项：
A: 晶体管的电流放大系数太大
B: 电源电压太高
C: 电压放大倍数太高
D: 晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案: 【 晶体管参数随环境温度的变化而变化】

3、单选题：
‏在放大电路中，直流负反馈可以________。‌
选项：
A: 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
B: 提高放大电路的放大倍数
C: 提高放大电路的输入电阻
D: 稳定电路的静态工作点
答案: 【 稳定电路的静态工作点】

4、单选题：
‌某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为       。‍
选项：
A: 0.5kW
B: 1kW
C: 2kW 
D: 2.5kW
答案: 【 1kW】

5、单选题：

‏已知图示放大电路中的，，，,晶体管的，。那么，该晶体管处于何种状态？         。

​

‏

​选项：
A: 放大状态
B: 饱和状态
C: 截止状态
D: 无法判断
答案: 【 饱和状态】

6、单选题：

已知图示放大电路中的，，，,晶体管的为50，。那么，该晶体管处于何种状态？         。

​

​选项：
A: 放大状态
B: 饱和状态
C: 截止状态
D: 无法判断
答案: 【 放大状态】

7、单选题：

已知图示放大电路中的，，，,晶体管的为50，。当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现何种失真？_______。

‎

‎选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 饱和与截止
D: 无法判断
答案: 【 饱和】

8、单选题：

​若三级放大电路的