大学MOOC 模拟电子电路(杭州电子科技大学)1002893002 最新慕课完整章节测试答案

第1次测验

1、单选题：
​如果某个二极管外加正向电压为1.0V，那么下列哪类模型不适合用于该问题的分析？‌
选项：
A: 数学模型
B: 理想二极管模型
C: 折线模型
D: 恒压降模型
答案: 【 理想二极管模型】

2、单选题：
‎当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将（）‎
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 未知
答案: 【 变窄】

3、单选题：
‏在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来快速判断二极管工作状态的是（）‍
选项：
A: 数学模型
B: 恒压降模型
C: 折线模型
D: 理想二极管模型
答案: 【 理想二极管模型】

4、单选题：
‎PN结的形成过程可以简述如下：​
选项：
A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡
B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡
D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
答案: 【 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡】

5、单选题：
‎一个50Hz正弦波输入全波整流器后，其输出信号的频率是（）‌
选项：
A: 25Hz
B: 50Hz
C: 100Hz
D: 0Hz
答案: 【 100Hz】

6、单选题：
‍如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路，则输出信号表现为（）‍‍‍
选项：
A: 0V 
B: 半波整流后的波形
C: 幅度减小的波形
D: 不受影响的波形
答案: 【 半波整流后的波形】

7、单选题：
​齐纳二极管广泛应用于（）。‍​‍​‍
选项：
A: 限流器
B: 配电器
C: 稳压器
D: 可变电阻
答案: 【 稳压器】

8、单选题：

‌限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）。

‌

‌

‌选项：
A: 3V, 6V
B: 3.7V，6.7V
C: -3V, 6V
D: -3.7V, 6.7V
答案: 【 -3V, 6V】

9、单选题：

‍判断如图所示电路中各二极管的工作状态。

‏

‍

‏选项：
A: D1导通， D2截止
B: D1导通，D2导通
C: D1截止，D2导通
D: D1截止，D2截止
答案: 【 D1截止，D2导通】

10、单选题：

‍限幅电路如图所示，稳压对管参数为VD(on) = 0.7V，VZ = 7.3V，rZ = 0Ω，则其设定的输出信号上下限为（）。

‏

‍

‏

‍提示：这里的DZ叫稳压对管，里面包含两个一模一样、相对连接的齐纳二极管。

‏选项：
A: -7.3V, 7.3V
B: -7.3V，8V
C: -8V, 7.3V
D: -8V, 8V
答案: 【 -8V, 8V】

11、单选题：
‏在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。‏
选项：
A: 理想二极管
B: 恒压降模型
C: 折线模型
D: 数学模型
答案: 【 恒压降模型】

12、单选题：
​为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（  ）价杂质，从而使得半导体内（  ）浓度大大增加。‌
选项：
A: +5，自由电子
B: +5，空穴
C: +3，自由电子
D: +3，空穴
答案: 【 +5，自由电子】

13、单选题：
‍为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（  ）价杂质，从而使得半导体内（  ）浓度大大增加。‍
选项：
A: +5，自由电子
B: +5，空穴
C: +3，自由电子
D: +3，空穴
答案: 【 +3，空穴】

14、多选题：
‎下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象?（）‌
选项：
A: 正弦信号
B: 三角波信号
C: 格雷码信号
D: 数字图像信号
答案: 【 正弦信号;
三角波信号】

15、多选题：
​下面对PN结单向导电性描述正确的是（）‎
选项：
A: 正向导通，反向截止
B: 正偏时PN结等效为一个大电阻
C: 反偏时PN结等效为一个大电阻
D: 正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
答案: 【 正向导通，反向截止;
反偏时PN结等效为一个大电阻】

16、多选题：
‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍
选项：
A: 热击穿
B: 齐纳击穿
C: 雪崩击穿
D: 以上都可以
答案: 【 齐纳击穿;
雪崩击穿】

17、判断题：
‎只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
​齐纳二极管只能用作稳压用途。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
‎整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第2次测验

1、单选题：

‌某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为____dB，上限截止频率为____Hz，下限截止频率为____Hz。

‍

‌

‍选项：
A: 20；1000；10
B: 40；10000；1000
C: 40；10000；0
D: 60；1000；0
答案: 【 60；1000；0】

2、单选题：
​场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。‎‎​‎
选项：
A: 多子
B: 少子
C: 电子
D: 空穴
答案: 【 多子】

3、单选题：
‍MOSFET中的导电沟道是指其（）？‎‍‎
选项：
A: 金属层
B: 耗尽层
C: 反型层
D: 氧化层
答案: 【 反型层】

4、单选题：

​NEMOSFET饱和区的工作条件为                 ，              。

‎

​

‎选项：
A: >, <
B: >, >
C: <, <
D:  <, >
答案: 【 >, >】

5、单选题：
‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（  ）kΩ 。‌
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

6、单选题：
‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的____电位，PMOS的衬底应接在电路的____电位。‏
选项：
A: 最高，最高
B: 最高，最低
C: 最低，最高
D: 最低，最低
答案: 【 最低，最高】

7、单选题：

‎电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，，忽略沟道长度调制效应，则电阻 =（ ）kΩ，=（ ）kΩ。

‏

‎

‏

‎

‏选项：
A: 5, 3.25
B: 4, 6
C: 3, 7
D: 3.25, 5
答案: 【 3.25, 5】

8、单选题：

‌已知某NMOS器件的Vt=1V，，=50V，且工作点电流=0.5mA，则其小信号模型参数=（   ）mA/V，=(   )kΩ。

‎选项：
A: 1,100
B: 0.5，50
C: 1, 50
D: 2,100
答案: 【 1,100】

9、多选题：
‎某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（ ）。‏‎‏
选项：
A: 400dB
B: 1000V/V
C: 60dB
D: 30dB
答案: 【 1000V/V;
60dB】

10、多选题：

‏已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

‎

‏

‎选项：
A: 状态1：饱和区；状态2：饱和区：
B: 状态1：截止区；状态2：饱和区
C: 状态3：变阻区；状态4：饱和区
D: 状态3：饱和区；状态4：变阻区
答案: 【 状态1：截止区；状态2：饱和区;
状态3：变阻区；状态4：饱和区】

11、多选题：

‎当时，能够导通的MOS管为（  ）。

​选项：
A: NEMOSFET
B: NDMOSFET
C: PEMOSFET
D: PDMOSFET
答案: 【 NDMOSFET;
PDMOSFET】

12、多选题：
‍若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（  ）。‌
选项：
A: 该放大器为互导放大器
B: 该放大器为互阻放大器
C: 理想情况下该放大器输入电阻极高
D: 理想情况下该放大器输入电阻极低
E: 理想情况下该放大器输出电阻极高
F: 理想情况下该放大器输出电阻极低
答案: 【 该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高】

13、判断题：
‌MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：

‍假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

‎

‍

‎选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
​在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：

‍如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。

‍

‍

‍

‍

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
‌MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。​‌​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第3次测验

1、单选题：
‍CD放大器具有较（  ）的输入电阻和较（  ）的输出电阻。‌‍‌‍‌
选项：
A: 高，高
B: 高，低
C: 低，高
D: 低，低
答案: 【 高，低】

2、单选题：
‍CG放大器具有较（  ）的输入电阻和较（  ）的输出电阻。​
选项：
A: 高，高
B: 高，低
C: 低，高
D: 低，低
答案: 【 低，高】

3、单选题：

​在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

‏

​

‏选项：
A: 增大 不变 减小
B: 不变 增大 不变
C: 不变 不变 减小
D: 增大 不变 增大
答案: 【 不变 不变 减小】

4、单选题：

‌电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

​

‌

​选项：
A:  不变 增大 增大
B: 不变 减小 减小
C: 增大 减小 不变
D: 增大 不变 减小
答案: 【  不变 增大 增大】

5、单选题：

​I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。

‎

​

‎选项：
A: 10
B: 15
C: 12.5
D: 8
答案: 【 15】

6、单选题：

‌VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。

​

‌    

​

‌      (a)              (b)

​选项：
A: 1
B: 2
C: 0.5
D: 0.25
答案: 【 2】

7、单选题：
​用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（  ）。‌
选项：
A: 不太高的电压增益
B: 较高的输入电阻
C: 较高的输出电阻
D: 较高的带宽
答案: 【 较高的输出电阻】

8、单选题：
‌以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？‍
选项：
A: CS组态
B: 源极带电阻的CS组态
C: CG组态
D: CD组态
答案: 【 CD组态】

9、单选题：
‍CG放大器的性能描述合理的是（  ）。‏
选项：
A: 对电压信号有极好的放大作用
B: 对电流信号有极好的放大作用
C: 有较高的输入输出电阻
D: 可用作电流跟随器
答案: 【 可用作电流跟随器】

10、多选题：
‌CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（   ）。‎
选项：
A: 稳定静态工作点
B: 控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真
C: 降低电压增益
D: 提高输入输出电阻
答案: 【 稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益】

11、多选题：
‎CD放大器的性能特征有（  ）。‎
选项：
A: 可作电压跟随器使用
B: 可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换
C: 良好的参数特性使其非常适合用于单级电压放大
D: 良好的参数特性使其非常适合用于单级电流放大
答案: 【 可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换】

12、判断题：
‎CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‍CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‍CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
​源极上接有RS的CS放大器以