大学MOOC 专用集成电路设计(广东工业大学)1450776168 最新慕课完整章节测试答案

第一章测试

1、单选题：
‏摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）‌
选项：
A: 计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B: 功耗密度持续提高、散热无法解决
C: 互连延时降低，互连能耗减小
D: 工艺复杂，成本降低难以持续
答案: 【 互连延时降低，互连能耗减小】

2、单选题：
‏到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？ ‎
选项：
A: 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B: 在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸已停止下降
C: 在14nm FinFET出现后，工艺特征尺寸下降的很缓慢
D: 不知道
答案: 【 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】

3、多选题：
‏你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？​
选项：
A: 速度
B: 功耗
C: 可靠性
D: 面积
答案: 【 速度;
功耗;
面积】

4、判断题：
‌摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‎VLSI芯片内部处理的是模拟信号‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
‌集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第二章测试

1、单选题：
‍下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‍以下哪个条件是线性区的条件‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、判断题：
‌MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‌MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第二章 下 测试

1、单选题：
‍重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内‍
选项：
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
答案: 【 栅极电压】

2、单选题：
‎下列哪个选项不属于设计与工艺接口‌
选项：
A: 工艺抽象
B: 电学设计规
C: 几何设计规则
D: 工艺检查与监控
答案: 【 工艺抽象】

3、判断题：
‍几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：

‍下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第三章测试

1、单选题：

​下图对应的逻辑表达式是

‎

​

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：

‌下图等效宽长比为2:1，求ABCD四个PMOS和NMOS管的宽长比

‏

‌

‏选项：
A: 4,8,8,4   2,2,2,1
B: 8,8,8,8   2,2,2,2
C: 4,4,4,8   1,1,1,2
D: 4,4,4,4   1,1,1,1
答案: 【 4,8,8,4   2,2,2,1】

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