大学MOOC 模拟电子技术(安庆师范大学)1451645201 最新慕课完整章节测试答案
2. 二极管及其基本电路
单元测验1（二极管及其基本电路）
1、单选题：
当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。
选项：
A: 自由电子个数增加，空穴个数基本不变。
B: 空穴个数增加，自由电子个数基本不变。
C: 空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。
D: 空穴和自由电子的个数均保持不变。
答案: 【 空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。】
2、单选题：
N型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A: 3价
B: 4价
C: 5价
D: 6价
答案: 【 5价】
3、单选题：
P型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A: 3价
B: 4价
C: 5价
D: 6价
答案: 【 3价】
4、单选题：
半导体中的少数载流子产生的原因是 。
选项：
A: 内电场
B: 热激发
C: 掺杂
D: 外电场
E: 本征激发
答案: 【 热激发;
本征激发】
5、单选题：
随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将 。
选项：
A: 略有增加
B: 减少
C: 保持不变
D: 与温度成比例增加
答案: 【 略有增加 】
6、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。
选项：
A: 杂质浓度
B: 温度
C: 本征半导体
D: 掺杂工艺
答案: 【 杂质浓度】
7、单选题：
当PN结承受反向电压时，其内部电流关系为 。
选项：
A: 扩散电流大于漂移电流
B: 扩散电流等于漂移电流
C: 扩散电流小于漂移电流
D: 无法确定
答案: 【 扩散电流小于漂移电流】
8、单选题：
用数字万用表的电阻档无法正确测量二极管，你的结论是 。
选项：
A: 电阻档无法给二极管提供正常的偏置
B: 万用表的内阻与二极管不匹配
C: 万用表内部电池电压过低
D: 这种情况不存在，我就是这样测的
答案: 【 电阻档无法给二极管提供正常的偏置 】
9、单选题：
PN结的内电场方向是 。
选项：
A: 由P区指向N区
B: 由N区指向P区
C: 与外加电压有关
D: 不确定
答案: 【 由N区指向P区】
10、单选题：
齐纳二极管正常稳压时工作在 状态。
选项：
A: 放大
B: 反向击穿
C: 正向导通
D: 反向截止
答案: 【 反向击穿】
11、单选题：
二极管基本电路如图所示，已知R = 1kΩ。当VDD =10V 时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V 时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项：
A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
C: 10mA，1mA；9.3mA，3mA
D: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
答案: 【 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】
12、单选题：
PN结中的内电场阻止 的扩散运动，促进 的漂移运动。
选项：
A: 多数载流子；少数载流子
B: 少数载流子；多数载流子
C: 空穴；电子
D: 电子；空穴
答案: 【 多数载流子；少数载流子】
13、单选题：
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，这种类型的半导体 。
选项：
A: 本身是中性的
B: 本身不带电
C: 带正电
D: 带负电
E: 可能带正电，也可能带负电
答案: 【 本身是中性的;
本身不带电】
14、单选题：
PN结外加正向电压时，其空间电荷区 。
选项：
A: 变窄
B: 变宽
C: 不变
D: 消失
答案: 【 变窄】
15、单选题：
在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
选项：
A: 有
B: 没有
C: 只有多数
D: 只有少数
答案: 【 没有】
16、单选题：
在热激发条件下，价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
选项：
A: 自由电子-空穴对
B: 正离子
C: 负离子
D: 空穴
答案: 【 自由电子-空穴对】
17、单选题：
发光二极管必须施加 才能发光；光电二极管正常工作时应加 。
选项：
A: 正偏电压，反偏电压
B: 正偏电压，正偏电压
C: 反偏电压，反偏电压
D: 反偏电压，正偏电压
答案: 【 正偏电压，反偏电压】
18、单选题：
电路如图所示，若vs是振幅为15V的正弦波，则二极管两端的