1 半导体器件

第一单元测验

1、单选题:
‏在杂质半导体中多子的数量主要与 有关。‎
选项:
A: 杂质类型
B: 掺杂浓度
C: 温度
D: 光照
答案: 【 掺杂浓度

2、单选题:
​在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是 、N型半导体中的电流主要是 ,‏
选项:
A: 电子电流、空穴电流
B: 空穴电流、电子电流
C: 离子电流、空穴电流
D: 离子电流、电子电流
答案: 【 空穴电流、电子电流

3、单选题:
​稳压管工作在稳压状态下,是工作在 区。‌
选项:
A: 正向导通
B: 正向但不导通
C: 反向击穿
D: 反向截止
答案: 【 反向击穿

4、单选题:
‏测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1=3.5V, V2=2.9V, V3=12V,关于管子的类型、材料及三个极的判断,正确的是 。‍
选项:
A: NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C
B: NPN型锗管,1、2、3依次为B、E、C
C: PNP型硅管,1、2、3依次为C、B、E
D: PNP型锗管,1、2、3依次为C、B、E
答案: 【 NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C

5、单选题:
​PNP型三极管工作在线性区的外部条件是 。​
选项:
A: VE<VB <VC
B: VC<VB<VE
C: VE<VC<VB
D: VB<VC<VE
答案: 【 VC<VB<VE

6、单选题:
‍对于二极管,以下说法不正确的是 。‍
选项:
A: 二极管加正向电压时,二极管就导通
B: 二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C: 二极管的正向导通压降,硅管比锗管高
D: 同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小
答案: 【 二极管加正向电压时,二极管就导通

7、单选题:
‏对于PN结,以下说法正确的是 。​
选项:
A: P型半导体带正电
B: N型半导体带负电
C: 本征半导体对外不显电性
D: 杂质半导体对外显电性
答案: 【 本征半导体对外不显电性

8、单选题:
‎在杂质半导体中少子的数量主要与 有关。‎
选项:
A: 杂质类型
B: 掺杂浓度
C: 温度
D: 光照
答案: 【 温度

9、多选题:

测得某三极管三个电极上的电流大小和方向如图所示,以下说法正确的是

‎选项:
A: 管子为NPN型
B: 管子为PNP型
C: 左边的管脚为基极
D: 中间的管脚为集电极
E: 右边的管脚为发射极
F: 管子的β值约为40
答案: 【 管子为PNP型;
右边的管脚为发射极;
管子的β值约为40

10、多选题:

已知某三极管β=50,今测得三个电极上的电流大小和方向如下图所示,则以下说法正确的是

‍选项:
A: 管子工作正常的放大状态
B: 管子工作在非正常状态
C: 管子工作正常的饱和状态
D: 管子工作正常的截止状态
E: 中间的管脚为集电极
F: 右边的管脚为集电极
G: 左边的管脚为基极
答案: 【 管子工作正常的饱和状态;
右边的管脚为集电极

11、多选题:

1所示电路中,忽略D上的正向管压降,则

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