大学MOOC 2017秋微电子工艺（田丽）(哈尔滨工业大学)1002236012 最新慕课完整章节测试答案
第一单元，第1章 硅片的制备
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第一周作业
1、单选题：
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A: （100）
B: （111）
C: （110)
D: (211)
答案: 【 （111）】
2、单选题：
磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
选项：
A: 轴向均匀
B: 轴向递减
C: 轴向递増
D: 径向递减
答案: 【 轴向递减】
3、多选题：
关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A: 可以多次缩颈
B: 为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C: 为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D: 为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【 可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】
4、判断题：
在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、填空题：
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
答案: 【 O##%_YZPRLFH_%##氧】
第二单元，第3章 热氧化
第三周作业
1、单选题：
通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】
2、多选题：
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】
3、判断题：
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题：
热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】
5、填空题：
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）
答案: 【 分凝】
第三单元，第6章 化学汽相淀积
第六周作业
1、单选题：
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
选项：
A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B: 淀积速率受气相质量输运控制；
C: 淀积速率受表面化学反应控制；
D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
答案: 【 淀积速率受气相质量输运控制；】
2、单选题：
poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
选项：
A: PECVD
B: LPCVD
C: APCVD
D: LCVD
答案: 【 LPCVD】
3、多选题：
关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
选项：
A: 含H；
B: 抗腐蚀性好；
C: 台阶覆盖性较好；
D: 是中温工艺；
E: 常作为芯片的保护膜；
F: 常作为腐蚀掩膜。
答案: 【 含H；;
台阶覆盖性较好；;
常作为芯片的保护膜；】
4、判断题：
等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、填空题：
CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散； ；表面迁移。
答案: 【 再发射】