第一章概论

第一章测试

1、单选题:
​摩尔定律将遇到前所未有的挑战,挑战不包含哪个()‌
选项:
A: 计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B: 功耗密度持续提高、散热无法解决
C: 互连延时降低,互连能耗减小
D: 工艺复杂,成本降低难以持续
答案: 【 互连延时降低,互连能耗减小

2、单选题:
‌到今年为止,工艺尺寸还在scaling down吗? ‏
选项:
A: 是的,目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B: 在14nm FinFET出现后,工艺特征尺寸已停止下降
C: 在14nm FinFET出现后,工艺特征尺寸下降的很缓慢
D: 不知道
答案: 【 是的,目前最新工艺已进展到10nm、7nm

3、多选题:
‏你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么?‌
选项:
A: 速度
B: 功耗
C: 可靠性
D: 面积
答案: 【 速度;
功耗;
面积

4、判断题:
‌摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍‍
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

5、判断题:
‌VLSI芯片内部处理的是模拟信号‎
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

6、判断题:
​集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展,是因为对技术奖进步的追求,最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。‍
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

第二章MOS晶体管原理

第二章测试

1、单选题:
‍下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线​
选项:
A:
B:
C:

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