大学MOOC 微电子工艺(广州轻工19-20学年第二学期)(广州市轻工技师学院)1205795815 最新慕课完整章节测试答案

第二讲 作业

1、单选题：
‌VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：‎
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】

2、多选题：
​在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？‎
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】

3、判断题：
‌如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
​外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。‏
答案: 【