大学MOOC 数字集成电路设计(无锡科技职业学院)1002742008 最新慕课完整章节测试答案

单元测验

1、单选题：
‍N型半导体是掺入    价元素构成，多数载流子是      ；P型半导体是掺入    价元素构成，多数载流子是      。‍
选项：
A: 三，空穴，五，电子
B: 三，电子，五，空穴
C: 五，空穴，三，电子
D: 五，电子，三，空穴
答案: 【 五，电子，三，空穴】

2、判断题：
‏由底向上设计是一种逐级分解、变换，将系统要求转变为电路和版图的过程。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
​CMOS技术以其速度高和驱动能力大，高频低噪声等优点，成为当今VLSI制造的主流技术。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、填空题：
‍英文缩写MOSFET的中文含义是                。‌
答案: 【 金属-氧化物-半导体场效应晶体管】

随堂测验

1、判断题：
‌N型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是电子。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

单元测验

1、单选题：
‌下面哪个是非饱和区的条件？‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：

‎下面两张图分别描述的是       管和       管的转移特性。

‍

‎

‍选项：
A: 增强型NMOS，增强型PMOS
B: 增强型NMOS，耗尽型PMOS
C: 增强型PMOS，耗尽型NMOS
D: 耗尽型PMOS，耗尽型NMOS
答案: 【 增强型NMOS，耗尽型PMOS】

3、单选题：

‎假设等效反相器中NMOS宽长比为2，PMOS宽长比为3，求下图ABC三个NMOS和PMOS管的宽长比。

‏

‎         

‏选项：
A: 2,2,2,3,3,3
B: 4,4,4,6,6,6
C: 4,4,4,3,6,6
D: 2,2,2,6,6,6
答案: 【 4,4,4,3,6,6】

4、单选题：

‍下面这个版图实现的功能是什么？

‌

‍

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【