大学MOOC 模拟电子技术(石庆研)(中国民航大学)1450413185 最新慕课完整章节测试答案
第1讲 (第1章 绪论 &第2章 晶体二极管及应用电路)
文章目录
1.1随堂测验
1、多选题:
通过本课程的学习,同学们将会掌握模拟电子技术的
选项:
A: 基本概念
B: 基本电路
C: 基本分析方法
D: 以上说法都不对
答案: 【 基本概念;
基本电路;
基本分析方法】
第一次课程单元测试
1、单选题:
P型半导体( )。
选项:
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 不确定
答案: 【 不带电】
2、单选题:
N型半导体( )。
选项:
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 不确定
答案: 【 不带电】
3、填空题:
物质按导电能力可以分为导体、绝缘体、 。
答案: 【 半导体】
4、填空题:
半导体具有 性、热敏性、光敏性。
答案: 【 掺杂】
5、填空题:
空穴带 电。
答案: 【 正】
6、填空题:
P型半导体的多子是 。
答案: 【 空穴】
7、填空题:
载流子在电场力的作用下所作的运动称为 运动。
答案: 【 漂移】
8、填空题:
由于浓度差而产生的运动称为 运动。
答案: 【 扩散】
第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续1)
第2讲 单元测验
1、判断题:
该描述:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题:
因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题:
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题:
可以将3V的电池直接以正向接法接到二极管的两端。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题:
当二极管两端的正向电压变大时,其交流电阻将变大。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题:
雪崩击穿、齐纳击穿均为可逆击穿。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题:
温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题:
温度升高时,二极管的开启电压将增大。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第3讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续2)
第2章测试
1、单选题:
N型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A: 五价元素
B: 四价元素
C: 三价元素
D: 二价元素
答案: 【 五价元素】
2、单选题:
P型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A: 五价元素
B: 四价元素
C: 三价元素
D: 二价元素
答案: 【 三价元素】
3、单选题:
当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 ( ) 。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 随机态
答案: 【 增大】
4、单选题:
当温度升高时,二极管导通压降会( ) 。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 随机态
答案: 【 减小】
5、单选题:
PN结电容包括( )。
选项:
A: 势垒电容和扩散电容
B: 耦合电容和旁路电容
C: 垒电容和耦合电容
D: 散电容和旁路电容
答案: 【 势垒电容和扩散电容】
6、单选题:
稳压管的稳压区是其工作在( )。
选项:
A: 正向导通
B: 反向截止
C: 反向击穿
D: 不确定
答案: 【 反向击穿】
7、判断题:
本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题:
P型半导体带正电,N型半导体带负电。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
9、判断题:
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题:
