大学MOOC 模拟电子技术(王力)(中国民航大学)1450411185 最新慕课完整章节测试答案
第1讲 (第1章 绪论 &第2章 晶体二极管及应用电路)
文章目录
小测试
1、单选题:
电阻、电容、电感属于什么器件?
选项:
A: 无源器件
B: 有源器件
C: 有源器件或者无源器件,需要根据外围电路来判断。
D: 有源器件或者无源器件,需要根据使用环境来判断。
答案: 【 无源器件】
2、单选题:
二极管、三极管、场效应管属于什么器件?
选项:
A: 无源器件
B: 有源器件
C: 有源器件或者无源器件,需要根据外围电路来判断。
D: 有源器件或者无源器件,需要根据使用环境来判断。
答案: 【 有源器件】
3、单选题:
典型电子信息系统的构成顺序正确的是:
选项:
A: 信号的提取部分、信号预处理部分、信号的加工部分、信号的执行部分
B: 信号的提取部分、信号的执行部分、信号预处理部分、信号的加工部分
C: 信号的提取部分、信号预处理部分、信号的执行部分、信号的加工部分
D: 信号的执行部分、信号预处理部分、信号的提取部分、信号的加工部分
答案: 【 信号的提取部分、信号预处理部分、信号的加工部分、信号的执行部分】
4、多选题:
下列器件中属于有源器件的是(多选)
选项:
A: 二极管
B: 电感
C: 电容
D: 场效应管
答案: 【 二极管;
场效应管】
小测验
1、多选题:
下列关于杂质半导体的说法中,正确的是:
选项:
A: P型半导体本身带有正电,N型半导体本身带有负电。
B: P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,这两种载流子都参与导电。
C: N型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴,这两种载流子都参与导电。
D: 杂质半导体中的多数载流子的浓度大于本征半导体中载流子浓度,而少数载流子浓度则小于本征半导体中载流子浓度。
答案: 【 P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,这两种载流子都参与导电。;
N型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴,这两种载流子都参与导电。;
杂质半导体中的多数载流子的浓度大于本征半导体中载流子浓度,而少数载流子浓度则小于本征半导体中载流子浓度。】
2、判断题:
杂质半导体中少数载流子是靠本征激发产生的。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题:
杂质半导体中两种载流子浓度不同,其导电能力主要依靠多数载流子的浓度来决定。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续)
小测验
1、单选题:
二极管电路如图,可以判定二极管状态为( )。![]()
选项:
A: 二极管导通
B: 二极管截止
C: 无法判断
D: 有可能导通,有可能截止。
答案: 【 二极管截止】
2、单选题:
二极管电路如图所示,判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压。![]()
选项:
A: D1截止,D2导通,-6V。
B: D1导通,D2截止,0V。
C: D1导通,D2导通,0V。
D: D1截止,D2截止,12V。
答案: 【 D1截止,D2导通,-6V。】
第2章测试
1、单选题:
N型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A: 五价元素
B: 四价元素
C: 三价元素
D: 二价元素
答案: 【 五价元素】
2、单选题:
P型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A: 五价元素
B: 四价元素
C: 三价元素
D: 二价元素
答案: 【 三价元素】
3、单选题:
当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 ( ) 。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 随机态
答案: 【 增大】
4、单选题:
当温度升高时,二极管导通压降会( ) 。
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 随机态
答案: 【 减小】
5、单选题:
PN结电容包括( )。
选项:
A: 势垒电容和扩散电容
B: 耦合电容和旁路电容
C: 垒电容和耦合电容
D: 散电容和旁路电容
答案: 【 势垒电容和扩散电容】
6、判断题:
本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题:
P型半导体带正电,N型半导体带负电。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题:
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题:
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题:
在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第3章 测试
第3章 测试 (题库中有55题,每次随机抽取15题)
1、单选题:
晶体三极管工作在放大区时,具有如下特点
选项:
A: 发射结正偏,集电结反偏。
B: 发射结反偏,集电结正偏。
C: 发射结正偏,集电结正偏。
D: 发射结反偏,集电结反偏。
答案: 【 发射结正偏,集电结反偏。】
2、单选题:
晶体三极管工作在饱和区时,具有如下特点
选项:
A: 发射结正偏,集电结反偏。
B: 发射结反偏,集电结正偏。
C: 发射结正偏,集电结正偏。
D: 发射结反偏,集电结反偏。
答案: 【 发射结正偏,集电结正偏。】
3、单选题:
在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。
选项:
A: 共射
B: 共集
C: 共基
D: 不确定,取决于外围电路。
答案: 【 共集】
4、单选题:
对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为______。
![]()
选项:
A: RB开路
B: RC开路
C: RB短路
D: RB过小
答案: 【 RB开路】
5、单选题:
对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈0时,有可能是因为________。
![]()
选项:
A: RB开路
B: RC开路
C: RB短路
D: RB过小
答案: 【 RB过小】
6、单选题:
对于下图所示放大电路,当VCC=12V,RC=2kΩ,集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V,这说明______。
![]()
选项:
A: 电路工作正常
B: 三极管工作不正常
C: 电容Ci短路
D: 电容Co短路
答案: 【 电容Co短路】
7、单选题:
对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,仅当RB增大时,UCEQ将______。
![]()
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增大】
8、单选题:
对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,若仅当RC减小时,UCEQ将______。
![]()
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增大 】
9、单选题:
对于下图所示放大电路,若其他电路参数不变,若仅当RL增大时,UCEQ将______。
![]()
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 不变】
10、单选题:
对于下图所示放大电路,若其它电路参数不变,若仅更换一个β较小的三极管时,UCEQ将______。
![]()
选项:
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增大 】
11、单选题:
对于下图所示放大电路中,输入电压ui
