大学MOOC 模拟电子技术基础(西昌学院)1455899164 最新慕课完整章节测试答案
2.二极管及其基本电路
单元测验1二极管及其基本电路
1、单选题：
当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。
选项：
A: 自由电子个数增加，空穴个数基本不变。
B: 空穴个数增加，自由电子个数基本不变。
C: 空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。
D: 空穴和自由电子的个数均保持不变。
答案: 【 空穴和自由电子的个数都增加，而且它们增加的数量相等。】
2、单选题：
N型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A: 3价
B: 4价
C: 5价
D: 6价
答案: 【 5价】
3、单选题：
P型半导体可以在纯净半导体中掺入 元素实现。
选项：
A: 3价
B: 4价
C: 5价
D: 6价
答案: 【 3价】
4、单选题：
半导体中的少数载流子产生的原因是 。
选项：
A: 内电场
B: 热激发
C: 掺杂
D: 外电场
E: 本征激发
答案: 【 热激发;
本征激发】
5、单选题：
随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将 。
选项：
A: 略有增加
B: 减少
C: 保持不变
D: 与温度成比例增加
答案: 【 略有增加 】
6、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。
选项：
A: 杂质浓度
B: 温度
C: 本征半导体
D: 掺杂工艺
答案: 【 杂质浓度】
7、单选题：
当PN结承受反向电压时，其内部电流关系为 。
选项：
A: 扩散电流大于漂移电流
B: 扩散电流等于漂移电流
C: 扩散电流小于漂移电流
D: 无法确定
答案: 【 扩散电流小于漂移电流】
8、单选题：
用数字万用表的电阻档无法正确测量二极管，你的结论是 。
选项：
A: 电阻档无法给二极管提供正常的偏置
B: 万用表的内阻与二极管不匹配
C: 万用表内部电池电压过低
D: 这种情况不存在，我就是这样测的
答案: 【 电阻档无法给二极管提供正常的偏置 】
9、单选题：
PN结的内电场方向是 。
选项：
A: 由P区指向N区
B: 由N区指向P区
C: 与外加电压有关
D: 不确定
答案: 【 由N区指向P区】
10、单选题：
齐纳二极管正常稳压时工作在 状态。
选项：
A: 放大
B: 反向击穿
C: 正向导通
D: 反向截止
答案: 【 反向击穿】
11、单选题：
二极管基本电路如图所示，已知R = 1kΩ。当VDD =10V 时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V 时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项：
A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
C: 10mA，1mA；9.3mA，3mA
D: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
答案: 【 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】
12、单选题：
PN结中的内电场阻止 的扩散运动，促进 的漂移运动。
选项：
A: 多数载流子；少数载流子
B: 少数载流子；多数载流子
C: 空穴；电子
D: 电子；空穴
答案: 【 多数载流子；少数载流子】
13、单选题：
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，这种类型的半导体 。
选项：
A: 本身是中性的
B: 本身不带电
C: 带正电
D: 带负电
E: 可能带正电，也可能带负电
答案: 【 本身是中性的;
本身不带电】
14、单选题：
PN结外加正向电压时，其空间电荷区 。
选项：
A: 变窄
B: 变宽
C: 不变
D: 消失
答案: 【 变窄】
15、单选题：
在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
选项：
A: 有
B: 没有
C: 只有多数
D: 只有少数
答案: 【 没有】
16、单选题：
在热激发条件下，价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
选项：
A: 自由电子-空穴对
B: 正离子
C: 负离子
D: 空穴
答案: 【 自由电子-空穴对】
17、单选题：
发光二极管必须施加 才能发光；光电二极管正常工作时应加 。
选项：
A: 正偏电压，反偏电压
B: 正偏电压，正偏电压
C: 反偏电压，反偏电压
D: 反偏电压，正偏电压
答案: 【 正偏电压，反偏电压】
18、单选题：
电路如图所示，若vs是振幅为15V的正弦波，则二极管两端的最大反向电压为 V。
选项：
A: 27
B: 13
C: 3
D: -3
答案: 【 27】
19、单选题：
电路如图所示，二极管看成是理想的。若vI1=0V，vI2=5V，输出电压vO的值是 。
选项：
A: 5V
B: 0V
C: 不确定
D: 10V
答案: 【 5V】
20、单选题：
在使用齐纳二极管时，必须 。
选项：
A: 串联限流电阻
B: 并联限流电阻
C: 串联二极管
D: 并联二极管
答案: 【 串联限流电阻】
21、单选题：
由理想二极管构成的电路如图所示，电压
（ ）V。
选项：
A: -12
B: 15
C: -3
D: 0
答案: 【 -12】
22、单选题：
稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为7V，正向导通电压均为0.7V，其输出电压
为（ ）V。
选项：
A: 7.7
B: 14
C: 1.4
D: 6.3
答案: 【 7.7】
23、判断题：
发光二极管要正向偏置，光电二极管要反向偏置。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
24、判断题：
由于PN结交界面两边存在电位差，所以把PN结两端短路会有电流通过。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
25、判断题：
用万用表的R×100Ω和R×1kΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果相同。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
26、判断题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3.双极结型三极管及其放大电路基础
单元测验2三极管及其放大电路
1、单选题：
BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。
选项：
A: 正偏，反偏
B: 反偏，正偏
C: 零偏，正偏
D: 正偏，正偏
答案: 【 正偏，反偏】
2、单选题：
半导体三极管的特点是 。
选项：
A: 输入电流控制输出电流
B: 输入电压控制输出电压
C: 输入电流控制输出电压
D: 输入电压控制输出电流
答案: 【 输入电流控制输出电流】
3、单选题：
NPN型三极管工作于饱和状态时，三个电极的电位关系为 。
选项：
A: VB>VC, VB>VE
B: VE>VC, VC>VB
C: VC>VB>VE
D: VE>VB>VC
答案: 【 VB>VC, VB>VE 】
4、单选题：
在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于 。
选项：
A: 硅NPN型
B: 硅PNP型
C: 锗PNP型
D: 锗NPN型
答案: 【 硅NPN型】
5、单选题：
对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于 。
选项：
A: 截止状态
B: 放大状态
C: 饱和状态
D: 无法确定
答案: 【 截止状态】
6、单选题：
对半导体三极管，测得其发射结、集电结均正偏，此时该三极管处于 。
选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 无法确定
答案: 【 饱和状态】
7、单选题：
带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后其电压放大倍数 。
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 变为零
答案: 【 增大】
8、单选题：
放大电路在小信号运用时的动态特性如Au、Ri、Ro等，应采用的分析方法是 。
选项：
A: 微变等效电路法
B: 图解法
C: 瞬时极性法
D: 估算法
答案: 【 微变等效电路法 】
9、单选题：
在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是 。
选项：
A: 饱和失真
B: 截止失真
C: 频率失真
D: 交越失真
答案: 【 饱和失真】
10、单选题：
某放大状态的三极管，测得其管脚电位为：①脚u1=0V，②脚u2=-0.7V，③脚u3=6V。则可判定该管为 。
选项：
A: NPN型，②脚是e极
B: NPN型，①脚是e极
C: NPN型，①脚是c极
D: NPN型，③脚是e极
答案: 【 NPN型，②脚是e极 】
11、单选题：
三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的特点是 。
选项：
A: 能放大功率不能放大电压
B: 能放大电流能放大电压
C: 能放大功率不能放大电流
D: 能放大电压不能放大电流
答案: 【 能放大功率不能放大电压】
12、单选题：
下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选 。
选项：
A: 共射组态
B: 共基组态
C: 共集组态
D: 共漏组态
答案: 【 共射组态 】
13、单选题：
以下几项中，错误使用三极管的是 。
选项：
A: 尽量选用反向电流大的管子
B: 温度高的工作场合使用硅管 &