大学MOOC 模拟电子技术(邵阳学院)1458073166 最新慕课完整章节测试答案

19电信3、4班——测验1二极管及其基本电路

1、单选题：
‌半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中        的移动。‏
选项：
A: 自由电子
B: 共价键中价电子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 共价键中价电子】

2、单选题：
‌N型半导体中的多数载流子是       ，而P型半导体中的多数载流子是       。​
选项：
A: 自由电子，空穴
B: 空穴，自由电子
C: 自由电子，正离子
D: 空穴，负离子
答案: 【 自由电子，空穴】

3、单选题：
‌PN结内电场方向是由          。‏
选项：
A: N区指向P区
B: P区指向N区
C: 不确定
D: 与外加电压有关
答案: 【 N区指向P区】

4、单选题：
‎PN结正偏是指         。‍
选项：
A: N区电位高于P区
B: P区电位高于N区
C: P区和N区电位相等
D: 与外加电压无关
答案: 【 P区电位高于N区】

5、单选题：
‌二极管正偏时应重点关注         ，反偏时应重点关注          。​
选项：
A: 导通电流和耗散功率，最大反向电压
B: 最高工作频率，最大反向电压
C: 结电容，最高工作频率
D: 最大反向电压，结电容
答案: 【 导通电流和耗散功率，最大反向电压】

6、单选题：
‌齐纳二极管正常稳压时，工作在          状态。‍
选项：
A: 正向导通
B: 反向截止
C: 反向击穿
D: 放大
答案: 【 反向击穿】

7、单选题：
‌点亮发光二极管应加         ，光电二极管正常工作时应加          ，变容二极管正常工作时应加          。​
选项：
A: 正偏电压，反偏电压，反偏电压
B: 反偏电压，正偏电压，正偏电压
C: 反偏电压，正偏电压，反偏电压
D: 正偏电压，正偏电压，反偏电压
答案: 【 正偏电压，反偏电压，反偏电压】

8、单选题：
​已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd =           。‏
选项：
A: 19.2 kΩ
B: 1 kΩ
C: 52 kΩ
D: 52 Ω
答案: 【 52 Ω】

9、单选题：

设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        。

‎

‎

​

‎选项：
A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B: 10mA，1mA；9.3mA，3mA
C: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 【 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】

10、单选题：

12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为        ，二极管两端的最大反向电压为         。

‍

‍

‎

‍选项：
A: 240mA，24V
B: 120mA，12V
C: 120mA，36V
D: 360mA，36V
答案: 【 120mA，36V】

11、单选题：

二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是            。

‍

   

‍

‏

‍

‏

‍选项：
A: vO的a列
B: vO的b列
C: vO的c列
D: vO的d列
答案: 【 vO的b列】

12、单选题：

电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为      ，vO的静态电压      ；动态时，vO的交流电压振幅为      。

‎

‎

‌

‎选项：
A: 2mA，2V；0.05V
B: 1.3mA，1.3V；0.05V
C: 2mA，2V；0.049V
D: 1.3mA，1.3V；0.049V
答案: 【 1.3mA，1.3V；0.049V】

13、单选题：

稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是         。

‎

‎

‎

‎选项：
A: 大于111W
B: 小于111W
C: 大于111kW
D: 小于111kW
答案: 【 大于111W】

14、判断题：
‏半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
‌对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：
​二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：
‍通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‌在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19电信3、4班——测验2三极管及其放大电路

1、单选题：
‍BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。‎
选项：
A: 正偏，反偏
B: 反偏，正偏
C: 零偏，正偏
D: 反偏，零偏
答案: 【 正偏，反偏】

2、单选题：
‍当温度升高时，BJT集电极电流______。‎
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增大】

3、单选题：
‍BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_______和_______放大电路。‏
选项：
A: 功率，共集电极
B: 共集电极，反馈
C: 反馈，功率
D: 共集电极，共基极
答案: 【 共集电极，共基极】

4、单选题：
‌NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______，此时应该_______基极电流。‍
选项：
A: 饱和失真，增大
B: 截止失真，减小
C: 交越失真，减小
D: 截止失真，增大
答案: 【 截止失真，增大】

5、单选题：
​用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_______，该管是________型。‌
选项：
A: b、c、e；NPN
B: c、b、e；NPN
C: e、c、b；NPN
D: b、c、e；PNP
答案: 【 e、c、b；NPN】

6、单选题：

复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是            ，3端是             。

​

​

‎

​选项：
A: 基极，集电极
B: 集电极，发射极
C: 发射极，集电极
D: 发射极，基极
答案: 【 发射极，集电极】

7、单选题：

图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_______ （设各电容的容抗可忽略）。

‍

‍

‏

‍选项：
A: 图(a)
B: 图(b)
C: 图(c)
D: 图(d)
答案: 【 图(b)】

8、单选题：
‏测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。‎
选项：
A: VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V
B: VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V
C: VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V
D: VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V
答案: 【 VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V】

9、单选题：

设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为________。

‍

‍

‍

​

‍选项：
A: 图(a)
B: 图(b)
C: 图(c)
D: 图(d)
答案: 【 图(b)】

10、单选题：

射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为________。

‎

‎

‍

‎选项：
A: -90
B: -103
C: -110
D: -120
答案: 【 -103】

11、判断题：
‎NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‍同一只BJT，无论在什么情况下，它的b 值始终不变。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
​BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、判断题：
‌在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
‍直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、判断题：
‌BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：
‏可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‎BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19电信3、4班——测验3场效应管及其放大电路

1、单选题：
‌场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。‏
选项：
A: 电流，电场
B: 电场，电压
C: 电流，电压
D: 电压，电流
答案: 【 电场，电压】

2、单选题：
‎N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。‎
选项：
A: 空穴
B: 电子
C: 电子和空穴
D: 正离子
答案: 【 电子】

3、单选题：
​P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。‎
选项：
A: 正值
B: 负值
C: 零值
D: 不确定的
答案: 【 负值】

4、单选题：

一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。

‎

‎

‏

‎选项：
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道增强型
D: P沟道耗尽型
答案: 【 P沟道增强型】

5、单选题：
​在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。​
选项：
A: 共漏，共源，共栅，共漏，共栅
B: 共源，共漏，共栅，共漏，共栅
C: 共漏，共栅，共源，共漏，共栅
D: 共漏，共栅，共漏，共源，共栅
答案: 【 共漏，共源，共栅，共漏，共栅】

6、单选题：
‍用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。‎
选项：
A: 大
B: 小
C: 相等
D: 不能确定
答案: 【 大】

7、单选题：

在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。

‏

‏

‏

‏

‏选项：
A: 图（a）
B: 图（b）
C: 图（c）
D: 图（a）和图（b）
答案: 【 图（b）】

8、单选题：
‌当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。‌
选项：
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: P沟道增强型
答案: 【 N沟道耗尽型】

9、单选题：

试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。

‍

‍

​

‍选项：
A: 图（a）
B: 图（b）
C: 图（c）
D: 图（d）
答案: 【 图（b）】

10、单选题：

 设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_______。

‏

‏

​

‏选项：
A: 图（b）
B: 图（c）
C: 图（d）
D: 图（b）和图（d）
答案: 【 图（d）】

11、单选题：

已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。

‌

‌

‎

‌选项：
A: 图(c)，-10，2075 kW
B: 图(b)，-3.3，2075 kW
C: 图(b)，-10，2075 kW
D: 图(c)，-3.3，2075 kW
答案: 【 图(b)，-3.3，2075 kW】

12、判断题：
‍放大电路的静态是指输入端短路时的状态。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
‏小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‍在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
‎MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：
​作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：
​MOSFET的低频跨导gm是一个常数。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‌增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
‍场效应管仅靠一种载流子导电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
‌设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
‏设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‏设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19电信3、4班——测验4集成运算放大电路

1、单选题：
‌当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid=        mV，vic=        mV。‍
选项：
A: 100，200
B: 100，400
C: 200，100
D: 50，200
答案: 【 100，200】

2、单选题：
‎双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为       mV。‍
选项：
A: 1000
B: 600
C: -200
D: 800
答案: 【 1000】

3、单选题：
‌电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。‌
选项：
A: 双口网络，恒定
B: 单口网络，很小
C: 单口网络，很大
D: 双口网络，很小
答案: 【 单口网络，很大】

4、单选题：
‎放大电路产生零点漂移的主要原因是             。‏
选项：
A: 采用了直接耦合方式
B: 采用了阻容耦合方式
C: 采用了正负双电源供电
D: 增益太大
答案: 【 采用了直接耦合方式】

5、单选题：
‌差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。‍
选项：
A: 差模增益的大小
B: 共模增益的大小
C: 抑制零漂的能力
D: 带负载能力
答案: 【 抑制零漂的能力】

6、单选题：
‎差分式放大电路最重要的特点是             。‌
选项：
A: 较高的差模增益和很低的共模增益
B: 零点漂移严重
C: 频带很宽
D: 输入电阻很小
答案: 【 较高的差模增益和很低的共模增益】

7、单选题：
‌在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是              。‌
选项：
A: 提高输入电阻
B: 提高差模电压增益
C: 提高共模电压增益
D: 提高共模抑制比
答案: 【 提高共模抑制比】

8、单选题：
‎集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的            能力强。‌
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 带负载
D: 抑制零点漂移
答案: 【 抑制零点漂移】

9、单选题：
‍设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。‎
选项：
A: 12mV
B: 10mV
C: 200mV
D: 120mV
答案: 【 12mV】

10、单选题：

在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc2＝10kW，BJT的β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝________；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1»________，共模抑制比KCMR »________。

‏

‏

​

‏选项：
A: 5.7V, -93.5, 467.5
B: 5V, -93.5, 467.5
C: 5.7V, 93.5, 467.5
D: 5V, 93.5, 767.5
答案: 【 5.7V, -93.5, 467.5】

11、单选题：

‍

求第一级电路的静态工作点？

‍

‍

​

‍选项：
A: IBQ=6.7A；ICQ1mA；UCEQ1=4.7V
B: IBQ=7.7mA；ICQ10mA；UCEQ1=6.7V
C: IBQ=2.7A；ICQ1A；UCEQ1=3.7V
D: IBQ=3.7A；ICQ10mA；UCEQ1=1.7V
答案: 【 IBQ=6.7A；ICQ1mA；UCEQ1=4.7V】

12、单选题：

‏

求第二级电路的静态工作点？

‏

‏

‎

‏选项：
A: IBQ=13A；ICQ2mA；UCEQ2=2V
B: IBQ=13A；ICQ1mA；UCEQ2=4.7V
C: IBQ=6.7A；ICQ13