大学MOOC 模拟电子技术(郑州职业技术学院)1001795008 最新慕课完整章节测试答案

1.1随堂测验1本征半导体和杂质半导体的比较

1、判断题：
​本征半导体和杂质半导体相比，本征半导体的导电能力强‏​‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

1.1随堂测验2半导体内部有几种载流子参与导电？

1、多选题：
‌半导体内部有几种载流子参与导电？‍
选项：
A: 正离子
B: 自由电子
C: 价电子
D: 空穴
答案: 【 自由电子;
空穴】

1.2PN结的单向导电性随堂测验

1、判断题：
‏PN结的正向偏置是指P区接高电位，N区接低电位。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.3二极管的伏安特性曲线随堂测验

1、判断题：
‍死区电压的最大值叫做门限电压，也叫做门槛电压。‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.4稳压二极管随堂测验

1、单选题：
‌稳压二极管工作在什么区域？‎‌‎
选项：
A: 第一象限
B: 正向导通区
C: 反向击穿区
D: 第三象限
答案: 【 反向击穿区】

1.5二极管的使用知识随堂测验

1、判断题：
‍用指针式万用表检测二极管时，可以用手接触引脚。​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

测验1半导体二极管测验

1、单选题：
​在本征半导体中加入    元素可形成N型半导体。​
选项：
A: 三价
B: 四价
C: 五价
D: 六价
答案: 【 五价】

2、单选题：
‍PN结加正向电压时，空间电荷区将     。​
选项：
A: 变窄
B: 变宽
C: 基本不变
D: 条件不全，无法判断
答案: 【 变窄】

3、单选题：
‎当温度升高时，二极管的反向饱和电流将     。‏
选项：
A: 增大
B: 条件不全,无法判断
C: 不变
D: 减小
答案: 【 增大】

4、单选题：
‌稳压管的稳压区是其工作在     。​
选项：
A: 正向导通
B: 反向截止
C: 反向击穿
D: 正向导通或反向截止
答案: 【 反向击穿】

5、单选题：
‏发光二极管发光时，其工作在     。​
选项：
A: 正向导通区
B: 反向截止区
C: 反向击穿区
D: 正向导通区或反向击穿区
答案: 【 正向导通区】

6、单选题：
‎当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，这是因为此时PN结内部的       。‍
选项：
A: 多数载流子浓度增大
B: 少数载流子浓度增大
C: 多数载流子浓度减小
D: 少数载流子浓度减小
答案: 【 少数载流子浓度增大】

7、单选题：
‍发光二极管正常工作时，外加   　 电压‎
选项：
A: 正向
B: 反向
C: 击穿
D: 交流
答案: 【 正向】

8、单选题：
​光电二极管正常工作时，外加 　   电压。​
选项：
A: 正向
B: 反向
C: 击穿
D: 交流
答案: 【 反向】

9、单选题：
​某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时， 稳压管两端的最终电压分别为       。‍
选项：
A: +5V和-5V
B:  -5V 和+4V
C: +4V和-0.7V
D:  +0.7V和-4V
答案: 【  +0.7V和-4V】

10、单选题：
‏把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管      。‏
选项：
A: 基本正常
B: 将被击穿
C:  将被烧坏
D: 电流为0
答案: 【  将被烧坏】

11、单选题：
‍当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于       。​
选项：
A: 很小的电阻
B: 很大的电阻
C: 短路
D: 绝对开路
答案: 【 很大的电阻】

12、单选题：
‍某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压        。‌
选项：
A: 约等于150V
B: 略大于150V
C: 等于75V
D: 等于300V
答案: 【 等于75V】

13、单选题：
​测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，测量结果将会       。‍
选项：
A: 变大
B: 变小
C: 不变
D: 不能确定
答案: 【 变小】

14、单选题：
‍杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于     ‏
选项：
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 晶格缺陷
答案: 【 掺杂浓度】

15、单选题：
​变容二极管在电路中的主要作用是      。‌​‌
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 发光
D: 可变电容器
答案: 【 可变电容器】

16、判断题：
‎在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改变为P型半导体。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
‎因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‏PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
‍二极管是线性元件。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‏一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

21、判断题：
‍不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

22、判断题：
‏二极管具有单向导电性。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

23、判断题：
‍二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

24、判断题：
​当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

25、判断题：
‍二极管加正向电压时一定导通。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

26、判断题：
‏二极管加反向电压时一定截止。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

27、判断题：
‍有两个电极的元件都叫二极管。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

28、判断题：
‍二极管一旦反向击穿就一定损坏。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

29、判断题：
‌光电二极管和发光二极管使用时都应接反向偏置电压。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

30、判断题：
‌电击穿是不可逆的。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

31、填空题：
​根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为      、     和        三类。‌
答案: 【 导体、 半导体、绝缘体】

32、填空题：
‏导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是         。‍
答案: 【 半导体】

33、填空题：
‎半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是       。‌
答案: 【 电子和空穴都参与导电】

34、填空题：
‎二极管主要的特点是         。‍
答案: 【 单向导电性】

35、填空题：
电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会       ，如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会      。‏‎‏
答案: 【 烧毁， 击穿】

36、填空题：
​在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常    于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较      。‏
答案: 【 小 ， 好】

37、填空题：
‍某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将       。‏
答案: 【 上升】

38、填空题：
PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在       较高时必须考虑这种效应。‎‏‎
答案: 【 信号频率】

39、填空题：
​发光二极管将    信号转换成    信号。‎
答案: 【 电， 光】

40、填空题：
在常温下，硅二极管导通后的正向压降约为     V‌‍‌
答案: 【 0.7】

41、填空题：
‍半导体中有    和    两种载流子参与导电。 ‏
答案: 【 自由电子、空穴】

42、填空题：
​PN结形成后，空间电荷区由     构成。​
答案: 【 杂质离子】

43、填空题：
‌交通信号灯采用的是      二极管。‎‌‎
答案: 【 发光】

44、填空题：
‍光电二极管能将      信号转变为      信号。‌‍‌‍‌
答案: 【 光、电】

45、填空题：
‌PN结的反向击穿有      和      两种机理。​
答案: 【 雪崩击穿、齐纳击穿】

2.1随堂测验1晶体管放大的外部条件是什么？

1、多选题：
‎晶体管放大的外部条件是什么？​‎​
选项：
A: 发射结正偏
B: 发射结反偏
C: 集电结正偏
D: 集电结反偏
答案: 【 发射结正偏;
集电结反偏】

2.1随堂测验2晶体管的两个PN结分别叫什么？

1、单选题：
‎晶体管的两个PN结分别叫什么？​‎​
选项：
A: 发射结
B: 集电结
C: 基结
D: 放大结
答案: 【 集电结】

2.2随堂测验1晶体管的三种工作区域

1、判断题：
‎晶体管的三种工作区域分别是截止区，饱和区和放大区。‍‎‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.2随堂测验2工作在饱和区的晶体管有放大作用吗？

1、判断题：
‎工作在饱和区的晶体管有放大作用。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.2随堂测验3工作在截止区的条件是什么？

1、判断题：
‏工作在截止区的条件是两个PN结都正偏‌‏‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.3随堂测验1穿透电流Iceo越小越好吗？

1、判断题：
‍穿透电流 Iceo 越小越好.‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.3随堂测验2共基极电流放大系数的数值

1、判断题：
‍共基极电流放大系数总是小于1但接近于1‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.3随堂测验3共发射极电流放大系数的数值

1、判断题：
​共发射极电流放大系数的数值总是小于1‎​‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.4随堂测验1隔直耦合电容的作用

1、多选题：
‍隔直耦合电容的作用是什么？‌‍‌
选项：
A: 隔直流
B: 通直流
C: 隔交流
D: 通交流
答案: 【 隔直流;
通交流】

2.4随堂测验2当发射结正偏则晶体管处于导通状态吗？

1、判断题：
‍当发射结正偏，则晶体管处于导通状态。‌‍‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.4随堂测验3静态分析的任务是什么？

1、判断题：
‍静态分析的任务就是确定静态工作点。‎‍‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.5随堂测验1非线性失真包括什么？

1、多选题：
‍非线性失真包括什么？‌‍‌
选项：
A: 截止失真
B: 放大失真
C: 饱和失真
D: 直线失真
答案: 【 截止失真;
饱和失真】

2.5随堂测验2Q”点过高会引起什么失真？

1、单选题：
‏“Q”点过高会引起什么失真？​‏​
选项：
A: 截止失真
B: 饱和失真
C: 非线性失真
D: 放大失真
答案: 【 饱和失真】

2.6随堂测验1共发射极放大电路中其输入电极是哪个电极？

1、单选题：
‎共发射极放大电路中，其输入电极是哪个电极？‍‎‍
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 放大极
答案: 【 基极】

2.6随堂测验2共发射极放大电路输出电压与输入电压相位关系是什么

1、单选题：
‍共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位关系是什么？​‍​
选项：
A: 相同
B: 相反
C: 相差90度
D: 相差270度
答案: 【 相反】

2.7晶体管的使用知识随堂测验

1、判断题：
‏静态工作点的调整一般是通过调整Rb来实现的‍‏‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.8随堂测验1绝缘栅型场效应管的3个电极分别是什么？

1、判断题：
‌绝缘栅型场效应管的3个电极分别是：栅极、源极、漏极​‌​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.8随堂测验2场效应管按其结构的不同如何分类？

1、判断题：
‎场效应管按其结构的不同可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。‍‎‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

测验2半导体三极管测验

1、单选题：
‎下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是      。‌
选项：
A: VBE>0,VBE<VCE时
B: VBE<0，VBE<VCE时
C: VBE>0，VBE>VCE时
D: VBE<0，VBE>VCE时
答案: 【 VBE>0,VBE<VCE时】

2、单选题：
‎工作在放大区域的某三极管，当Ib从20μA增大到40μA时，Ic从1mA变为2mA，则它的β值约为      。‍
选项：
A: 20
B: 50
C: 80
D: 100
答案: 【 50】

3、单选题：
​NPN型和PNP型晶体管的区别是      。‍
选项：
A: 由两种不同的材料硅和锗制成的
B: 掺入的杂质元素不同
C: P区和N区的位置不同
D: 管脚排列方式不同
答案: 【 P区和N区的位置不同】

4、单选题：
‌当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将      。‏
选项：
A: 增大
B: 减少
C: 反向
D: 几乎为零
答案: 【 几乎为零】

5、单选题：
‌为了使三极管可靠地截止，电路必须满足      。​
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结和集电结都正偏
D: 发射结和集电结都反偏
答案: 【 发射结和集电结都反偏】

6、单选题：
‌对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在      。‌
选项：
A: 放大区
B: 饱和区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 【 放大区】

7、单选题：
​某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V，UB=3V，UC=0V，则此三极管一定是      。‌
选项：
A: PNP硅管
B: NPN硅管
C: PNP锗管
D: NPN锗管
答案: 【 PNP硅管】

8、单选题：
‎测得三极管IB=30μA时，IC = 2.4mA ；IB=40μA时，IC = 3mA，则该管的交流电流放大系数为      。‍
选项：
A: 50
B: 60
C: 80
D: 100
答案: 【 60】

9、单选题：
用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为‏V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则       。‏‎‏
选项：
A: 1为e  2为b  3为c
B: 1为e  3为b  2为c
C: 2为e  1为b  3为c
D: 3为e  1为b  2为c
答案: 【 1为e  3为b  2为c】

10、单选题：
‌晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的      。‏
选项：
A: iC
B: uCE
C: iB
D: iE
答案: 【 iB】

11、单选题：
​某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于      。‍
选项：
A: 0.98 mA
B: 1.02 mA
C: 0.8 mA
D: 1.2 mA
答案: 【 0.98 mA】

12、单选题：
​下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是      。‏
选项：
A: 共发射极接法
B: 共基极接法
C: 共集电极接法
D: 以上三种都有可能
答案: 【 共基极接法】

13、单选题：
‏放大电路的三种组态      。‏
选项：
A: 都有电压放大作用
B: 都有电流放大作用
C: 都有功率放大作用
D: 只有共射极电路有功率放大作用
答案: 【 都有功率放大作用】

14、单选题：
​晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是      。‏
选项：
A: 共集电极接法
B: 共基极接法
C: 共发射极接法
D: 以上都不是
答案: 【 以上都不是】

15、单选题：
‏三极管各个电极的电位如下，处于放大状态的三极管是       。‏
选项：
A: VB = 0.7 V，VE = 0 V，VC = 0.3 V
B: VB = - 6.7 V，VE = - 7.4 V，VC = - 4 V
C: VB = -3 V，VE = 0 V，VC = 6 V
D: VB = 2.7 V，VE = 2 V，VC = 2 V
答案: 【 VB = - 6.7 V，VE = - 7.4 V，VC = - 4 V】

16、判断题：
​三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
‎三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
‍三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所以集电极和发射极可以调换使用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
‌发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‎发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
‍测得正常放大电路中，晶体管三个管脚的电位分别是－9V、－6V和 －6.3V，则这个晶体三极管是PNP锗管  ​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‌在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
​因为N型半导体中的多子是自由电子，所以它带负电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

24、判断题：
‎只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

25、判断题：
​用图解法进行交流分析具有直观的优点，但图解法比较麻烦。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

26、填空题：
‎当NPN半导体三极管的        正向偏置，        反向偏置时，三极管具有放大作用。‌
答案: 【 发射结，集电结】

27、填空题：
‎根据三极管放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为         ，         ，         三种。‌
答案: 【 共基极电路，共发射极电路，共集电极电路】

28、填空题：
‍三极管的特性曲线主要有　　　　　　曲线和　　　　　曲线两种。‍
答案: 【 输入特性，输出特性】

29、填空题：

​三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压一定时，与　之间的关系。

‍答案: 【 Ube】

30、填空题：
‎为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生       失真。‎
答案: 【 截止】

31、填空题：
‎共发射极放大电路电压放大倍数是　　　　　与　　　　　 （填文字） 的比值。‏
答案: 【 输出电压，输入电压】

32、填空题：
三极管的电流放大原理是　　　　电流的微小变化控制　　　　电流的较大变化。‏‏‌‏
答案: 【 基极，集电极】

33、填空题：
‎共射组态既有　　　　放大作用，又有　　　　放大作用。‌
答案: 【 电压，电流】

34、填空题：
​某三极管3个电极电位分别为VE=1V,  VB=1.7V,   VC=1.2V。可判定该三极管是工作于　　　　　　区的NPN型三极管。‎
答案: 【 饱和】

35、填空题：
已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：‌①脚是       ，②脚是       ，③脚是     （e, b，c）；‌‏‌
答案: 【 b，e，c】

36、填空题：
‏画放大器交流通路时，　　　　和　　　　应作短路处理。​
答案: 【 电容，电源】

37、填空题：
‌半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于       控制器件。​
答案: 【 电流】

38、填空题：
‎晶体管的三个工作区是       ，       ，      。 ‌
答案: 【 放大区，截止区，饱和区】

39、填空题：
​半导体三极管又称双极型管，是因为其内部有            。‏
答案: 【 两种载流子参与导电】

40、填空题：
已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：​a．管型是           （NPN，PNP）；​b．材料是         （硅，锗）。​​​
答案: 【 NPN，硅】

3.1交直流通路的画法随堂测验

1、单选题：
1、 画放大电交流通路时直流电源视为：‏
选项：
A: 短路
B: 开路
C: 保留电源
D: 变换为电流源
答案: 【 短路】

2、单选题：
‍2、NPN型硅材料的三极管处于放大状态时，其UBEQ约等于‍‍‍
选项：
A: 0.7V
B: 0.3V 
C: 0.1
D: 无法确定
答案: 【 0.7V】

3、填空题：
‍3、画放大电路的直流通路时耦合电容和旁路电容视为‎
答案: 【 开路##%_YZPRLFH_%##断路】

3.2共射极静态工作点求法随堂测验

1、单选题：
​1、基极分压、发射极偏置的共发射极放大电路中，最先求出来的静态工作点电量是​
选项：
A: UCEQ
B: IBQ
C: ICQ
D: UBEQ
答案: 【 ICQ】

2、单选题：
‏2、共发射极放大电路中，三个电极静态电流关系如下，其中错误的是​
选项：
A: βIBQ=ICQ
B: IBQ+ICQ=IEQ
C: ICQ=IEQ
D: 不确定
答案: 【 ICQ=IEQ】

3、单选题：
​3、基极分压、发射极偏置的共发射极放大电路中，基极电位大小主要取决于‏
选项：
A: RB1与RB2的分压
B: RB1
C: RB2
D: RC
答案: 【 RB1与RB2的分压】

3.3共射极放大电路性能分析随堂测验

1、单选题：
‎1、共射极放大电路的输入电阻Ri‍
选项：
A: 大
B: 小
C: 很小
D: 无法确定
答案: 【 小